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吴俊徐

作品数：6 被引量：13H指数：2
供职机构：华东师范大学更多>>
发文基金：上海市教育发展基金会“曙光计划”项目上海-AM基金上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇电化学
  • 4篇微通道
  • 3篇多孔硅
  • 3篇氢氧化
  • 3篇氢氧化铵
  • 3篇刻蚀
  • 2篇电化学刻蚀
  • 2篇电子发射
  • 2篇夜视
  • 2篇夜视设备
  • 2篇微机电系统
  • 2篇微机电系统技...
  • 2篇机电系统
  • 2篇二次电子
  • 2篇二次电子发射
  • 2篇硅
  • 2篇电系统
  • 1篇低压化学气相...
  • 1篇电化学过程
  • 1篇淀积

机构

  • 6篇华东师范大学

作者

  • 6篇吴俊徐
  • 5篇王连卫
  • 2篇陈瑜
  • 1篇郭平生

传媒

  • 1篇微细加工技术
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2006
  • 2篇2005
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
硅的电化学深刻蚀技术
在硅衬底上刻蚀深沟槽和深孔是在传感器技术的一种重要的加工手段.可以用于制作加速度传感器、陀螺仪、穿过硅片的互联和射频(RF)应用等MEMS(MicroElectroMechanical System:微机电系统)器件和光...
王连卫吴俊徐陈瑜
关键词：硅衬底传感器深反应离子刻蚀阳极氧化
文献传递
一种高深宽比大孔硅微通道的制作方法
一种高深宽比大孔硅微通道的制作方法，其制作步骤为：1、电化学过程包括：(1)在衬底上表面淀积掩膜，光刻定义硅片孔的位置；(2)取出清洗，再使用氢氧化钾或四甲基氢氧化铵溶液预腐蚀处理1～3分钟，形成倒四棱台结构时，停止腐蚀...
王连卫吴俊徐
文献传递
一种硅的微通道制作方法
本发明涉及一种微机电系统器件制作中的微通道制作方法，属于微电子以及微机电系统技术领域。将n(100)中阻硅在浓度为40%的HF∶C<Sub>2</Sub>H<Sub>5</Sub>OH＝1∶1的溶液中在一定条件下可以形成...
王连卫吴俊徐
文献传递
硅微通道结构的制作工艺研究
微通道由于有其特殊的结构因而能够应用在很多领域，如微通道板，微全分析系统，微型热传导器件以及微型化工设备等。近年来，由于硅微通道板在增益提高以及图像分辨率改善具有传统中空玻璃纤维无可比拟的优势而倍受重视。电化学刻蚀方法制...
吴俊徐
关键词：微通道电化学刻蚀深刻蚀
文献传递
一种硅的微通道制作方法
本发明涉及一种微机电系统器件制作中的微通道制作方法，属于微电子以及微机电系统技术领域。将n(100)中阻硅在浓度为40％的HF∶C<Sub>2</Sub>H<Sub>5</Sub>OH＝1∶1的溶液中在一定条件下可以形成...
王连卫吴俊徐
文献传递
一种用于硅基MEMS加工的深刻蚀技术被引量：10
2005年
研究了光辅助电化学刻蚀技术,并特别研究了阵列和硅衬底之间的边缘效应。在阵列边缘由于电流分布不均匀以及空穴从孔的侧壁注入,因此可以在边缘区域观察到结构的坍塌,采用一个周期性变化的信号来调制光照的强度,边缘效应会得到一定的抑制。同时,也观察到了硅的电化学深刻蚀工艺中大电流情况下的抛光现象(阳极氧化条件下,硅表面在氢氟酸溶液中快速均匀溶解不形成孔的现象)。光学测试表明,制作的正方格子结构具有光子晶体行为,其光学禁带位于6μm附近。
陈瑜吴俊徐郭平生王连卫M.van der ZwanP.M.Sarro
关键词：电化学刻蚀深孔光子晶体
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