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张佳辰

作品数:9 被引量:2H指数:1
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 5篇晶体管
  • 4篇光电
  • 4篇光电子
  • 4篇MOSFET
  • 2篇动态范围
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅材料
  • 2篇探测器
  • 2篇天线
  • 2篇偶极子
  • 2篇偶极子天线
  • 2篇介质
  • 2篇介质栅
  • 2篇光学天线
  • 2篇硅材料
  • 2篇复合介质
  • 2篇感光
  • 2篇暗电流
  • 2篇半导体

机构

  • 9篇南京大学

作者

  • 9篇张佳辰
  • 6篇吴福伟
  • 5篇夏好广
  • 5篇闫锋
  • 4篇卜晓峰
  • 4篇马浩文
  • 2篇沈忱
  • 2篇司向东
  • 2篇张铁
  • 1篇徐小农
  • 1篇谢自力
  • 1篇张荣
  • 1篇修向前
  • 1篇张国煜
  • 1篇郑有炓
  • 1篇崔旭高
  • 1篇曹汛
  • 1篇陶志阔
  • 1篇纪晓丽

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2008
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器,每个单元探测器都是由两个晶体管构成,利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管:两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料(1)上方,两...
闫锋马浩文沈忱卜晓峰吴福伟夏好广张佳辰
文献传递
分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法
本发明提出一种分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法,分裂栅型MOSFET结构为在P型衬底正上发设有两层绝缘介质层和控制栅极,两层绝缘介质层之间设有光电子存储层;控制栅极的两侧设有选择栅极,将控制栅极所控制的衬底与探...
卜晓峰闫锋夏好广吴福伟马浩文司向东张佳辰
文献传递
基于内插与外推的数字全息分辨率增强方法被引量:2
2014年
为了提高数字全息再现图像的分辨率,分析了增强图像分辨率的典型方法,提出了同时采用图像内插与外推的数字全息分辨率改进方法。对采集的全息图运用图像算法进行向内插值与向外填充,在全息面和物面之间采用角谱方法进行双向衍射迭代。通过该方法可以实现全息图的内插与外推,内插过程可以增加全息图空间采样频率而外推过程扩大了全息图数值孔径。同时,讨论了内插与外推的限制因素,并将新的改进方法与单独采用外推或内插进行了比较,模拟和实验结果证明,运用该方法可以明显改善再现图像分辨质量。
夏好广张佳辰纪晓丽闫锋曹汛
关键词:全息分辨率增强迭代图像再现
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器,每个单元探测器都是由两个晶体管构成,利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管:两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料(1)上方,两...
闫锋马浩文沈忱卜晓峰吴福伟夏好广张佳辰
文献传递
分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法
本发明提出一种分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法,分裂栅型MOSFET结构为在P型衬底正上发设有两层绝缘介质层和控制栅极,两层绝缘介质层之间设有光电子存储层;控制栅极的两侧设有选择栅极,将控制栅极所控制的衬底与探...
卜晓峰闫锋夏好广吴福伟马浩文司向东张佳辰
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一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器
一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器,光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料,厚度为100~300nm;光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端,天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100~500nm,光学天线与晶体管源...
张佳辰张铁吴福伟
文献传递
新型隧穿晶体管用于太赫兹探测的仿真研究
太赫兹射线是一种介于微波和红外之间的射线,具有频率高、穿透能力强、生物无损害等显著优点,在宽带通信、雷达、电子对抗、医学成像、安全检查等方面有着巨大的应用市场。作为太赫兹成像技术核心器件的太赫兹探测器一直受到科学界的广泛...
张佳辰
关键词:计算机仿真
文献传递
高温高压合成Co掺杂ZnO基DMS及其磁性特征
2008年
采用高温高压方法将由溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体纳米颗粒置于6GPa压强和1000℃环境中处理,并研究其结构和磁学性质.XRD,XPS以及HRTEM等结构测量和分析表明,在掺杂浓度不高时,Co2+离子被较好地掺杂到了ZnO晶格中,没有第二相或者团簇存在;而在中高浓度掺杂时,有CoO相形成.SQUID磁性测量显示,样品具有室温铁磁性.
张国煜修向前张荣陶志阔崔旭高张佳辰谢自力徐小农郑有炓
关键词:高温高压ZNO稀磁半导体CO掺杂
一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器
一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器,光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料,厚度为100~300nm;光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端,天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100~500nm,光学天线与晶体管源...
张佳辰张铁吴福伟
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