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郁芳

作品数:5 被引量:16H指数:4
供职机构:上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:核科学技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇核科学技术

主题

  • 5篇CDZNTE
  • 4篇晶体
  • 3篇有限元
  • 3篇CDZNTE...
  • 2篇有限元法
  • 1篇钝化
  • 1篇钝化处理
  • 1篇优化设计
  • 1篇有限元分析
  • 1篇有限元模拟
  • 1篇探测器
  • 1篇热分析
  • 1篇坩埚
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片封装
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇晶体生长
  • 1篇封装
  • 1篇辐射探测器

机构

  • 5篇上海大学

作者

  • 5篇郁芳
  • 4篇李万万
  • 4篇桑文斌
  • 3篇张斌
  • 3篇王昆黍
  • 3篇闵嘉华
  • 2篇曹泽淳
  • 1篇滕建勇

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2004
  • 3篇2003
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
有限元模拟对CdZnTe共面栅探测器的优化设计被引量:4
2003年
利用有限元分析软件ANSYS,通过变化栅宽、沟宽及栅极位置等因素,模拟了共面栅探测器在不同的电极设计时的电势分布,并讨论了电极分布不对称时所产生的边缘效应对感应信号的影响,显示了具有优化设计的共面栅电极,可以进一步提高探测器的能量分辨率。
郁芳桑文斌李万万滕建勇
关键词:CDZNTE有限元分析
垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时固液界面形状的控制被引量:4
2004年
采用有限元法对探测器材料 Cd Zn Te的晶体生长过程进行了热分析 ,研究了不同因素对生长过程中固液界面形状的影响 .模拟结果表明 ,当坩埚下降速度约为 1m m/ h时 ,可获得接近水平的固 -液界面 .晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致 .因此 ,通过适当选择和调节坩埚下降速度可获得高质量晶体 .
李万万桑文斌闵嘉华郁芳张斌王昆黍曹泽淳
关键词:CDZNTE有限元法
CdZnTe的晶体生长、器件设计的模拟以及vfBGA封装内部芯片断裂的研究
该文分为两部分,其中第一部分着重于CdZnTe的晶体生长研究以及共面栅器件电极的优化设计,而第二部分则主要是针对vfBGA集成电路芯片在外加载荷作用下断裂问题的研究.研究结果如下:在第一部分中,采用有限元法对CdZnTe...
郁芳
关键词:辐射探测器CDZNTE热分析芯片封装
文献传递
垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时坩埚下降速度的优化研究被引量:4
2004年
在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响。本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因。模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面。实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致。因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案。
李万万桑文斌闵嘉华郁芳张斌王昆黍曹泽淳
关键词:CDZNTE有限元法
钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响被引量:6
2003年
表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能 ,尤其对于共面栅探测器 ,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。研究了化学钝化的工艺条件对CdZnTe表面状态的影响 ,借助原子力显微镜、电子探针和微电流测试仪等手段 ,研究了CZT表面形貌、组成等特性与器件电学性能之间的关系 。
李万万桑文斌闵嘉华郁芳张斌王昆黍
关键词:CDZNTE晶体Γ射线探测器钝化处理漏电流
共1页<1>
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