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刘道广

作品数：72 被引量：88H指数：6
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 44篇期刊文章
  • 16篇专利
  • 11篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 56篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 19篇晶体管
  • 12篇异质结
  • 10篇SIGE_H...
  • 9篇半导体
  • 9篇SIGE
  • 8篇HBT
  • 7篇双极晶体管
  • 6篇电路
  • 6篇VDMOS器...
  • 5篇转换器
  • 4篇导通
  • 4篇导通电阻
  • 4篇电阻
  • 4篇氧化层
  • 4篇异质结双极晶...
  • 4篇载流子
  • 4篇迁移率
  • 4篇自对准
  • 4篇扩散
  • 4篇功率

机构

  • 43篇清华大学
  • 17篇中国电子科技...
  • 11篇西安电子科技...
  • 11篇中国电子科技...
  • 6篇北京工业大学
  • 6篇中国电子科技...
  • 3篇扬州国宇电子...
  • 2篇电子科技大学
  • 1篇湖南大学
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇重庆大学
  • 1篇中国空间技术...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇唐山供电公司

作者

  • 72篇刘道广
  • 20篇张静
  • 13篇严利人
  • 12篇周伟松
  • 9篇许军
  • 8篇刘志弘
  • 8篇李开成
  • 8篇万欣
  • 7篇徐世六
  • 7篇徐婉静
  • 7篇郝跃
  • 6篇刘伦才
  • 6篇周卫
  • 6篇刘玉奎
  • 5篇徐学良
  • 5篇梁仁荣
  • 5篇谭开洲
  • 5篇李荣强
  • 5篇王健安
  • 5篇何开全

传媒

  • 27篇微电子学
  • 7篇Journa...
  • 3篇半导体技术
  • 3篇中国电工技术...
  • 2篇西安电子科技...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇2008年中...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇2014`全...
  • 1篇中国电工技术...
  • 1篇2014 电...

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 5篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 6篇2008
  • 5篇2007
  • 14篇2006
  • 8篇2005
  • 5篇2004
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 3篇2000
共 72 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MOS器件开启电压值的贝叶斯统计推断
2020年
在实践中准确地测定和表征出MOS器件样管的开启电压,对于大规模集成电路的设计以及将MOS器件作为分立器件的在电路应用,均是至关重要的。文章采用贝叶斯统计推断工具用于器件输入曲线的处理,从中提取出与器件开启有关的更为精准和深入的信息。建立合适的分层模型,应用基于马尔科夫链蒙特卡罗(MCMC)算法的最大后验估计(MAP),求取目标量的后验分布。这类算法为目前概率与统计领域的最高级算法。将该先进算法引入到IC领域来分析处理所获取的大数据是后摩尔时代的一个发展方向。
严利人刘道广刘志弘梁仁荣
关键词：开启电压最大后验估计后验分布
横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)被引量：1
2007年
从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响。结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著。发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB。
高攀张万荣邱建军杨经纬金冬月谢红云张静张正元刘道广王健安徐学良
关键词：HBTSIGE
具有扩散缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法
本发明公开了属于半导体器件范围的一种具有扩散型缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法。扩散缓冲层快恢复二极管采用两次扩散方法制作缓冲层，在PN结和电极制备之前，首先采用一次磷扩散，在硅片两面生成低浓度和深结深的磷扩散区，...
周伟松刘道广张斌王培清
文献传递
基于AlGaN/GaNHEMT的功率放大器的研究进展被引量：3
2005年
介绍了几类常见的基于AlGaN/GaNHEMT的微波功率放大器;论述了制造微波功率放大器的两种关键工艺技术———倒装芯片集成(FCIC)和共平面线(CPW);分析了自行研制的微波功率放大器核心器件AlGaN/GaNHEMT的性能。
王冲刘道广郝跃张进城
关键词：微波功率放大器微波集成电路ALGAN/GAN
基于NiZn铁氧体磁膜的RF平面微电感
采用与集成电路工艺兼容的硅基工艺，制备了一种基于Ni0.4Cu0.2Zn0.4Fe2O4结构的RF平面微电感，结构形式为SiO2绝缘层/NiCuZn铁氧体磁膜层/SiO2绝缘层/Cu线圈。对Ni0.4Cu0.2Zn0.4...
刘锋杨晨任天令刘理天刘道广
关键词：射频器件金属材料
基于微电子技术的高压大功率NPN开关晶体管技术研究
本文基于微电子技术开发研制出了400V/500A的大功率晶体管又名巨型晶体管（Giant Transistor,简称GTR）。通过电参数测试：VceR≥400V,Vebo≥8V,在Ib=10A条件下测试,Ic最大达到17...
刘道广陈思敏周伟松王均平黄新张斌王培清
关键词：微电子技术大功率晶体管开关晶体管电参数测试
文献传递
基于BiCMOS技术高速数字/模拟转换器研究
本文基于BiCMOS技术,开展了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器位载体,开展了电路设计,工艺制作和测试;在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,...
刘道广舒曼徐婉静徐世六李荣强石建刚何开全刘玉奎谭开州张静杨秋冬钟怡
关键词：集成电路数模转换芯片设计
文献传递
功率金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供了功率金属氧化物半导体场效应晶体管，该功率MOSFET包括：衬底、外延区、阱区、源区、沟道区、栅介质、栅、隔离介质及源极金属，其中，沟道区的掺杂量不低于2e18/cm<Sup>3</Sup>。该功率MOSFET...
万欣周伟松刘道广许军薄涵亮梁仁荣王敬
文献传递
Si/SiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制(英文)被引量：1
2001年
通过理论分析与计算机模拟 ,给出了以提高跨导为目标的 Si/ Si Ge PMOSFET优化设计方法 ,包括栅材料的选择、沟道层中 Ge组分及其分布曲线的确定、栅氧化层及 Si盖帽层厚度的优化和阈值电压的调节 ,基于此已研制出 Si/ Si Ge PMOSFET器件样品 .测试结果表明 ,当沟道长度为 2μm时 ,Si/ Si Ge PMOS器件的跨导为 45 m S/ mm(30 0 K)和 92 m S/ mm (77K) ,而相同结构的全硅器件跨导则为 33m S/ mm (30 0 K)和 39m S/ m m (77K) .
杨沛锋李竞春于奇陈勇谢孟贤杨谟华何林李开成谭开洲刘道广张静易强凡则锐
关键词：锗硅场效应晶体管优化设计PMOS器件
功率半导体器件辐射效应综述被引量：6
2017年
功率半导体器件是航天器电源系统中的核心元件,太空环境中的粒子辐射会使其发生失效。首先,总结了硅功率半导体器件几种主要的辐射效应。然后,介绍了近年来一些新的研究成果和研究热点。最后,对第三代半导体功率器件中的辐射效应进行了简单介绍。
谭桢魏志超孙亚宾万欣晋虎万慧君王敬刘道广许军
关键词：硅功率器件总剂量效应单粒子效应
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