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曾绍鸿

作品数：20 被引量：28H指数：4
供职机构：华南理工大学理学院应用物理系更多>>
发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 13篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 5篇钛酸
  • 5篇XN
  • 4篇晶体管
  • 4篇光敏
  • 4篇轰击
  • 4篇SIO
  • 3篇湿敏
  • 3篇湿敏特性
  • 3篇击穿
  • 3篇击穿特性
  • 3篇镧
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶片
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇电阻
  • 2篇湿度传感器
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇钛酸钡

机构

  • 20篇华南理工大学
  • 1篇中华人民共和...
  • 1篇四通公司

作者

  • 20篇曾绍鸿
  • 16篇黄美浅
  • 16篇李观启
  • 5篇曾勇彪
  • 4篇陈蒲生
  • 3篇冯文修
  • 3篇刘小阳
  • 2篇刘玉荣
  • 2篇刘百勇
  • 2篇吴英才
  • 2篇黄钊洪
  • 2篇李斌
  • 2篇王川
  • 2篇张昊
  • 1篇章晓文
  • 1篇田小峰
  • 1篇钟平
  • 1篇曾旭

传媒

  • 8篇华南理工大学...
  • 5篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 5篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1991
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅衬底Sr_(1-x)La_xTiO_3薄膜光敏特性研究
2001年
利用氩离子束镀膜技术在 Si O2 / Si衬底上淀积钛酸镧锶 (Sr1 - x L ax Ti O3)膜 ,并制成平面型电阻器。研究了薄膜电阻器的光电流与照度、电压和电极间距的关系以及薄膜在调制光下的频率特性 ,计算出薄膜中载流子寿命约为 2 9ms。结果表明 ,Sr1 - x L ax Ti O3薄膜在可见光区域具有较好的光敏特性 ,其灵敏度和光电导增益都比较高。在弱照度下 ,光电流随照度变化较快 ,主要与单分子复合过程相关 ;而在强照度下 ,变化趋于缓慢 。
刘玉荣李观启黄美浅曾绍鸿
关键词：硅衬底
Al/BaTiO_3/Si结构的湿敏特性与机理研究被引量：7
1995年
利用氩离子束镀膜技术,在N型(100)硅单晶片上淀积钛酸钡膜,并制成MIS结构.在室温下测试其电容-相对湿度(C-RH)特性和电流-相对湿度(I-RH)特性.研究退火条件与固定电荷密度和吸湿灵敏度的关系.结果表明:当相对湿度从12%变化到92%时,在1MHz的测试频率下,电容值变化了48%.在3V偏压下,电流变化了430%,且高湿时的灵敏度比低温时高.随着膜中氧组分的增大,固定电荷密度减小,吸湿响应时间增长,电流变化率下降.文中利用等效方法确定膜中的孔隙体积比和BaTiO,成分的介电常数,建立了描述C-RH特性的物理吸附模型.考虑化学吸附产生的H^+对界面势垒和电场的影响,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧穿机构对I-RH特性进行了解释.
李观启吴英才黄美浅曾绍鸿刘百勇
关键词：钛酸钡MIS湿敏特性湿度传感器
雪崩热电子注入研究富氮SiO_xN_y纳米级薄膜的陷阱特性
2000年
采用雪崩热电子注入技术研究了富氮 Si Ox Ny 纳米级薄膜的陷阱特性。观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长、界面上产生的这种陷阱将起主导作用 ,其密度大过施主型界面电子陷阱。揭示出界面陷阱密度在禁带中分布 ,其密度随雪崩注入剂量增加而增大 ,禁带上半部增大得尤其显著。指出雪崩注入过程中在 Si/ PECVD Si Ox Ny 界面上产生两种性质不同的电子陷阱 ,并给出它们在禁带中的位置及密度大小关系。支持了界面陷阱来源于悬挂键的物理模型 ,由于本实验的重要结果可用该理论模型圆满地解析。给出 PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件 ,该条件成膜的界面特性良好、耐压范围高。
陈蒲生章晓文冯文修张昊曾绍鸿
关键词：雪崩
Al／BaTiO_3／Si结构的湿敏特性被引量：2
1994年
用氩离子束镀膜法制备ＢａＴｉＯ_３／Ｓｉ系统，并在４００－９００℃的温度下用氮气保护进行退火，然后制成Ａｌ／ＢａＴｉＯ３／Ｓｉ的ＭＩＳ结构。用俄歇电子能谱分析ＢａＴｉＯ３膜的化学组分．研究电容－相对湿度和电流－相对湿度特性，以及固定电荷密度对湿敏特性的影响．结果表明，当相对湿度从１２％变化到９２％时，电容量增加４８％到５０％；在３Ｖ偏压下，电流量增加４２０％到４４０％；随着固定电荷密度的减小，吸附响应时间增加，电流变化率减小．
吴英才李观启曾绍鸿黄美浅
关键词：钛酸钡湿敏特性湿度传感器
背面Ar^+轰击对n-MOSFET低频噪声的影响被引量：1
2003年
研究了低能量背面Ar+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响 .用低能量 ( 5 5 0eV)的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面 ,能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度 .饱和区低频噪声的减小可用载流子迁移率模型解释 ,而线性区低频噪声的减小可用载流子数模型解释 ;其变化的原因可能与氩离子束背面轰击后反型层电子的有效迁移率、二氧化硅中的固定电荷密度以及硅 二氧化硅界面的界面态密度的变化有关 .
黄美浅李观启李斌曾绍鸿
关键词：N-MOSFET低频噪声迁移率界面态
一种提高晶体管性能的方法
本发明是一种提高晶体管性能的新方法，能广泛应用于晶体管、集成电路的生产。本发明要点是在室温和真空中用A<Sub>r</Sub><Sup>+</Sup>束辐照管芯背面来提高或调节h<Sub>FE</Sub>和f<Sub>T...
曾绍鸿李观启黄美浅曾勇彪
文献传递
富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性被引量：1
2001年
通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 .
陈蒲生张昊冯文修田小峰刘小阳曾绍鸿
关键词：俄歇电子能谱红外光谱电学参数
用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性被引量：4
1997年
研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄膜的优化PECVD工艺条件，同时对实验结果进行了理论分析与讨论．
陈蒲生冯文修王川王锋刘小阳田万廷曾绍鸿
关键词：PECVD法半导体薄膜技术
Al－SiO_xN_y－Si系统有效功函数差和界面特性的研究
1995年
本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数差和Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ系统的固定电荷密度。结果表明，该系统的平带电压值明显高于Ａｌ－ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的值，原因是固定电荷密度增大、有效功函数差减小和相对介电常数增大的综合结果。有效功函数差的减小与Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ界面态密度的增大有关。
李观启严东军黄美浅曾绍鸿刘百勇
关键词：氧化膜氮化功函数界面态
低能量Ar^＋背面轰击对晶体管特性的影响被引量：2
1996年
在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特征频率、功率增益和输入阻抗，减小噪声系数和使击穿特性变硬，而势垒电容和薄层电阻不改变．实验结果和理论分析表明，上述参数的改善与轰击后界面态密度的减小、少数载流子寿命和扩散系数的增大有关．
李观启曾绍鸿黄美浅
关键词：晶体管硅
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