蔡坤煌
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金福建省重点科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层被引量：6
- 2008年
- 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.
- 周志文蔡志猛张永蔡坤煌周笔林桂江汪建元李成赖虹凯陈松岩余金中王启明
- 关键词：锗
- 干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征被引量：2
- 2007年
- SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制.
- 蔡坤煌张永李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：位错
- 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法
- 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控...
- 李成蔡坤煌张永赖虹凯陈松岩
- 文献传递
- 氧化法制备SiGe弛豫缓冲层及其表征
- 制备低位错密度、表面平整、高 Ge 组分渐变的 SiGe 弛豫缓冲层具有重要的意义,它是实现 Ge 红外探测器、应变 Si-MOS 器件的基础。传统的 Ge 组分渐变缓冲层,需要很大的厚度才能实现较高 Ge 组分并将位错...
- 蔡坤煌张永李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：SI/SIGE
- 文献传递
- 超薄SGOI(GOI)材料制备及其性质
- 基于氧化SOI基SiGe过程中硅被选择性氧化，而锗被排斥浓缩在氧化层之间，制备出不同组份SGOI和超薄GOI材料，优化设计了氧化和退火过程，对锗浓缩法形成的SGOI(GOI)材料结构、锗组份、应变、表面形貌等参数演化进行...
- 李成胡美娇卢卫芳蔡坤煌张永徐剑芳黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：集成电路退火处理结构特征
- 氧化法制备硅基SiGe弛豫衬底的研究
- Si基SiGe异质结构因其优良的性质，与成熟的Si工艺相兼容，成为制备高性能硅基微电子与光电子器件的重要材料。SiGe弛豫衬底克服了SiGe晶格失配的限制，是实现高性能Si基SiGe光电子与微电子器件集成的理想平台。传统...
- 蔡坤煌
- 关键词：氧化法模型参数
- 文献传递
- 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法
- 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控...
- 李成蔡坤煌张永赖虹凯陈松岩
- 文献传递
