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杨楚威

作品数:8 被引量:17H指数:2
供职机构:中国科学院声学研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇压电
  • 4篇压电薄膜
  • 4篇芯片
  • 4篇传声器
  • 2篇电传感器
  • 2篇电极
  • 2篇微机电系统
  • 2篇膜层
  • 2篇静态电容
  • 2篇机电系统
  • 2篇传感器灵敏度
  • 2篇传感器芯片
  • 2篇传声
  • 2篇电系统
  • 1篇压电传声器
  • 1篇氧化锌

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇杨楚威
  • 7篇汪承灏
  • 7篇黄歆
  • 6篇李俊红
  • 6篇解述
  • 2篇魏建辉
  • 2篇徐联
  • 2篇乔东海
  • 1篇徐明
  • 1篇马军

传媒

  • 2篇应用声学

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2003
  • 1篇2002
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
硅微压电传声器的研究
硅微压电传声器是一种可应用于电声、超声和水声的微传感器.但是现今硅微压电传声器的灵敏度较低,该文为了提高灵敏度,同时也为了提高成品率,提出了三种结构上的改进:1)用较厚的复合基底膜代替单层膜.2)电极由单电极改为分割的串...
杨楚威
关键词:氧化锌压电薄膜微机电系统微传感器
文献传递
具有分割式串连电极的硅微压电传感器芯片及其制备方法
本发明涉及的具有分割式串连电极的硅微压电传感器芯片:n型硅基片中心有上小下大的方锥形孔;基片正、反面分别淀积基膜层和掩膜层,基膜层中心有圆孔,掩膜层中心有与硅基片反面方孔相同的方孔,基膜层上表面有振动膜;或者基片正、反面...
汪承灏杨楚威黄歆李俊红乔东海解述
文献传递
具有分割式串连电极的硅微压电传感器芯片及其制备方法
本发明涉及的具有分割式串连电极的硅微压电传感器芯片:n型硅基片中心有上小下大的方锥形孔;基片正、反面分别淀积基膜层和掩膜层,基膜层中心有圆孔,掩膜层中心有与硅基片反面方孔相同的方孔,基膜层上表面有振动膜;或者基片正、反面...
汪承灏杨楚威黄歆李俊红乔东海解述
文献传递
硅微压电薄膜传声器的制备
<正> 1 引言近几年来,随着硅技术的不断发展,硅基微机电系统(MEMS)在许多领域成为科学研究的热点[1][2]。利用硅基微加工工艺加工制作的MEMS器件不仅体积小、重量轻,而且具有与集成电路工艺兼容的特点,使之与传统...
杨楚威黄歆解述魏建辉徐明汪承灏
文献传递
一种硅微压电式传感器芯片及其制备方法
本发明涉及的硅微压电传感器芯片,包括:n型硅基片中心有上小下大的方锥形孔,基片正、反面分别淀积氮化硅基膜层和掩膜层,基膜层中心设制圆孔,直径大于等于或小于硅基片正面方孔的对角线,掩膜层中心有与硅基片反面方孔相同尺寸的方孔...
杨楚威黄歆李俊红汪承灏解述徐联
文献传递
圆形振动膜ZnO压电微传声器的研制被引量:5
2006年
本文介绍了一种新型圆形振动膜ZnO压电微传声器的制备,并对传声器制备的工艺过程进行了较为详细的描述。圆形振动膜的压电传声器与以前方形振动膜结构设计相比,较大幅度提高了传声器的灵敏度和成品率,灵敏度达到-70dB(相对于1V/Pa),成品率达到80%。
杨楚威李俊红黄歆汪承灏
关键词:压电薄膜ZNO
一种硅微压电式传感器芯片及其制备方法
本发明涉及的硅微压电传感器芯片,包括:n型硅基片中心有上小下大的方锥形孔,基片正、反面分别淀积氮化硅基膜层和掩膜层,基膜层中心设制圆孔,直径大于等于或小于硅基片正面方孔的对角线,掩膜层中心有与硅基片反面方孔相同尺寸的方孔...
杨楚威黄歆李俊红汪承灏解述徐联
文献传递
硅微ZnO压电薄膜传声器的研制被引量:10
2003年
本文介绍了一种利用ZnO压电薄膜为换能器的硅微压电薄膜传声器的制备,并且对微机械加工工艺过程进行了较为详细的描述。本文对传声器的部分结构进行改进,与通常设计相比较大幅提高了传声器的性能,1000Hz基准频率的灵敏度达到-85dB(相对于1V/Pa),500Hz到10000Hz的频率响应的平坦度在±3dB范围内。
杨楚威黄歆李俊红解述魏建辉马军汪承灏
关键词:平坦度微机电系统
共1页<1>
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