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裴素华

作品数:51 被引量:62H指数:5
供职机构:山东师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术轻工技术与工程建筑科学更多>>

文献类型

  • 35篇期刊文章
  • 14篇专利
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 30篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇理学

主题

  • 14篇气敏
  • 12篇GA
  • 10篇晶闸管
  • 8篇气敏器件
  • 8篇半导体
  • 8篇TIO
  • 7篇动物
  • 7篇动物食品
  • 7篇负阻
  • 6篇晶体管
  • 5篇气敏元件
  • 5篇感器
  • 5篇半导体器件
  • 5篇SIO
  • 5篇掺杂
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇电力半导体
  • 4篇电力半导体器...
  • 4篇氧化钛

机构

  • 49篇山东师范大学
  • 5篇北京电力电子...
  • 3篇山东交通学院
  • 2篇吉林大学
  • 2篇山东工业大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇山东大学

作者

  • 51篇裴素华
  • 17篇黄萍
  • 14篇孙海波
  • 10篇薛成山
  • 6篇周忠平
  • 6篇修显武
  • 5篇赵善麒
  • 4篇于连英
  • 4篇江玉清
  • 3篇张晓华
  • 3篇程文雍
  • 2篇朱俊孔
  • 2篇郭兴龙
  • 2篇张庆范
  • 2篇李秀琴
  • 2篇孟繁英
  • 2篇孙振翠
  • 2篇赵富贤
  • 2篇张美娜
  • 2篇杨利

传媒

  • 7篇稀有金属材料...
  • 4篇固体电子学研...
  • 3篇电力电子技术
  • 3篇科学技术与工...
  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇传感技术学报
  • 1篇传感器技术
  • 1篇河北师范大学...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇科技通讯(上...
  • 1篇山东师范大学...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2008
  • 5篇2007
  • 8篇2006
  • 11篇2005
  • 4篇2004
  • 4篇2003
  • 3篇2002
  • 1篇1999
  • 5篇1998
  • 4篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1990
  • 1篇1989
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Ga,B元素的分凝特性与负阻效应
Ga,B扩散制得高反压晶体管普遍存有负阻现象,而Ga基区晶体管负阻较为明显;本文借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对Ga,B元素在SiO-Si界面中的分凝特性进行研究,发现负阻效应的存在及其大小与...
修显武裴素华孙海波
关键词:负阻效应
文献传递
γ-Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基苯类气体敏感器件及其制造方法
γ-Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基苯类气体敏感器件及其制造方法,属于金属氧化物半导体一类气敏传感器及制作技术领域。γ-Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基苯类气体敏感器件,管...
裴素华周忠平
文献传递
叠加式敏感层甲醛气敏器件及其制作方法
叠加式敏感层甲醛气敏器件及其制作方法,属于金属氧化物半导体气敏元件技术领域。采用旁热式器件结构,以Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷管为载体,外表面采用梳状式Au电极,敏感层为内敏感膜和外敏感膜叠...
裴素华黄萍朱俊孔岳彬
文献传递
一种高反压低负阻硅晶体管的制造方法
高反压低负阻硅晶体管的制造方法,属于高反压晶体三极管的制造技术领域。包括N型抛光硅片的清洁处理,一次氧化,基区开管扩镓,一次光刻及后序常规工艺,在开管扩镓之后,一次光刻之前,采用低压气相沉积的方法在SiO<Sub>2</...
裴素华
文献传递
一种高反压低负阻硅晶体管的制造方法
高反压低负阻硅晶体管的制造方法,属于高反压晶体三极管的制造技术领域。包括N型抛光硅片的清洁处理,一次氧化,基区开管扩镓,一次光刻及后序常规工艺,在开管扩镓之后,一次光刻之前,采用低压气相沉积的方法在SiO<Sub>2</...
裴素华
文献传递
低阻TiO_2基三甲胺气体传感器性能分析被引量:3
2005年
按旁热式结构采用以TiO2为基质对InSb2O3Nb2O5氧化物不同的重量比去掺杂研制成的三甲胺(TMA)气体传感器,大幅度降低了加热功率和其在空气中的阻值,器件对响应TMA气体具有灵敏度高、响应时间快、恢复时间短、长期稳定等特点,对干扰气体NH3具有良好的选择性。
黄萍裴素华孙海波于连英李秀琴
关键词:气体传感器敏感元件三甲胺
一种新型动物食品鲜度测量传感器件In/TiO_2·Nb_2O_5的研究被引量:7
1999年
用 Nb2O5对TiO2半导化和金属 In的增感而研制成的 In/TiO2· Nb2O5复合氧化物动物食品鲜度测量传感器件,具有灵敏度高,工作温度低和响应动态范围宽等特点,该项研究为非破坏性、快速、准确地检测生物鲜度创造了一条新途径。
裴素华薛成山周忠平孟繁英吴家琨
关键词:动物食品
有机气体敏感元件研究
裴素华周忠平于绥贞薛成山
该研究对保障劳动者的人身安全和健康,减少集体中毒事件发生,促进生产有重要的经济和社会意义。
关键词:
关键词:敏感元件有机气体
P型杂质Ga在SiO_2-Si内界面分凝规律研究
2003年
采用开管方式和SiO_2/Si系统,实现了P型杂质Ca在硅中的可控制掺杂。借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Ga的杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ca在SiO_2-Si内界面Si一侧最低浓度值随时间变化的表达式。为全面理解Ga的扩散特性和建立开管扩Ga模型奠定了基础。
裴素华修显武孙海波周忠平张晓华
关键词:GA掺杂半导体器件
开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性被引量:6
1997年
对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne/Nb,降低器件通态压降进行了理论分析;叙述了开管Ga扩散技术的特点,并与闭管Ga扩散和B-A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明,用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管,可明显改善器件的通态伏安特性。
裴素华薛成山赵善麒
关键词:晶闸管快速晶闸管通态特性
共6页<123456>
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