李福宾
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
- 供职机构：广西大学物理科学与工程技术学院更多>>
- 发文基金：教育部重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划广西壮族自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程核科学技术理学电子电信更多>>
- GaN肖特基紫外探测器的电流输运研究被引量：3
- 2009年
- 为了探明GaN肖特基紫外探测器漏电流问题,提高探测器的性能,在已有的各种电流输运模型的基础上,把宽禁带的GaN基半导体材料(Eg>3.4eV)看作绝缘体,用空间电荷限制电流理论(SCLC)分析由金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长的金属-GaN肖特基紫外探测器样品的I-V和I-V-T曲线。结果表明,SCLC机制控制的电流成分占主导地位,对于两个转换电压V1、V2,在VV2的区域电流电压遵循SCLC平方率。
- 李福宾林硕李建功沈晓明
- 关键词：GAN肖特基紫外探测器
- GaN肖特基紫外探测器电流输运机制研究
- GaN肖特基紫外探测器在紫外探测方面具有很多的优越性，但其异常大的漏电流，严重影响了探测器的性能和应用。本论文主要针对GaN肖特基紫外探测器的电流输运机制进行了研究，主要包括以下内容：
1．对已提出的各种GaN基肖...
- 李福宾
- 关键词：肖特基紫外探测器化学气相沉积
- 文献传递
- InGaN单结太阳电池中的浅能级杂质的理论计算和模拟被引量：4
- 2010年
- 通过氢有效质量理论(HEMT)对In0.65Ga0.35N(高In组分,Eg=1.31eV)太阳电池材料进行分析,计算出其浅能级施主和受主的重要性质参数电离能:ΔED～10.8meV,ΔEA～90meV.在此基础上得到了室温条件下In0.65Ga0.35N的浅能级施主和受主强电离时的杂质浓度范围:施主9.56×108～4.57×1016cm-3,受主9.56×108～7.84×1016cm-3;并估算了产生杂质能带的最低杂质浓度:施主～1×1018cm-3,受主～5.79×1020cm-3.然后借助AMPS-1D软件对含有部分电离的浅能级施主、受主In0.65Ga0.35N单结太阳电池进行模拟,详细讨论了施主能级和受主能级对载流子的俘获对太阳电池效率的影响.本文结果为InGaN单结和多结太阳电池的掺杂(尤其是p型掺杂)和制备提供了理论参考和帮助。
- 林硕沈晓明张保平李福宾李建功孟祥海
- 关键词：INGANAMPS
