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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 2篇氮化硅
  • 2篇SINX
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇等离子体
  • 1篇电参数
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇性能表征
  • 1篇性能分析
  • 1篇阻挡放电
  • 1篇相对密度
  • 1篇介质
  • 1篇介质阻挡
  • 1篇介质阻挡放电
  • 1篇类金刚石
  • 1篇溅射制备

机构

  • 5篇大连理工大学

作者

  • 5篇李艳琴
  • 3篇董闯
  • 3篇丁万昱
  • 3篇邓新绿
  • 2篇徐军
  • 1篇朴勇
  • 1篇朴勇
  • 1篇徐军
  • 1篇高鹏
  • 1篇高鹏
  • 1篇陈小猛

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇真空
  • 1篇TFC’05...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2006
  • 3篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
大气压介质阻挡放电制备ε-Fe3N磁性液体及其特性研究
由于氮化铁磁性液体饱和磁化强度较高,且相对稳定,自1992年Nakatani等人宣布采用气相-液相法成功研制氮化铁磁性液体后,开始了氮化铁磁性液体研究的热潮。氮化铁磁性液体主要制备方法有气相-液相法和等离子体CVD法。气...
李艳琴
关键词:大气压介质阻挡放电放电参数
文献传递
微波ECR等离子体增强磁控溅射制备SiNx薄膜及其性能分析被引量:12
2006年
利用微波ECR磁控反应溅射法在室温下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶红外光谱、X射线电子谱、膜厚仪、纳米硬度仪、原子力显微镜等分析手段,分析了N2流量、Si靶溅射功率等实验参数对SiNx薄膜结构、化学配比以及机械性质的影响.结果表明,SiNx薄膜中Si-N结构、化学配比及机械性质与等离子体中的Si元素含量关系密切,随着N2流量的增加或者Si靶溅射功率的降低,等离子体中的Si元素含量降低,SiNx薄膜结构、化学配比及硬度发生变化,红外光谱发生偏移,硬度下降,沉积速率降低.
丁万昱徐军李艳琴朴勇高鹏邓新绿董闯
关键词:SINX磁控溅射
等离子体中Si原子相对密度对SiNx薄膜结构、性能的影响
本试验利用微波ECR增强非平衡磁控溅射方发制备不同结构、性能的SiNx薄膜,在实验过程中利用发射光谱法(OEs)对等离子体中Si原子的相对密度进行检测,并利用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)、X光电子能谱(XPS)等方法...
丁万昱徐军李艳琴高鹏朴勇邓新绿董闯
关键词:磁控溅射发射光谱X光电子能谱
文献传递
SiN<,x>硬盘保护膜的制备及其性能表征
本文采用微波ECR等离子体增强非平衡磁控反应溅射法制备了SiNx薄膜,系统的研究了SiNx薄膜的结构和性能。 利用傅立叶变换红外吸收光谱和X射线光电子能谱分析了薄膜的结构和组分;使用摩擦磨损仪测试了薄膜的摩擦学...
李艳琴
关键词:氮化硅薄膜磁控反应溅射
文献传递
超薄磁盘保护膜的制备技术被引量:3
2005年
类金刚石薄膜和氮化硅薄膜都是性能很好的绝缘材料,可以用于对磁盘进行保护,在本文中主要讨论了它们各自的制备方法。随着巨磁阻读写磁头(g ian tm agneto-res istive heads)技术的引入,磁盘的存储密度以每年100%的速度在增加,这就要求磁盘保护膜的厚度要尽量的小,所以对制备方法有一定的要求。对类金刚石磁盘保护膜,可以使用等离子体磁控溅射沉积、磁过滤阴极弧沉积、等离子体化学气相沉积来制备;对氮化硅磁盘保护膜,可以使用射频反应溅射沉积来制备。
李艳琴丁万昱邓新绿董闯徐军陈小猛
关键词:类金刚石氮化硅
共1页<1>
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