白安琪
- 作品数：9 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 用阳极氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法
- 一种利用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法，包括如下步骤：1：取一铝片，清洗和抛光；2：利用阳极氧化铝的方法在铝片上第一次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；3：将第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝膜溶解掉；4：利用阳极氧...
- 胡迪白安琪薛春来成步文王启明
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- 半导体纳米柱阵列结构的制作方法
- 一种半导体纳米柱阵列结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一半导体衬底上生长铝层；步骤2：对铝层进行阳极氧化，形成孔洞由表面直达半导体衬底，形成多孔氧化铝膜；步骤3：在多孔氧化铝膜的表面淀积金属，在多孔氧化铝膜的孔洞内...
- 白安琪成步文左玉华王启明
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- 硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管
- 2010年
- 目前，硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破，并且与现有的微电子工艺完全兼容：硅基光波导在光通讯波段可以实现对光场的强限制以及低损耗传输；通过外延高质量的锗薄膜，实现了近红外波段的高速高量子效率的硅基光探测器；调制速率高达30GHz的基于硅基载流子等离子体色散效应的硅调制器也已经有报导。
- 胡炜玄成步文薛春来薛海韵苏少坚白安琪罗丽萍俞育德王启明
- 关键词：发光二极管硅基电流注入异质结室温
- 用阳极氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法
- 一种利用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法，包括如下步骤：1：取一铝片，清洗和抛光；2：利用阳极氧化铝的方法在铝片上第一次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；3：将第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝膜溶解掉；4：利用阳极氧...
- 胡迪白安琪薛春来成步文王启明
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- 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法
- 本发明提供一种在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法，包括如下步骤：步骤1：在Si衬底上生长一层第一Ge材料层；步骤2：在第一Ge材料层上生长一层第二Ge材料层；步骤3：在第二Ge材料层上生长一层第一GeSn合金层...
- 苏少坚汪巍成步文王启明张广泽胡炜玄白安琪薛春来左玉华
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- 用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构被引量：2
- 2009年
- 用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500—1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜(SEM)测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序,孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光(PL)测试,结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光,并实现了显著发光增强,对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用这一途径改变硅的弱发光性质,乃至实现硅基高效发光带来曙光.
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- 关键词：多孔阳极氧化铝模板
- 超薄阳极氧化铝模版的制备被引量：4
- 2008年
- 采用二次阳极氧化铝的方法制备出厚度仅为509 nm超薄多孔阳极氧化铝模版,氧化铝模版上孔洞大小均匀,呈完美的六角分布,孔径为35 nm左右,孔间距约为100 nm。成功地将多孔阳极氧化铝模版转移到硅衬底上,并在磷酸溶液中通孔,使薄膜上小孔双向贯通。可以十分方便的利用该模版合成纳米点、纳米柱等纳米结构。
- 胡迪白安琪成步文王启明
- 关键词：阳极氧化铝超薄
- GeSn合金的外延生长方法
- 一种GeSn合金的外延生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一Sn固体金属作为Sn源材料置入真空腔的Sn固体源炉中；步骤2：将一衬底置入分子束外延源炉的真空腔的加热器上，对真空腔抽真空，对衬底加热；步骤3：对Sn固体金属加热...
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- Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜被引量：5
- 2011年
- 使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge0.975Sn0.025合金薄膜在500℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用.
- 苏少坚汪巍张广泽胡炜玄白安琪薛春来左玉华成步文王启明
- 关键词：分子束外延
