张永
- 作品数：14 被引量：10H指数：2
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省科技重点项目教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征被引量：2
- 2007年
- SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制.
- 蔡坤煌张永李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：位错
- 低温Ge作缓冲层的高组份SiGe弛豫衬底生长研究
- ＜正＞Si 基 SiGe 合金和纯 Ge 材料具有良好的光电热性能,并且与 Si 工艺兼容,在微电子和光电子器件方面得到了广泛应用,如异质结双结型晶体管,应变 Si、SiGe 和 Ge 高迁移率 MOS 管,近红外1.3...
- 周志文蔡志猛张永周笔林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中
- 文献传递
- 一种锗量子点的制备方法
- 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依...
- 张永李成廖凌宏陈松岩赖虹凯康俊勇
- 文献传递
- 微波功率SiGe HBT与基于虚衬底的SiGe HPT的研制
- 随着无线通信和光纤通信技术的发展与融合,对组成通信系统的光电子器件性能和成本的要求日益提高。传统的Si材料器件以其成熟的工艺技术具有高集成和低成本优势,但是由于受到Si材料自身特性和器件结构的限制,无法满足高速的要求。S...
- 张永
- 关键词：硅锗异质结晶体管
- 文献传递
- 基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管
- 基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ge组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测...
- 张永李成陈松岩赖虹凯康俊勇
- 文献传递
- UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层被引量：6
- 2008年
- 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.
- 周志文蔡志猛张永蔡坤煌周笔林桂江汪建元李成赖虹凯陈松岩余金中王启明
- 关键词：锗
- 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法
- 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控...
- 李成蔡坤煌张永赖虹凯陈松岩
- 文献传递
- Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响被引量：2
- 2008年
- 制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。
- 张永李成赖虹凯陈松岩康俊勇成步文王启明
- 关键词：锗硅合金异质结双极型晶体管直流特性
- 超薄SGOI(GOI)材料制备及其性质
- 基于氧化SOI基SiGe过程中硅被选择性氧化，而锗被排斥浓缩在氧化层之间，制备出不同组份SGOI和超薄GOI材料，优化设计了氧化和退火过程，对锗浓缩法形成的SGOI(GOI)材料结构、锗组份、应变、表面形貌等参数演化进行...
- 李成胡美娇卢卫芳蔡坤煌张永徐剑芳黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：集成电路退火处理结构特征
- 一种锗量子点的制备方法
- 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依...
- 张永李成廖凌宏陈松岩赖虹凯康俊勇
- 文献传递
