孟宪权
- 作品数：36 被引量：99H指数：4
- 供职机构：武汉大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- 用B样条方法计算球冠状量子点内的电子结构被引量：1
- 2007年
- 在有效质量理论的框架内,使用B样条方法,分别计算得到了球冠状InAs自组织量子点的高度和底面半径对电子能级的影响关系,且与实验结果和其他理论方法计算的结果进行了比较.结果表明:当量子点高度增大时(从1 nm到10 nm),其能级降低,能级间距减小.与底面半径对电子能级的影响相比,量子点高度是影响电子能级的关键因素,尤其是对基态能级几乎有决定性作用.同时,计算过程及结果也证明B样条方法在计算球冠状量子点电子能级方面是行之有效的.
- 孟宪权刘炜王栋乔豪学
- 关键词：量子点能级计算B样条函数
- 离子注入制备Si基GaSb量子点
- 2009年
- 利用离子注入法在Si(001)衬底上先后注入了Ga+和Sb+,注入能量分别为140,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016,6.2×1016cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了量子点材料.用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像.实验结果表明,经二次退火生长的量子点晶格结构和Si衬底损伤的修复要明显优于一次退火.
- 孟宪权肖虎朱振华
- 关键词：量子点离子注入
- 一种应用于小尺寸样品光刻工艺的方法
- 本发明公开了一种应用于小尺寸样品光刻工艺的方法。该方法包括：将待光刻的小尺寸样品放置在冷压法所用设备的压片模具上；将压片用粉末材料填充到放置有小尺寸样品的压片模具中；对压片模具施加压力，将小尺寸样品嵌入到压制所述压片用粉...
- 冯梦阳孟宪权金鹏周广迪霍晓迪徐鹏飞王占国
- 制备工艺对多孔阳极氧化铝特性的影响被引量：4
- 2009年
- 通过对草酸溶液中制备的多孔阳极氧化铝（PAA）的形貌、晶态结构和光致发光（PL）特性的表征和机理分析,研究了草酸电解液浓度、阳极氧化电压和退火等工艺对PAA的形成及特性的影响.PAA的孔径在50～120 nm之间,且随着阳极氧化电压的升高而增大,而受电解液浓度的影响较小.X射线衍射结果表明：PAA为非晶态结构,退火之后结晶,并有多相共存.PL测试表明PAA在375～500 nm之间有一较宽的蓝色发光带,发光峰在425 nm左右,是由氧空位引起的,且其峰强可通过改变阳极氧化电压和草酸浓度等参数来调制.
- 张霞胡明孟宪权
- 关键词：多孔阳极氧化铝光致发光
- ZnO单晶材料不同温度下光致发光性能研究被引量：1
- 2010年
- 对ZnO单晶材料不同温度下进行了光致发光研究。室温下ZnO单晶有两个发光峰,分别为375nm的紫外发光峰和570nm的可见光发光带。随着温度的降低,出现两个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)和束缚激子(D0X)发光峰,并且束缚激子发光峰随着温度降低较自由激子变化明显。较低温度时在370nm到400nm出现多个发光峰,为声子(LO)参与的受主束缚激子(A0X)发光峰。10K时出现四个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)、表面激子(SX)和束缚激子(D0X)发光峰。
- 夏威孟宪权刘文军朱振华
- 关键词：ZNO单晶光致发光
- 应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究被引量：3
- 2003年
- 利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。
- 金鹏李成明张子旸孟宪权徐波刘峰奇王占国李乙钢张存洲潘士宏
- 关键词：应变层
- 平面、环形靶磁控溅射薄膜沉积过程理论及YBCO超导薄膜的制备和改性
- 孟宪权
- 关键词：磁控溅射超导薄膜
- CdSe与CdSe/ZnS量子点合成及稀土掺杂被引量：3
- 2014年
- 在LSS(liquid-solid-solution)多相体系中制得了CdSe、CdSe/ZnS量子点和Eu掺杂的量子点。利用TEM、XRD、PL、EDS对产物进行了表征。TEM结果显示所得的量子点形貌规则、尺寸均匀。XRD结果显示CdSe/ZnS量子点呈六方晶系。PL结果对比表明,合适厚度壳层ZnS包覆后的CdSe量子点发光效率明显提高,发光峰的半高宽有大幅度提高,并分析了所得的结果。掺杂稀土元素Eu后,CdSe(Eu)量子点在红光区域产生了新的发光峰;而CdSe(Eu)/ZnS量子点在红光区域内没有出现发光峰,并阐明了这种现象的原因。
- 薛霏孟宪权刘义鹤
- 关键词：量子点稀土掺杂
- InAs量子点的结构及光学性质研究被引量：1
- 2005年
- 采用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长了多层 InAs量子点,原子力显微镜观测了生长在表面的量子点,用透射电子显微镜观察到五层量子点截面像,傅立叶变换光谱仪测试量子点光致发光谱.原子力显微镜以及透射电镜观察结果表明:第一层量子点为椭圆状;上面四层为透镜状量子点,呈现明显的垂直对准,且量子点的密度下降,大小趋向一致.样品中有些位置不同层的量子点连成一线,其边缘存在应力.由于第一层量子点与其他四层量子点的大小、形状不同,导致量子点光致发光峰的半高宽增加.
- 孟宪权张华刚刘天志
- 关键词：量子点分子束外延透射电子显微镜光致发光
- “电子材料”课程的教学改革被引量：2
- 2013年
- 本文对"电子材料"课程教材内容的选取及教学方法改进进行了讨论。笔者在教学实践中较大幅度增强了半导体材料、光电子材料内容,增加了铁电、压电、热释电材料和纳米材料教学内容,弱化了电阻材料、超导材料的内容。教材内容的选取考虑了课程内容科学体系完整性、国际研究动态、应用状况及发展趋势,教学单位及教师的研究特长以及学生就业需要等因素。
- 孟宪权张观明
- 关键词：电子材料教学内容教学方法
