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孟祥海
作品数:
1
被引量:4
H指数:1
供职机构:
广西大学材料科学与工程学院
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发文基金:
教育部重点实验室开放基金
国家高技术研究发展计划
广西壮族自治区自然科学基金
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相关领域:
电气工程
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合作作者
沈晓明
广西大学材料科学与工程学院
张保平
厦门大学物理与机电工程学院物理...
李福宾
广西大学物理科学与工程技术学院
李建功
广西大学材料科学与工程学院
林硕
广西大学物理科学与工程技术学院
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2010
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InGaN单结太阳电池中的浅能级杂质的理论计算和模拟
被引量:4
2010年
通过氢有效质量理论(HEMT)对In0.65Ga0.35N(高In组分,Eg=1.31eV)太阳电池材料进行分析,计算出其浅能级施主和受主的重要性质参数电离能:ΔED~10.8meV,ΔEA~90meV.在此基础上得到了室温条件下In0.65Ga0.35N的浅能级施主和受主强电离时的杂质浓度范围:施主9.56×108~4.57×1016cm-3,受主9.56×108~7.84×1016cm-3;并估算了产生杂质能带的最低杂质浓度:施主~1×1018cm-3,受主~5.79×1020cm-3.然后借助AMPS-1D软件对含有部分电离的浅能级施主、受主In0.65Ga0.35N单结太阳电池进行模拟,详细讨论了施主能级和受主能级对载流子的俘获对太阳电池效率的影响.本文结果为InGaN单结和多结太阳电池的掺杂(尤其是p型掺杂)和制备提供了理论参考和帮助。
林硕
沈晓明
张保平
李福宾
李建功
孟祥海
关键词:
INGAN
AMPS
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