李志明
- 作品数：111 被引量：58H指数：4
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法
- 本发明公开了一种增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，属于半导体技术领域，解决了现有AlGaN基深紫外探测器响应度低的技术问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)生长AlGaN基深紫外探测器材料；(2)在AlGaN基深...
- 黎大兵孙晓娟宋航蒋红李志明陈一仁缪国庆
- 文献传递
- 掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究
- 2000年
- 利用蒸发和溅射工艺 ,研究了 Cd Se- TFT的制作 ,特别对掺 In的 Cd Se- TFT的电性能进行了研究。实验中观察到 Cd Se掺 In后 ,TFT的 I - V特性明显得到改善 ,得到了性能稳定的 TFT器件。利用半导体掺杂理论对此现象进行了解释。
- 景玉梅叶如华李志明李菊生
- 关键词：薄膜晶体管掺杂稳定性硒化镉
- In0．53Ga0．47As/InP红外探测器材料与线列器件
- 采用 LPMOCVD 技术生长了 In
- 缪国庆张铁民金亿鑫蒋红李志明宋航
- 关键词：铟镓砷探测器
- 文献传递
- LP-MOCVD两步生长法制备的InAs_(0.9)Sb_(0.1)/GaAs
- 2007年
- 利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法,在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮,室温载流子浓度为1.9×1017cm-3和迁移率为6214cm2/V.s的InAs0.9Sb0.1。在室温Raman光谱中观察到InAs0.9Sb0.1中InAs(LO)的233cm-1和InSb(LO)的187cm-1两种光学声子行为。
- 谢建春缪国庆金亿鑫张铁民宋航蒋红刘乃康李志明
- 关键词：金属有机化学气相沉积INASSBGAAS
- 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究被引量：11
- 2010年
- 碳纳米管(CNT)和衬底的电学接触问题是获得高性能CNT电子器件的一个关键性的问题。本文采用电泳电镀方法制备CNT冷阴极,有效改善了CNT与衬底间接触电阻,增强了碳纳米管场发射性能。电泳电镀法制备的碳纳米管冷阴极场发射的开启电场(电流密度为10μA.cm-2时的电场)由2.95 V.μm-1降低到1.0V.μm-1,在电场为8V.μm-1时电流密度由0.224增加到0.8112mA.cm-2。在电流密度为800μA.cm-2时进行1h的场发射稳定性测试,结果表明,电泳电镀法所得CNT场发射电子源电流密度几乎不变,而且电流密度比较稳定;而只有电泳的方法获得的CNT场发射电子源电流密度波动较大,电流不稳定且呈较快的衰减趋势,1h后减少到原来的75%。采用电泳电镀方法制备CNT阴极,CNT的根部被纳米银颗粒覆盖和包裹,使CNT与衬底接触更加牢固而紧密,又由于银具有很好的导电性,从而大大减小了接触电阻,因此电泳电镀法能大大改善CNT与衬底的电学接触性能。
- 陈雷锋蒋红宋航赵海峰李志明黎大兵郭万国曹连振刘霞
- 关键词：碳纳米管场发射电泳电镀纳米银颗粒
- 水垢清除仪换能器
- 本实用新型公开了一种水垢清除仪换能器，其进水管和出水管的轴线与换能器体的轴线空间垂直但不相交，并安装在换能器体的两侧，进、出水在换能器内为切向流动。这种结构的换能器能提高水在电磁场中被激化的程度，增强水垢清除仪的功效。
- 谭定鼎马仁祥李志明
- 文献传递
- 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法
- 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，涉及平板场发射真空光电子器件领域，它解决了现有制作绝缘层的工艺复杂，绝缘性差，成品率低的问题，首先利用光刻技术在阴极电极条上做光刻胶占位点，然后旋涂低熔点玻璃浆料，经过烘干、整形...
- 李志明孙晓娟宋航黎大兵陈一仁缪国庆蒋红
- 一种导电氧化物等离激元纳米光学天线及其制备方法
- 本发明提供了一种导电氧化物等离激元纳米光学天线的制备方法，其特征在于，包括：对异质外延的半导体材料进行表面处理；将表面处理后的异质外延的半导体材料与混合物水溶液混合，反应，螺位错诱导自组装生长得到AZO纳米柱；所述混合物...
- 陈一仁张志伟宋航缪国庆蒋红李志明
- 一种场致电子束泵浦紫外光源
- 本发明公开了一种场致电子束泵浦紫外光源，所述场发射电子源包括第一电极、第二电极、n型GaN半导体层、场致发射阴极阵列及第一电源；所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次为所述第二AlN缓冲层、所述n型GaN半导体层；...
- 陈一仁宋航张志伟缪国庆蒋红李志明孙晓娟黎大兵
- 文献传递
- GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性被引量：4
- 2012年
- 制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构紫外探测器,并测量了其暗电流和光谱响应。通过分析其暗电流,发现在反偏情况下,其主要电流输运机制为隧穿复合机制;在正偏情况下,随着偏压的增大,电流输运机制从隧穿机制变为空间电荷限制电流机制。光谱响应测试结果显示,该探测器在-5 V的偏压下,在315 nm处获得了最大响应度170 mA/W,探测度为2.3×1012cm.Hz1/2.W-1。此外,还研究了不同厚度I层对器件光电压的影响,结果表明,光电压受隧穿机制与漏电流机制的共同制约。
- 尤坤宋航黎大兵刘洪波李志明陈一仁蒋红孙晓娟缪国庆
- 关键词：氮化镓氮化硅探测器
