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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇理学

主题

  • 2篇电性能
  • 2篇压电
  • 2篇压电性
  • 2篇压电性能
  • 2篇晶体
  • 2篇LA
  • 1篇锗酸铋
  • 1篇直拉法
  • 1篇提拉法
  • 1篇TA
  • 1篇大尺寸
  • 1篇O

机构

  • 4篇四川压电与声...

作者

  • 4篇吴兆刚
  • 3篇李和新
  • 2篇蒋春健
  • 2篇胡少勤
  • 1篇漆婷
  • 1篇谢克诚
  • 1篇雷波
  • 1篇董加和

传媒

  • 2篇压电与声光
  • 2篇中国硅酸盐学...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2003
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
La_3Ga_5SiO_(14)晶体生长研究被引量:1
2003年
报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果。采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶体。对晶体生长的温场及其相应的拉速和转速进行了研究,生长出 50mm×140mm的La3Ga5SiO14晶体,并测试了部分压电性能。
蒋春健胡少勤吴兆刚李和新
关键词:晶体直拉法压电性能
闪烁锗酸铋的生长工艺改进
无机闪烁晶体BGO具有较大的光输出(8200Photons/MeV)、较快的衰减常数(300ns)和较大的密度(7.13g/cm)等特点,在正电子断层技术(PET)、高能物理以及核物理方面有着广泛的运用,考虑到其粘度较大...
吴兆刚
文献传递
La_3Ga_(5.5)Ta_(0.5)O_(14)晶体的生长及性能研究被引量:1
2009年
采用提拉法生长出了直径为54 mm的La3Ga5.5Ta0.5O14晶体,晶体透明,无气泡,无包裹体,无条纹。同时对晶体的压电常数、介电常数、透光光谱及其声表面波器件性能进行了测试,并绘制了晶体的极图。实验结果表明La3Ga5.5Ta0.5O14晶体具有优异的压电性能。
漆婷吴兆刚莫彦祎李和新雷波谢克诚董加和
关键词:提拉法压电性能
大尺寸La3Ga5SiO14晶体生长研究
LaGaSiO晶体(英文为Langasite,简称为LGS)是一种性能优异的新型压电晶体材料,它不仅具有钽酸锂晶体(LT)接近的高机电耦合系数(K=0.35%~0.50%),同时还具有与石英晶体相当的温度稳定性(TCD=...
蒋春健胡少勤李和新吴兆刚
文献传递
共1页<1>
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