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沉积参数对SiNx薄膜结构及阻透性能的影响: 2009年; 利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶变换红外光谱、台阶仪、紫外—可见分光光度计、接触角测量仪、透湿测试仪等表征技术,分析了N2流量、Si靶溅射功率等实验参数对SiNx薄膜成分、结构、及阻透性能、透光性能、接触角等性能的影响.研究结果表明,Si靶溅射功率固定时,在低N2流量条件下,或N2流量固定时,在高Si靶溅射功率条件下,制备的SiNx薄膜中Si—N键含量高,结构致密,薄膜对H2O的阻透性能优良,随着N2流量的增加或者Si靶溅射功率的降低,SiNx薄膜成分、结构发生变化,红外光谱发生偏移,其对H2O的阻透性能下降.在N2流量为6sccm,Si靶溅射功率为300W时制备的SiNx薄膜在可见光波段透过率超过97.5%,对H2O的接触角为30°,同时其对H2O的渗透系数最低,为0.764,综合性能满足柔性有机电致发光器件封装用阻透膜的要求,因此SiNx薄膜有望成为新一代柔性有机电致发光器件封装用阻透材料.; 丁万昱王华林苗壮张俊计柴卫平; 关键词：SINX 磁控溅射微观结构阻透性能

具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在透明薄膜热电偶上的应用: 本发明涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在透明薄膜热电偶上的应用，属于薄膜热电偶技术领域。利用直流脉冲磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成透明薄膜热电偶的一极，所述直流脉冲磁...; 丁万昱刘浩陈卫超

热解温度对溶胶-凝胶法制备B掺杂ZnO薄膜晶化行为及性能的影响: 2016年; 采用溶胶-凝胶方法制备了B掺杂ZnO（BZO）薄膜，系统研究了热解温度对薄膜的结晶行为和性能的影响．X射线衍射谱表明所有的BZO薄膜均具有六方纤锌矿结构，并沿c轴方向择优生长．随着热解温度的升高，BZO薄膜的晶粒尺寸和RMS粗糙度增加．BZO薄膜的载流子浓度和载流子迁移率也随着热解温度的升高而增加，其可见光平均透过率均在90％以上．; 文斌刘超前王楠王华林刘世民姜薇薇丁万昱费维栋柴卫平; 关键词：透明导电氧化物热解温度

低能氨离子/基团扩散对铟锡氧化物薄膜电学性质的影响规律: 2020年; 有机-无机杂化甲氨铅碘类钙钛矿太阳能电池在制备及使用过程中,甲氨铅碘层中的甲基铵离子易分解为甲基离子/基团和氨离子/基团,其中氨离子/基团可以扩散进入铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)透明电极层,并影响ITO的电学性质.本文通过低能氨离子束与ITO薄膜表面相互作用,研究低能氨离子/基团在ITO薄膜表面扩散过程,及其对ITO薄膜电学性质的影响规律.研究结果表明,低能氨离子/基团在ITO薄膜表面扩散过程中,主要与ITO晶格中的O元素结合形成In/Sn-O-N键.ITO不同晶面的O元素含量不同,低能氨离子/基团能够在无择优ITO薄膜表面的各个晶面进行扩散,因此将严重影响其电学性质,导致无择优ITO薄膜电阻率增加约6个数量级.但(100)择优取向ITO薄膜的主晶面为(100)晶面,最外层由In/Sn元素构成,不含O元素.因此(100)择优取向ITO薄膜能够有效地抑制低能氨离子/基团扩散,并保持原始电学性质.最终,(100)择优取向ITO薄膜有望成为理想的有机-无机杂化甲氨铅碘类钙钛矿太阳能电池用透明电极层材料.; 赵世平张鑫刘智慧王全王华林姜薇薇刘超前王楠刘世民崔云先马艳平丁万昱巨东英; 关键词：铟锡氧化物 NHX 电学性质

碳含量对碳氮化硅薄膜化学结构和力学性能的影响被引量：4: 2006年; 利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅(SiCN)薄膜。研究结果表明,碳含量对薄膜化学结构、力学性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)表征显示,随着碳靶溅射偏压由-450 V提高到-650 V,薄膜中碳含量由19.0%增加到27.1%,sp3C-N键含量增多,薄膜生长速率由3.83 nm/min提高到5.83 nm/min,硬度在-600 V时达到最大值25.36 GPa。上述结果表明,提高碳靶溅射偏压,可以提高薄膜含碳量,得到性能较好的SiCN薄膜。; 朴勇徐军高鹏丁万昱陆文琪马腾才; 关键词：SICN 化学结构力学性能

Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响被引量：12: 2008年; 利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜。通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄膜结晶质量好,薄膜具有优良的光电性能,Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能。Ar气压强为0.4 Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21.02 nm,电阻率最低,为14μΩ.cm,波长190 nm^850 nm范围内的平均反射率可达到66.94%。; 朱继国丁万昱王华林张树旺张粲张俊计柴卫平; 关键词：MO薄膜晶粒尺寸光电性能

(004)晶面择优的二氧化钛在钙钛矿太阳能电池中的应用和钙钛矿太阳能电池制备方法: 本发明涉及一种(004)晶面择优的二氧化钛在钙钛矿太阳能电池中的应用和钙钛矿太阳能电池的制备方法，属于钙钛矿太阳能电池领域。本发明通过控制磁控溅射过程中钛靶表面磁控溅射的功率密度，得到具有不同晶体结构和择优取向的二氧化钛...; 丁万昱张鑫何艳菲; 文献传递

一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物薄膜材料的制备方法: 本发明涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层领域。所述制备方法为：利用磁控溅射的方法得到具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物薄膜材料，所述磁控溅射的功率密度为4...; 丁万昱吕智轩刘金东王登尧; 文献传递

基体负偏压对SiCN薄膜结构和性能的影响: Si3N4是一种介电材料,SiC是一种半导体材料,两者的结合将可能是一种具有宽的带隙光学和电学性质的超硬材料。本文采用微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术制备SiCN薄膜,并对薄膜的化学结构、力学性能进行了表征。研...; 高鹏徐军朴勇丁万昱王德和董闯; 关键词：非平衡磁控溅射; 文献传递

高熵氧化物的研究进展被引量：1: 2021年; 高熵氧化物也可以称为熵稳定氧化物、多组分氧化物等,是一种新型材料,由于其独特的结构特征和定向获取某种功能的可能性,引起了人们极大的兴趣。这种多元方法也为材料设计和发现创造了新的机会。本文重点介绍了高熵氧化物领域的研究进展,包括一些基本概念、合成方法、性能与应用等,并展望了未来的发展方向。; 于跃任元文白雪莹张小可刘世民姜薇薇刘超前王华林王楠丁万昱

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丁万昱