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李坤兰

作品数:8 被引量:8H指数:1
供职机构:信息产业部电子第五研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术环境科学与工程天文地球更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇天文地球
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 2篇单片集成
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  • 2篇导弹
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  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
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  • 1篇电子元
  • 1篇电子元器件
  • 1篇元器件
  • 1篇在役
  • 1篇生态系统
  • 1篇失效模式
  • 1篇湿热试验
  • 1篇统计分析
  • 1篇晶体管
  • 1篇环境适应性
  • 1篇ODS
  • 1篇臭氧

机构

  • 8篇信息产业部电...

作者

  • 8篇李坤兰
  • 2篇程德斌
  • 2篇解江
  • 2篇邱宝军
  • 2篇高军
  • 1篇胡湘洪
  • 1篇张博
  • 1篇王春辉
  • 1篇邱森宝
  • 1篇姚珂

传媒

  • 2篇环境技术
  • 1篇装备环境工程
  • 1篇第四届电子产...
  • 1篇第四届电子产...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2000
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
在役晶体管湿热试验失效模式及机理研究被引量:1
2023年
目的研究在役晶体管湿热试验的失效模式及失效机理,为减少晶体管失效提出改进建议。方法选取长期贮存了10余年未失效的3型在役晶体管进行湿热环境试验,采用扫描电镜观测、电性能参数测试、离子色谱分析等方法研究晶体管失效的模式和失效机理。结果晶体管经过2160h湿热试验后,有3.75%的晶体管发生失效,其中晶体管管腿断裂失效比例占2.50%,失效机理为应力腐蚀开裂;晶体管参数超标比例为1.25%,失效机理为器件背部或三防漆所含粘附离子引起的漏电。结论湿热试验会加速在役晶体管的失效,其失效模式主要为因应力腐蚀开裂导致的管腿断裂以及因表面粘附离子引起的参数超差。建议在晶体管的寿命期内加强质量管理,改善不当的制管工艺,减少器件的内部缺陷及残余应力的存在,控制器件贮存环境的温湿度以及大气成分,杜绝氯离子等粘附离子及其他活性物质的引入。
姚珂郑南飞罗琴邱森宝邹祁峰李坤兰
关键词:晶体管湿热试验失效模式
某型霍尔开关集成电路贮存特性研究
2022年
为研究某型霍尔开光集成电路的贮存特性,在寒温、亚湿热-入海口、亚湿热、热带海洋等4种气候下的库房开展了248个月的贮存试验,监测了B_(H-L)、B_(L-H)、B_(H)、V_(OL)、I_(CC)等5个性能参数。分析研究了性能参数退化特征及4种气候对性能参数影响的差异特点。结果显示V_(OL)和I_(CC)是贮存敏感参数,V_(OL)在贮存67个月后开始出现显著退化;4种气候对B_(H-L)、B_(L-H)、B_(H)、I_(CC)的影响有显著差异。B_(H-L)、B_(L-H)最早出现显著差异的贮存时间是18个月。最后得出V_(OL)是决定其贮存寿命的关键参数,B_(H-L)、B_(L-H)是影响其环境适应性的关键参数。
李坤兰胡湘洪胡湘洪张博
关键词:环境适应性
长期储存试验中敏感参数衰减模型研究
本文对某型号元器件贮存7年的敏感参数Y的测试数据随时间的变化趋势进行了研究,发现其随时间的变化总趋势趋于平缓;并对该敏感参数的数学衰减模型进行了研究,用非线性拟合确定了该型号元器件的敏感参数的衰减模型,其线性相关性都在8...
李坤兰
文献传递
单片集成电路贮存寿命特征检测方法
本发明涉及一种单片集成电路贮存寿命特征检测方法,包括步骤:对单片集成电路进行外观质量检查,并根据检查结果得到外检合格品和外检失效品;对外检合格品进行电参数测量,并根据测量结果得到终检合格品和终检失效品;对终检合格品进行可...
程德斌高军李坤兰解江邱宝军
文献传递
长期储存试验中敏感参数的统计分析
本文对某型号元器件贮存7年的性能参数Y的测试数据用方差分析法进行了统计分析,发现四个贮存点(A1、A2、A3、A4)样品的性能参数Y随时间发生了显著的变化;该元器件不同贮存点的性能参数Y之间有显著的差异.因而,性能参数Y...
李坤兰
关键词:统计分析电子元器件
文献传递
臭氧层的破坏及其保护被引量:7
2000年
由于大量使用ODS ,使得臭氧层—地球生物的保护层 ,被大量消耗 ,进而出现了臭氧层空洞 ,人类的生存环境不断恶化。本文就臭氧层的作用、破坏臭氧层的危害及其保护作一介绍。
李坤兰
关键词:臭氧层ODS生态系统
长期储存试验中敏感参数衰减模型研究
本文对某型号元器件贮存7年的敏感参数Y的测试数据随时间的变化趋势进行了研究,发现其随时间的变化总趋势趋于平缓;并对该敏感参数的数学衰减模型进行了研究,用非线性拟合确定了该型号元器件的敏感参数的衰减模型,其线性相关性都在8...
李坤兰
单片集成电路贮存寿命特征检测方法
本发明涉及一种单片集成电路贮存寿命特征检测方法,包括步骤:对单片集成电路进行外观质量检查,并根据检查结果得到外检合格品和外检失效品;对外检合格品进行电参数测量,并根据测量结果得到终检合格品和终检失效品;对终检合格品进行可...
程德斌高军李坤兰解江邱宝军
共1页<1>
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