韩禹 作品数:5 被引量:10 H指数:2 供职机构: 北京工业大学 更多>> 发文基金: 国家科技支撑计划 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
注入电流对绿光高压LED光电特性的影响 被引量:3 2014年 设计并制备了12 V的GaN基绿光高压发光二极管(LED),并对其进行了变电流测试.研究了绿光高压LED的正向电压、峰值波长、光功率以及光效等重要参数随注入电流的变化关系,电流变化范围为3~50mA,测试温度为25℃.实验结果表明:电流对绿光高压LED的光电特性有很大影响.在驱动电流为20 mA时,对应电压为14 V.随着注入电流的增大,峰值波长蓝移了2 nm.随着电流的增大,光功率近似于线性增加.在注入电流从3mA增大到20 mA的过程中,光效降低了约61%;在注入电流从20 mA增大到50 mA的过程中,光效降低了约39%.这说明高压LED在大电流驱动时,光效降低的幅度比较缓慢.上述结果对GaN基绿光高压LED的改进优化具有一定的参考价值. 白俊雪 郭伟玲 俞鑫 樊星 刘建鹏 韩禹关键词:注入电流 正向电压 峰值波长 静电对GaN基高压LED特性的影响 被引量:2 2014年 对GaN基绿光高压LED分别施加-500、-1 000、-2 000、-3 000、-4 000、-5 000和-6 000V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量样品的I-V特性曲线及光通量等参量,研究静电打击对GaN基高压LED器件性能的影响.结果表明:当样品经过-500,-1 000、-2 000、-3 000和-4 000V的静电打击后,由于LED器件内部产生了缺陷,发生了软击穿并且反向漏电流明显增加,但光通量的变化不明显;当经过-5 000V和-6 000V的静电打击后,由于发生了热模式击穿,温度迅速升高,在结区形成熔融通道,使LED的光通量明显减小,甚至衰减到未打击时的一半;在经受-6 000V的静电打击后,正向电压的减小和反向漏电流的增加更加明显,漏电现象更加明显,严重影响了器件的性能,最终使LED样品失效. 韩禹 郭伟玲 樊星 俞鑫 白俊雪关键词:GAN 静电放电 光电特性 51V GaN基高压LED的热分析 被引量:5 2014年 设计并制备了51 V高压LED。对器件进行了大电流冲击试验并对器件的损毁原因进行了分析。运用有限元分析软件ANSYS对LED关键结构部位进行参数化建模及热分布模拟,得到其稳态的温度场分布;然后经过与红外热像仪成像图对比,得出电极烧毁的原因在于芯粒连接处的电极过薄过窄而导致的电阻过大,为后续设计更可靠的高压LED提供了参考。对芯片分别进行蓝光及色温5 000 K的白光封装,并分别测量了热阻,涂覆荧光粉的白光灯珠的热阻要比没有涂覆荧光粉的蓝光灯珠高约4℃/W。同时,51 V高压LED的热阻比1 W大功率LED要高,说明高压LED的散热性能比常规LED要差,这可能与高压LED具有深沟槽及众多的互联电极结构有关。 俞鑫 郭伟玲 樊星 白俊雪 程顺波 韩禹关键词:热分析 ANSYS 热阻 GaN基高压发光二极管理想因子与单元个数关系研究 被引量:1 2015年 理想因子能够反映电流、载流子泄漏以及缺陷导致的非辐射复合等现象.针对目前报道的Ga N基发光二极管的理想因子的问题,通过对高压发光二极管I-V曲线的拟合计算出了理想因子n的数值,分别讨论了12V,19 V,51 V和80 V Ga N基高压发光二极管的理想因子与其结构中串联晶粒个数的关系,分析了理想因子大小与光谱半高宽(FWHM)的变化关系.另外,还对电流拥挤效应对理想因子的影响进行了分析.结果表明:高压发光二极管理想因子n随串联晶粒个数的增加几乎为线性规律增加,高压发光二极管理想因子n是由其串联单元理想因子之和构成的.这对Ga N基高压发光二极管理想因子的研究具有参考价值. 白俊雪 郭伟玲 孙捷 樊星 韩禹 孙晓 徐儒 雷珺关键词:GAN基发光二极管 GaN基功率LED制备及其特性研究 发光二极管作为继白炽灯和荧光灯之后第四代照明光源,具有节能,环保和寿命长的特点。已从最初的景观照明、交通信号显示等领域,开始进入液晶背光和普通室内外照明领域,成为当代信息社会“增光添彩”不可或缺的关键元器件,在农业、医疗... 韩禹关键词:发光二极管 氮化镓 深槽刻蚀