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吴华英

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供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿电流
  • 1篇NMOSFE...

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇胡辉勇
  • 1篇吴华英
  • 1篇宋建军
  • 1篇张鹤鸣

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型
2011年
本文基于量子机制建立了单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型,分析了隧穿电流与器件结构参数、偏置电压及应力的关系.仿真分析结果与单轴应变硅nMOSFET的实验结果符合较好,表明该模型可行.同时与具有相同条件的双轴应变硅nMOSFET的实验结果相比,隧穿电流更小,从而表明单轴应变硅器件更具有优势.该模型物理机理明确,不仅适用于单轴应变硅nMOSFET,只要将相关的参数置换,该模型也同样适用于单轴应变硅pMOSFETs.
吴华英张鹤鸣宋建军胡辉勇
关键词：NMOSFET
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