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高国平

作品数：22 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 16篇电路
  • 7篇集成电路
  • 5篇电平转换
  • 5篇电平转换电路
  • 5篇锁存
  • 5篇转换电路
  • 4篇驱动器
  • 4篇热插拔
  • 4篇接反
  • 4篇反相器
  • 4篇ESD保护
  • 4篇插拔
  • 3篇电路结构
  • 3篇电平
  • 3篇电压
  • 3篇端口
  • 3篇输出端
  • 3篇输出端口
  • 3篇输出级
  • 3篇速率

机构

  • 22篇中国电子科技...

作者

  • 22篇高国平
  • 7篇罗静
  • 5篇王栋
  • 3篇周毅
  • 3篇周晓彬
  • 2篇徐睿
  • 2篇刘士全
  • 2篇胡庆成
  • 1篇李博
  • 1篇韩兆芳
  • 1篇孙云华
  • 1篇曹燕杰
  • 1篇陈菊
  • 1篇蒋婷

传媒

  • 2篇电子与封装
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 5篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种适用于常规CMOS工艺的过温保护结构
本发明公开一种适用于常规CMOS工艺的过温保护结构，属于集成电路技术领域。所述适用于常规CMOS工艺的过温保护结构通过常规CMOS工艺中普通的PMOS管和NMOS管以及寄生PNP管构成，可集成于电路内部，从而输出控制信号...
贺凌炜高国平王栋徐睿
文献传递
一种驱动器使能的热插拔结构
本发明公开一种驱动器使能的热插拔结构，属于集成电路领域，包括NMOS管N1～N3、反相器INV1～INV3、电阻R1、电容C1、上电电路和锁存器；锁存器的第一输入端和所述电阻R1的第一端均接入DE信号，所述电阻R1的第二...
喻丹高国平于群
支持冷备份应用的CMOS输出缓冲电路
本申请揭示了一种支持冷备份应用的CMOS输出缓冲电路，属于集成电路I/O端口设计领域。该CMOS输出缓冲电路通过采用普通的PMOS和NMOS以及合理的电路设计，使得CMOS输出缓冲电路在实现I/O端口的冷备份的同时，避免...
高国平贺凌炜罗静王栋
一种基于部分耗尽型SOI工艺的ESD保护结构
本实用新型涉及一种基于部分耗尽型SOI工艺的ESD保护结构，其使用SOI工艺中普通的增强型PMOS管，不需做衬底接触，使用PMOS管源端的P+/N阱寄生二极管对N阱进行偏置；PMOS管的栅极使用钳位电路进行偏置。提高了利...
高国平周毅罗静
文献传递
一种支持预置位的高速电平转换结构
本发明公开一种支持预置位的高速电平转换结构，属于集成电路I/O端口设计领域。本发明的高速电平转换结构中添加了2组反相器和两组倒比管，有效地利用电路现态和次态之间的延时，实现了转换过程中的预开启和预关闭；同时通过预关闭将传...
万璐绪程雪峰高国平胡庆成
一种电压锁存式电平转换电路
本发明公开一种电压锁存式电平转换电路，属于集成电路领域，包括由电源1做电压源的反相器、由电源2做电压源的电平转换单元和由电源2做电压源的输出缓冲器；所述反相器为所述电平转换单元提供一组反向信号；所述电平转换单元接受输入的...
唐方兴高国平刘士全
文献传递
一种基于NMOS上拉驱动器的热插拔结构
本发明公开一种基于NMOS上拉驱动器的热插拔结构，属于集成电路I/O端口领域，输入端A接反相器INV1的输入端，所述反相器INV1的输出端同时接NMOS管N1的漏端和NMOS管N3的栅端；NMOS管N3的漏端接电源VCC...
喻丹高国平于群
一种基于NMOS上拉驱动器的热插拔结构
本发明公开一种基于NMOS上拉驱动器的热插拔结构，属于集成电路I/O端口领域，输入端A接反相器INV1的输入端，所述反相器INV1的输出端同时接NMOS管N1的漏端和NMOS管N3的栅端；NMOS管N3的漏端接电源VCC...
喻丹高国平于群
文献传递
一种电压锁存式电平转换电路
本发明公开一种电压锁存式电平转换电路，属于集成电路领域，包括由电源1做电压源的反相器、由电源2做电压源的电平转换单元和由电源2做电压源的输出缓冲器；所述反相器为所述电平转换单元提供一组反向信号；所述电平转换单元接受输入的...
唐方兴高国平刘士全
电路级热载流子效应仿真研究被引量：1
2014年
随着集成电路制造工艺的不断进步,沟道长度、结深、栅氧厚度等特征尺寸不断减小,而电路的电源电压没有按比例减小,易造成MOSFET的电流-电压特性退化,需要提前在设计阶段加以考虑。对电路长期可靠性问题中的热载流子效应(HCI)进行了仿真研究。
高国平曹燕杰周晓彬陈菊
关键词：热载流子效应MOSFETIC
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