邵科
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应研究
- SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性，这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照等方面有着广泛的应用前景。因而以4H—SiC材料制作的功率微波器件——金属半导体场效应晶体管（M...
- 邵科
- 关键词：4H-SICMESFET金属半导体场效应晶体管干法刻蚀工艺
- 文献传递
- 陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响
- 2008年
- 针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数Rds″、gm″、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既有正向偏移,也有负向偏移.偏移频率在室温下不足1Hz,但在600K的温度下则可达到MHz的量级.结合自热效应模型,论文还分析了栅、漏极偏置和温度对器件频率偏移特性的影响.模拟结果表明,随着温度的上升,偏移频段上升.本文的模拟分析对器件的设计提供了理论上的依据.
- 吕红亮张义门张玉明车勇王悦湖邵科
- 关键词：碳化硅MESFET频率特性
- 基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析被引量：1
- 2007年
- 在建立正确模型的基础上,运用ISE软件的二维仿真,模拟了4H-SiC MESFET在交流小信号条件下,表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率变化的影响。分析了产生频散效应的原因以及内部机理,同时考虑了不同环境温度对跨导的频散影响。结果表明,在低频条件下,陷阱会导致跨导和漏电导频散,漏电压越大,环境温度越高,频散越不明显。
- 邵科曹全军张义门张玉明孙明
- 关键词：4H-SICMESFET跨导频散
- 4H-SiC BJT增益稳定性模拟研究
- 基于4H-SiC材料特性，在ISE仿真软件中建立4H-SiC BJT器件模型。该模型包含SiC/SiO2界面态和发射区-基区界面态，较好地反映了实际器件的直流工作特性。利用该模型分析了两种界面态对电流增益稳定性的影响，证...
- 孙明张玉明张义门吕红亮邵科
- 关键词：双极性晶体管稳定性分析电学性能数值模拟
