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陈邦明

作品数：25 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇中文专利

主题

  • 21篇电阻
  • 19篇存储器
  • 18篇SUB
  • 9篇铜互连
  • 9篇微电子
  • 9篇互连
  • 5篇氧化物
  • 5篇写操作
  • 5篇金属
  • 5篇存储介质
  • 4篇电极
  • 4篇电流
  • 4篇电路
  • 4篇集成电路
  • 3篇电路技术
  • 3篇金属氧化物
  • 3篇集成电路技术
  • 2篇低功耗
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇氧化物半导体

机构

  • 25篇复旦大学

作者

  • 25篇林殷茵
  • 25篇陈邦明
  • 13篇吕杭炳
  • 12篇唐立
  • 8篇尹明
  • 8篇傅秀峰
  • 3篇李莹
  • 2篇宋雅丽
  • 1篇金钢
  • 1篇丁益青
  • 1篇汤庭鳌
  • 1篇刘欣

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
  • 12篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于Cu<Sub>x</Sub>O的电阻随机可存取存储器及其制备方法
本发明属微电子技术领域，具体是一种采用Cu<Sub>x</Sub>O作为存储介质的电阻随机可存取存储器的结构及其制备方法。该存储器中，作为存储介质的Cu<Sub>x</Sub>O位于通孔正下方并深入到下层铜引线内部，下层...
林殷茵陈邦明
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一种消除Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器形成电压的方法
本发明属微电子技术领域，具体是一种消除Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器形成电压的方法。生长完Cu<Sub>x</Sub>O存储介质后，在N<Sub>2</Sub>、Ar、forming gas或真空等缺氧气氛中进...
林殷茵陈邦明吕杭炳
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一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器与二极管集成的制造方法
本发明属于微电子技术领域，具体是一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器与二极管集成的制造方法。Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器与金属氧化物二极管集成形成于铜互连后端工艺之中，其中利用Cu<Sub>x</Su...
林殷茵陈邦明唐立
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一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法
本发明属微电子技术领域，具体是一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以Cu<Sub>x</Sub>O存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以Cu<Sub>x</Sub>...
林殷茵陈邦明唐立吕杭炳尹明傅秀峰
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以上电极作为保护层的Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器及其制造方法
本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成的上电极作为保护层的Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线，在铜引线上方形成的第一介质层和在第一介...
林殷茵陈邦明唐立
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一种消除Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器形成电压的方法
本发明属微电子技术领域，具体是一种消除Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器形成电压的方法。生长完Cu<Sub>x</Sub>O存储介质后，在N<Sub>2</Sub>、Ar、forming gas或真空等缺氧气氛中进...
林殷茵陈邦明吕杭炳
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非挥发SRAM单元、阵列及其操作方法和应用
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种采用金属氧化物作为存储介质的非挥发SRAM及其应用。该非挥发SRAM以二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储介质，由一个传统的六管SRAM、一个存储电阻以及一个参考电阻构成；...
林殷茵陈邦明李莹傅秀峰
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一种三维堆叠的WO<Sub>x</Sub>的电阻随机存储器结构及其制造方法
本发明属微电子技术领域，具体为一种可三维堆叠的WO<Sub>x</Sub>的电阻随机存储器结构及其制备方法。所述的存储器结构包括：一个选通管和若干个存储单元，存储单元之间通过并联方式与选通管相连并层叠与选通管之上，实现一...
吕杭炳林殷茵陈邦明
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一种低功耗电阻存储器的实现方法
本发明属微电子技术领域，具体是一种低功耗电阻存储器的实现方法。具体是在属氧化物电阻存储薄膜和导电电极之间插入一层二元金属氧化物或者二元金属氮化物介质薄膜，从而降低电阻存储器的复位操作或读操作的电流，实现电阻存储器的功耗降...
林殷茵陈邦明尹明唐立吕杭炳
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一种提高相变存储器存储密度的方法及其实现电路
本发明属于大规模数字集成电路技术领域，具体为一种提高相变存储器存储密度的方法及其实现电路。它通过多个存储单元共享一个选通器件(如二极管、三极管、场效应晶体管等)来减小每个存储单元平均所占的面积。针对一种特殊的存储单元布局...
林殷茵刘欣丁益青李莹汤庭鳌陈邦明
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