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卜晓峰

作品数：51 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇中文专利

领域

  • 12篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理

主题

  • 26篇介质
  • 26篇复合介质
  • 25篇介质栅
  • 14篇晶体管
  • 13篇光电
  • 10篇光电子
  • 9篇探测器
  • 8篇MOSFET
  • 7篇绝缘
  • 7篇成像
  • 6篇栅结构
  • 6篇绝缘介质
  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇电荷耦合
  • 5篇浮栅
  • 5篇暗电流
  • 4篇噪声
  • 4篇透镜

机构

  • 51篇南京大学

作者

  • 51篇卜晓峰
  • 50篇闫锋
  • 49篇马浩文
  • 20篇吴福伟
  • 20篇夏好广
  • 17篇杨程
  • 16篇张丽敏
  • 15篇毛成
  • 7篇刘泉
  • 7篇陈辉
  • 7篇胡悦
  • 6篇司向东
  • 6篇曹旭
  • 4篇张佳辰
  • 3篇徐跃
  • 3篇沈忱
  • 2篇王凯
  • 2篇施毅
  • 2篇高宏
  • 2篇岳涛

年份

  • 1篇2024
  • 12篇2023
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 5篇2019
  • 6篇2018
  • 2篇2017
  • 8篇2015
  • 1篇2014
  • 8篇2013
  • 3篇2012
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多增益模式的复合介质栅双晶体管光敏探测器及方法
本发明提供了一种多增益模式的复合介质栅双晶体管光敏探测器及方法。该探测器包括用于感光的复合介质栅电容和用于读出的复合介质栅晶体管，复合介质栅电容包括衬底、第一底层介质层、第一电荷耦合层、第一顶层介质层和控制栅；该光敏探测...
马浩文沈凡翔闫锋卜晓峰王凯王子豪李张南胡心怡顾郅扬陈辉常峻淞
一种基于复合介质栅MOSFET的多模态双晶体管光敏探测器
基于复合介质栅MOSFET的多模态双晶体管光敏探测器，所述MOS电容感光晶体管作为光敏单元；所述MOSFET读取晶体管和与此MOSFET读取晶体管相邻的所述MOS电容感光晶体管组成基本包括多列MOS电容组成的感光晶体管和...
高宏闫锋张丽敏马浩文卜晓峰杨程毛成
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复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法
本发明公开了一种复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，具体过程如下：通过FN隧穿的方法将阵列中所有像元的阈值电压先注入提高到3V左右，再用FN方式使电压降低到0.5V左右，最后再通过FN隧穿注入的方式把成像阵列中所...
司向东闫锋吴福伟夏好广马浩文卜晓峰刘佰清
一种复合介质栅电容耦合变增益光敏探测器及其工作方法
本发明公开了一种复合介质栅电容耦合变增益光敏探测器及其工作方法。其探测器单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅晶体管，复合介质栅MOS电容实现探测器的感光功能，复合介质栅晶体管实现探测器的...
马浩文李煜乾黄枝建孔祥顺毛成杨程卜晓峰张丽敏闫锋
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分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法
本发明提出一种分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法，分裂栅型MOSFET结构为在P型衬底正上发设有两层绝缘介质层和控制栅极，两层绝缘介质层之间设有光电子存储层；控制栅极的两侧设有选择栅极，将控制栅极所控制的衬底与探...
卜晓峰闫锋夏好广吴福伟马浩文司向东张佳辰
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基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法
基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法，在栅极上加不同的电压脉冲，使MOSFET工作在深耗尽状态，根据所加栅极电压不同使耗尽区的深度不同，以此结合不同波长的光在硅中的穿透深度不同的原理，将入射光中的红、绿、蓝...
闫锋卜晓峰胡悦吴福伟夏好广马浩文
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PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器
PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器，探测器结构包括硅(Si)衬底(1)，衬底正上方为一层绝缘介质称为体绝缘层(2)，体绝缘层正上方为掺杂不同的半导体薄膜层形成P型源极(3)和N型漏极(4)，在源极漏极分界处源极一侧正上方从...
闫锋夏好广卜晓峰徐跃吴福伟马浩文
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一种用于激光测距的单光子雪崩二极管探测器阵列
本发明公开了一种用于激光测距的单光子雪崩二极管探测器阵列，包括单点探测面、整形电路、“与”处理电路和“或”处理电路。其中，单点探测面由多个探测单管以n×n(n≥2)的形式排布集成，探测单管包括单光子雪崩二极管和淬灭电路；...
卜晓峰毛成闫锋孔祥顺李张南李煜乾黄枝建杨程马浩文张丽敏
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基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法
基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法，复合介质栅MOSFET光敏探测器单元结构包括：P型半导体衬底（<B>1</B><B>），</B>半导体衬底正上方依次设有底层绝缘介质（<B>5</B><B>）</B>...
闫锋马浩文吴福伟夏好广卜晓峰
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存储单元、存储的方法、存储阵列、存储器及其制备方法
本公开提供了一种存储单元、存储的方法、存储阵列、存储器及其制备方法。所述方法采用至少一个三维动态随机存储单元，在选定的用于存储信息的栅极层上施加适当的电压，使栅极层控制的电荷耦合层进行信息的动态随机存储，并且使第一和第二...
闫锋沈凡翔卜晓峰马浩文
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