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黎大兵

作品数：232 被引量：48H指数：4
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 191篇专利
  • 29篇期刊文章
  • 10篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 55篇电子电信
  • 24篇理学
  • 8篇一般工业技术
  • 6篇电气工程
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇化学工程
  • 2篇医药卫生
  • 1篇矿业工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇文学

主题

  • 45篇探测器
  • 38篇半导体
  • 30篇光电
  • 30篇衬底
  • 26篇氮化
  • 25篇ALGAN
  • 24篇氮化物
  • 22篇紫外探测
  • 20篇石墨
  • 19篇化物
  • 17篇紫外探测器
  • 17篇红外
  • 16篇电场
  • 16篇石墨烯
  • 15篇金属
  • 13篇禁带
  • 12篇导体
  • 12篇电极
  • 11篇消毒
  • 10篇晶格

机构

  • 210篇中国科学院长...
  • 24篇中国科学院
  • 11篇中国科学院研...
  • 6篇中国科学院大...
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇长春工业大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇吉林财经大学
  • 1篇北京北方华创...

作者

  • 232篇黎大兵
  • 205篇孙晓娟
  • 62篇宋航
  • 61篇蒋红
  • 58篇李志明
  • 58篇陈一仁
  • 56篇缪国庆
  • 28篇张志伟
  • 18篇王占国
  • 17篇刘祥林
  • 7篇陆沅
  • 7篇王晓晖
  • 7篇朱勤生
  • 6篇董逊
  • 5篇张志成
  • 5篇陈涌海
  • 5篇韩培德
  • 5篇李昱峰
  • 5篇杨少延
  • 5篇陈振

传媒

  • 16篇发光学报
  • 7篇人工晶体学报
  • 4篇第十二届全国...
  • 2篇第13届全国...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇北京同步辐射...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 21篇2024
  • 26篇2023
  • 25篇2022
  • 27篇2021
  • 34篇2020
  • 19篇2019
  • 6篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 6篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 15篇2012
  • 5篇2011
  • 9篇2010
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 5篇2004
共 232 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于范德华外延的GaN基单片集成白光LED及其制备方法
本发明提供了一种基于范德华外延的GaN基单片集成白光LED，属于半导体技术以及照明技术领域，从下至上依次包括衬底、第一石墨烯层、AlN或GaN层、n‑GaN层、In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>...
蒋科隋佳恩黎大兵孙晓娟陈洋
文献传递
一种UV-LED自动消毒饮水机
本实用新型提供了一种UV‑LED自动消毒饮水机，其特征在于，包括柜体、水桶、出水龙头、UV‑LED灯珠和传感器，所述柜体上还设有凹槽，水桶垂直连接在柜体上的一端，所述柜体另一端放置地面；所述出水龙头、UV‑LED灯珠和传...
黎大兵王贤君孙晓娟蒋科贲建伟
一种喷淋头清洁装置
本申请提供的喷淋头清洁装置，包括底座、若干个中空针孔、吸污管路及清洗单元，所述底座的前表面设置有所述中空针孔，所述底座内部设置若干个气体通道，任意一个所述气体通道与其中一所述中空针孔相连接，所述中空针孔及所述底座均与待清...
张山丽黎大兵孙晓娟蒋科陈洋
文献传递
缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响被引量：6
2005年
本文研究了低温GaN(LTGaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响。用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LTGaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致。用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LTGaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显。通过分析进一步确认LTGaN缓冲层的最优生长时间。
吴洁君韩修训李杰民黎大兵魏宏远康亭亭王晓晖刘祥林王占国
关键词：GAN蓝宝石衬底MOCVD
基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法
本发明提供了一种基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法，涉及二维材料的应用技术领域。本发明的基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法，包括单层石墨烯薄膜的生长、掺杂层的生成、支撑层的贴附、催化金属衬底的去除...
黎大兵陈洋孙晓娟贾玉萍蒋科石芝铭
文献传递
一种具有浮动场环终端结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法
本发明提供一种具有浮动场环终端结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该二极管从下到上依次包括：欧姆接触金属阴极、衬底、第一外延层、第二外延层、梳状p区、肖特基接触金属阳极和绝缘层；所述的梳状p区包括若...
黎大兵刘新科孙晓娟贾玉萍石芝铭
文献传递
一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法
一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法属于半导体技术领域，解决了AlGaN探测器在高电场下性能崩塌，难以实现雪崩探测的问题。该方法包括如下步骤：选择蓝宝石、硅、碳化硅等用于氮化物外延的衬底材料；在步骤一所述的衬底...
孙晓娟蒋科黎大兵贾玉萍石芝铭刘贺男
文献传递
一种MOCVD用托盘、反应腔、晶圆生长压力调节方法
本发明提供了一种MOCVD用托盘、反应腔、晶圆生长压力调节方法。本发明的MOCVD用托盘，包括：托盘本体，托盘本体上下表面均呈流线型；由于托盘本体上下表面均呈流线型设计，托盘本体的转动过程中，可以通过托盘本体旋转速度的快...
黎大兵张恩韬吕顺鹏贲建伟张山丽孙晓娟蒋科
一种GaN基垂直集成光电子芯片及其制备方法
本发明涉及一种GaN基垂直集成光电子芯片及其制备方法，解决现有GaN集成光电子集成密度不能进一步提高和水平结构结构相同，性能不能达到最优的技术问题。本发明的GaN基垂直集成光电子芯片能实现LED和PD之间的光通讯，在两块...
黎大兵程东碧孙晓娟贾玉萍石芝铭
文献传递
一种消毒送物机器人
本实用新型提供一种消毒送物机器人，包括移动底座和设置在移动底座上的机器人本体。其中，机器人本体包括置物舱和与移动底座及置物舱通信连接的控制系统；置物舱用于放置待递送的物品，置物舱内设置有UV‑LED灯珠，以用于对放入置物...
孙晓娟陈雨轩蒋科黎大兵贲建伟
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