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唐立
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19
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复旦大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
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合作作者
林殷茵
复旦大学
陈邦明
复旦大学
吕杭炳
复旦大学
尹明
复旦大学
傅秀峰
复旦大学
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机构
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作者
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唐立
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林殷茵
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陈邦明
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尹明
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年份
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2010
12篇
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2006
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一种低功耗电阻存储器的实现方法
本发明属微电子技术领域,具体是一种低功耗电阻存储器的实现方法。具体是在属氧化物电阻存储薄膜和导电电极之间插入一层二元金属氧化物或者二元金属氮化物介质薄膜,从而降低电阻存储器的复位操作或读操作的电流,实现电阻存储器的功耗降...
林殷茵
陈邦明
尹明
唐立
吕杭炳
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一种可降低复位操作电流的电阻存储器
本发明属微电子技术领域,具体是一种可降低复位操作电流的电阻存储器。该电阻存储器在金属氧化物电阻存储薄膜和电极之间,或者两层存储介质之间插入一介质薄膜,该介质薄膜的电阻率在10欧·cm以上,通过所插入介质薄膜产生的热量对电...
林殷茵
陈邦明
尹明
唐立
吕杭炳
文献传递
一种改善Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器疲劳特性的方法
本发明属微电子技术领域,具体是一种改善Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器疲劳特性的方法。采用等离子体的物理轰击作用,去除表面CuO层,或增加其导电性,从而降低第一次写操作电流、电压,保护表层CuO下面的具有电阻转换...
林殷茵
吕杭炳
尹明
唐立
文献传递
一种电阻随机存储器的复位操作方法
本发明属微电子技术领域,具体涉及一种电阻随机存储器不挥发存储器的复位操作方法。本发明设计了一种脉冲幅度以步进式增长的复位编程方式,可以大大提高电阻存储单元的反复擦写次数,延长其使用寿命。
林殷茵
尹明
丁益青
唐立
文献传递
一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法
本发明属微电子技术领域,具体是一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为:以Cu<Sub>x</Sub>O存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜,或者以Cu<Sub>x</Sub>...
林殷茵
陈邦明
唐立
吕杭炳
尹明
傅秀峰
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以上电极作为保护层的Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器及其制造方法
本发明属微电子技术领域,具体提供了一种以自对准形成的上电极作为保护层的Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括:下电极为铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线,在铜引线上方形成的第一介质层和在第一介...
林殷茵
陈邦明
唐立
文献传递
一种自对准形成上电极的WO<Sub>x</Sub>电阻存储器及其制造方法
本发明属微电子技术领域,具体提供了一种以自对准形成上电极的WO<Sub>x</Sub>电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括:下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞,在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞,位于孔...
林殷茵
吕杭炳
唐立
尹明
宋雅丽
陈邦明
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一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器与二极管集成的制造方法
本发明属于微电子技术领域,具体是一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器与二极管集成的制造方法。Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器与金属氧化物二极管集成形成于铜互连后端工艺之中,其中利用Cu<Sub>x</Su...
林殷茵
陈邦明
唐立
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一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器的湿法氧化制备方法
本发明属微电子技术领域,具体是一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中,作为存储介质的Cu<Sub>x</Sub>O用湿法氧化方法制备,具体步骤为用一定浓度(1...
林殷茵
傅秀峰
陈邦明
吕杭炳
唐立
尹明
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一种基于二极管选通的电阻存储器件及其制造方法
本发明属微电子技术领域,具体为一种基于二极管选通的电阻随机存储器件及其制造方法。其选通二极管是通过与CMOS工艺兼容的技术形成于衬底硅中,并与电阻存储单元集成制造形成电阻存储器,存储单元结构简单,相比三极管和场效应管选通...
林殷茵
唐立
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