钱家骏
- 作品数：21 被引量：43H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院院长基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程机械工程更多>>
- 1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究
- 2000年
- 介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88％,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出。
- 钱家骏叶小玲徐波韩勤陈涌海丁鼎梁基本刘峰奇张金福张秀兰王占国
- 关键词：INAS/GAAS量子点激光器电致发光谱光学特性
- 应变自组装量子点材料与量子点激光器被引量：1
- 2000年
- 半导体应变自组装外延生长量子点结构是目前最有前途的量子点制备方法。本文简要叙述了半导体量子点结构的基本原理、制备和应用,讨论了改善量子点激光器性能的关键问题及进一步发展的趋势。
- 钱家骏
- 关键词：半导体量子点激光器
- Ce-Si多层膜中铈硅化物的形成被引量：1
- 1990年
- 超高真空条件下,在Si(100)衬底上相间蒸镀稀土金属铈(200埃)和硅(200埃)薄膜,形成多层膜结构,并对其进行恒温炉退火和红外快速退火处理。然后利用AES、RBS、XRD和TEM等分析技术对所得各样品进行分析,发现Ce-Si多层膜在150℃的低温下经2小时退火即可发生反应,形成混合层。随着退火温度从150℃上升,CeSi_2逐步形成,并在300—400℃之间完全反应。经RBS确定的化学配比为CeSi_(～1.73)。在150—400℃ CeSi,的形成过程中,选区衍射分析发现,在低温时薄膜中有些区域就存在小晶粒,但直到900℃10秒退火后,薄膜也只是多晶,而并未发现单晶外延迹象。
- 何杰许振嘉钱家骏王玉田王佑祥
- 关键词：多层膜
- InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性
- 2005年
- 利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为1.08μm,阈值电流密度为144A/cm2,连续波光功率输出达2.67W(双面),外量子效率为63%,特征温度为320K.研究了QD激光器翟激射特性,并对结果作了讨论.
- 钱家骏叶小玲陈涌海徐波韩勤王占国
- 关键词：量子点激光器MBE生长
- 应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件的发光特性研究
- 本文采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,并用量子点材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光与器件的电致发光特性.条宽100μm腔长为1.6mm,腔面未镀膜激光二极管室温下最大光功率输...
- 钱家骏徐波陈涌海叶小玲王占国
- 关键词：量子点激光器激光二极管发光特性
- 文献传递
- 应变自组装InAs／GaAs量子点材料与器件光学性质研究被引量：2
- 2003年
- 采用MBE技术生长应变自组装InAs／GaAs量子点微结构材料，以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管，研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性，条宽为100μm、腔长为1.6mm，腔面未经镀膜的量子点激光二极管，室温下最大光功率输出为2．74W。
- 钱家骏徐波陈涌海叶小玲韩勤王占国
- 关键词：电致发光谱量子点激光器MBE生长
- 应变自组装InAlAs量子点材料和红光量子点激光器被引量：2
- 2002年
- 通过提高量子点材料的质量和优化量子点激光器材料的结构 ,研制出高质量的应变自组装 In Al As/Al Ga As/Ga As量子点材料和低温连续激射的红光量子点激光器。
- 徐波刘会赟王占国韩勤钱家骏梁基本丁鼎刘峰奇张金福张秀兰
- 关键词：量子点材料量子点量子点激光器半导体
- 直拉硅单晶中的氧沉淀
- 1985年
- 钱家骏崔树范
- 关键词：堆垛层错层错面缺陷热力学势
- 新型材料——单原子石墨膜被引量：1
- 2012年
- graphene是按蜂房结构密集排列的单原子层碳薄膜二维材料。它的π键(价带)与π*键(导带),在蜂房结构晶格布里渊区顶角两个不等价点互相接触。荷电载流子显现极高的本征迁移率,在室温下,能在亚微米距离弹道运行而不受到散射。它是世界上最薄的电子材料,可制备超高频晶体管。文章分析了近年对graphene材料的研究和应用情况,试图探索今后的发展方向,还讨论了graphene的中文译名。
- 钱家骏
- 关键词：GRAPHENE石墨烯新型材料
- 高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究
- 1997年
- 利用光热电离谱技术研究了4．5K下高纯n－GaAs外延材料的远红外光电导响应借．给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质．实验结果表明本所高纯GaAs组采用的LPE生长技术能有效抑制杂质St和Sn的沾污．
- 钱家骏陈涌海孙明方王占国林兰英
- 关键词：砷化镓
