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岑元飞

作品数：13 被引量：18H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇电路
  • 8篇集成电路
  • 7篇单片
  • 6篇砷化镓
  • 5篇单片集成
  • 5篇单片集成电路
  • 4篇移相器
  • 3篇S波段
  • 2篇单片低噪声放...
  • 2篇单片移相器
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇多倍频程
  • 2篇移动通信
  • 2篇数字移相器
  • 2篇通信
  • 2篇微波单片
  • 2篇微波单片集成
  • 2篇微波单片集成...

机构

  • 12篇南京电子器件...
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 13篇岑元飞
  • 10篇陈效建
  • 6篇李辉
  • 6篇李拂晓
  • 6篇陈堂胜
  • 5篇林金庭
  • 5篇俞土法
  • 5篇戴永胜
  • 4篇陈继义
  • 3篇王军贤
  • 2篇陈克金
  • 2篇高建峰
  • 2篇宋军
  • 2篇徐世晖
  • 2篇陈雪军
  • 1篇周兴隆
  • 1篇樊晓龙
  • 1篇高建峰
  • 1篇蒋幼良
  • 1篇陈雪军

传媒

  • 11篇固体电子学研...
  • 1篇半导体情报

年份

  • 2篇2001
  • 7篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1994
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
移动通信用GaAs微波单片集成电路的CAD技术研究被引量：2
2000年
介绍了一个移动通信用 Ga As MMIC集成电路 CAD系统。该系统包括单片电路器件模型系统和 CAD软件包。应用该系统已完成多个移动通信电路的优化设计 ,取得良好效果。
徐世晖陈雪军李辉岑元飞宋军陈效建
关键词：砷化镓CAD单片集成电路移动通信
S波段PHEMT单片低噪声放大器
2001年
采用 PHEMT结构实现小电流、驻波性能优异的单片 S波段低噪声放大器。利用 HPIC- CAP软件系统提取 PHEMT管芯的 EEHEMT1模型参数 ,并结合 HP- EEsof Series IV软件的优化设计 ,及 Cadence L ayout版图设计 ,最终在 76 mm的 MBE圆片上实现了单片电路。该单片在无任何调配的情况下 。
岑元飞陈效建王军贤高建峰林金庭
关键词：赝配高电子迁移率晶体管低噪声放大器S波段单片集成电路
S波段PHEMT单片阻性混频器
1998年
王军贤岑元飞陈效建高建峰
关键词：混频器PHEMT
高性能DC-20GHz反射型GaAs MMIC SPST和SPDT开关被引量：3
2000年
戴永胜陈堂胜岑元飞俞土法李辉陈继义李拂晓陈效建
关键词：砷化镓SPDT开关集成电路
三种新颖的适合不同控制信号的超宽带单片移相器被引量：3
2000年
戴永胜陈堂胜岑元飞俞土法李辉陈继义李拂晓陈效建林金庭
关键词：超宽带单片移相器MMIC集成电路
一种新颖的多倍频程GaAs单片五位数字移相器被引量：5
2000年
戴永胜陈堂胜岑元飞俞土法李辉陈继义李拂晓陈效建林金庭
关键词：多倍频程砷化镓数字移相器
数字/模拟兼容的超宽带90°、45°、22.5°、11.25°单片移相器被引量：1
2000年
戴永胜陈堂胜岑元飞俞土法李辉李拂晓陈效建
关键词：超宽带
C波段GaAs单片有源环行器
1994年
Ｃ波段ＧａＡｓ单片有源环行器岑元飞，林金庭，陈克金，樊晓龙（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＣ－ＢａｎｄＧａＡｓＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＡｃｔｉｖｅＣｉｒｃｕｌａｔｏｒ￥ＣｅｎＹｕａｎｆｅｉ；ＬｉｎＪｉｎｔｉｎｇ；ＣｈｅｎＫｅｊｉｎ；ＦａｎＸｉａｏｌ...
岑元飞林金庭陈克金樊晓龙
关键词：C波段砷化镓有源环行器
一种新颖的多倍频程180°GaAs MMIC数字移相器被引量：1
2000年
戴永胜陈堂胜岑元飞俞土法陈继义李拂晓陈效建
关键词：数字移相器多倍频程砷化镓单片集成电路
WFD0003型单片低噪声放大器
岑元飞陈雪军周兴隆李拂晓蒋幼良高建峰陈堂胜王学芝等
WFD0003型单片低噪声放大器用于移动通信GaAs微波单片集成电路，它采用全离子注入技术、干法刻蚀工艺技术、微波CAD设计技术，完成了MMIC的制造。采用塑封形式达到的主要技术指标有：频率(f)935-960MHz；噪...
关键词：
关键词：低噪声放大器移动通信集成电路
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