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胡迪

作品数:7 被引量:6H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 5篇阳极氧化铝
  • 5篇氧化铝模板
  • 4篇多孔
  • 4篇阳极氧化铝模...
  • 3篇多孔氧化铝
  • 3篇多孔氧化铝模...
  • 3篇氧化铝薄膜
  • 2篇多孔氧化铝薄...
  • 2篇多孔氧化铝膜
  • 2篇氧化铝
  • 2篇氧化铝膜
  • 2篇基片
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇DNA
  • 2篇超薄
  • 1篇多孔阳极氧化...
  • 1篇多孔阳极氧化...
  • 1篇制作方法
  • 1篇生物芯片

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇胡迪
  • 4篇白安琪
  • 4篇成步文
  • 3篇俞育德
  • 3篇薛春来
  • 2篇余金中
  • 2篇任鲁风
  • 2篇李运涛
  • 2篇王启明
  • 2篇于军
  • 2篇王启明
  • 1篇樊中朝
  • 1篇丁武昌
  • 1篇胡炜玄
  • 1篇苏少坚

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇2011
  • 4篇2009
  • 2篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
用阳极氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法
一种利用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法,包括如下步骤:1:取一铝片,清洗和抛光;2:利用阳极氧化铝的方法在铝片上第一次阳极氧化,制作多孔氧化铝膜;3:将第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝膜溶解掉;4:利用阳极氧...
胡迪白安琪薛春来成步文王启明
文献传递
高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法
一种高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:在铝或铝合金薄膜表面采用阳极氧化方法制作高密度多孔氧化铝模板;步骤2:将多孔氧化铝模板从铝或铝合金薄膜表面上剥离;步骤3:将多孔氧化铝模板转移至...
李运涛俞育德余金中于军胡迪任鲁风
文献传递
用阳极氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法
一种利用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法,包括如下步骤:1:取一铝片,清洗和抛光;2:利用阳极氧化铝的方法在铝片上第一次阳极氧化,制作多孔氧化铝膜;3:将第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝膜溶解掉;4:利用阳极氧...
胡迪白安琪薛春来成步文王启明
文献传递
超薄阳极氧化铝模板的研究和制备
纳米尺寸结构材料的生长和加工可显著改善材料在光、电、磁等方面的性能而越来越受到人们的重视。常用的制备纳米结构材料的方法有自组织生长、电子束光刻、纳米压印等。但是,这些方法对工艺和设备要求太高,且产率低,不适合实际应用中的...
胡迪
高密度DNA测序芯片及其制作方法
一种高密度DNA测序芯片,其特征在于,包括:一氧化铝薄膜,该氧化铝薄膜上制备有蜂巢状的通孔;一DNA测序芯片的基片;其中该氧化铝薄膜上的蜂巢状的通孔是采用阳极氧化方法形成,将该氧化铝薄膜直接转移至DNA测序芯片的基片的表...
李运涛俞育德余金中于军胡迪任鲁风
文献传递
用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构被引量:2
2009年
用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500—1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜(SEM)测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序,孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光(PL)测试,结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光,并实现了显著发光增强,对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用这一途径改变硅的弱发光性质,乃至实现硅基高效发光带来曙光.
白安琪胡迪丁武昌苏少坚胡炜玄薛春来樊中朝成步文俞育德王启明
关键词:多孔阳极氧化铝模板
超薄阳极氧化铝模版的制备被引量:4
2008年
采用二次阳极氧化铝的方法制备出厚度仅为509 nm超薄多孔阳极氧化铝模版,氧化铝模版上孔洞大小均匀,呈完美的六角分布,孔径为35 nm左右,孔间距约为100 nm。成功地将多孔阳极氧化铝模版转移到硅衬底上,并在磷酸溶液中通孔,使薄膜上小孔双向贯通。可以十分方便的利用该模版合成纳米点、纳米柱等纳米结构。
胡迪白安琪成步文王启明
关键词:阳极氧化铝超薄
共1页<1>
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