胡海洋
- 作品数：14 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaAs基光子晶体垂直腔面发射激光器被引量：2
- 2007年
- 成功研制了光子晶体垂直腔面发射激光器，实现了连续电注入激射，工作波长为850nm，最小阈值为2mA，最大阈值为13．5mA，其中光子晶体的晶格常数在0．5～3μm范围，占空比在0.3～0．7范围．发现器件能否激射依赖于光子晶体参数，而激光器的阈值、出射功率、出射模式与光子晶体的晶格常数、占空比、缺陷大小等因素有关．
- 许兴胜王春霞宋倩杜伟胡海洋赵致民鲁琳阚强陈弘达
- 关键词：光子晶体垂直腔面发射激光器单模
- 一维光子晶体全向反射镜
- 提出了一维光子晶体的一种重要应用,分析了一维光子晶体全向反射镜的原理,总结了全向反射镜的种类,并展望了其发展状况。
- 杜伟许兴胜王春霞胡海洋宋倩鲁琳陈弘达
- 关键词：一维光子晶体带隙微波器件
- 文献传递
- 利用常规工艺实现光子晶体GaN LED出光效率的提高
- 计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED.经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上.另外,还...
- 胡海洋许兴胜鲁琳宋倩杜伟王春霞陈弘达
- 关键词：光子晶体氮化镓蓝光发光二极管ICP感应耦合等离子体刻蚀
- 文献传递
- AlGaAs/GaAsHBT的设计与研制
- 2005年
- 分析了AlGaAs/GaAsHBT的原理和材料结构,详细介绍了AlGaAs/GaAsHBT的器件结构及工艺流程,并对两方面进行了优化,研制出了特性较好的AlGaAs/GaAsHBT,其电流放大系数达到180,是目前国内报道的最高水平;开启电压小于0.3V.
- 胡海蓉牛萍娟胡海洋郭维廉
- 关键词：ALGAAS/GAAS异质结双极晶体管
- 制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法
- 一种制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法，包括：在衬底上依次外延N－GaN层、有源层和P－GaN层，形成GaN基LED的材料结构；在GaN基LED的材料结构上的P－GaN层上生长ITO层；在ITO层上淀积一层SiO<...
- 陈弘达胡海洋
- 文献传递
- 光子晶体垂直腔面发射850nm波长激光器研究被引量：4
- 2007年
- 文章报道了国内首次研制成功的光子晶体垂直腔面发射850nm波长激光器,实现了连续电注入激射.发现器件能否激射直接依赖于光子晶体结构参数,而激光器的阈值、输出功率、输出模式等与光子晶体的晶格常数、占空比、腔的大小等因素有关.
- 许兴胜王春霞杜伟赵致民胡海洋宋倩鲁琳阚强陈弘达
- 关键词：光子晶体垂直腔面发射激光器单模
- 电子束光刻及深紫外光刻制作硅基光子晶体的对比研究
- 随着电子束光刻及深紫外光刻的方法更多的应用到纳米光子器件制作中,使得光器件的体积大大缩小,越来越多的功能可以集成到同一个光子集成回路中.本文深入的研究了电子束光刻工艺方法及深紫外光刻工艺方法的基本原理及工艺过程,并同时将...
- 王春霞许兴胜韩伟华杜伟宋倩胡海洋陈弘达
- 关键词：电子束光刻光子晶体光器件
- 文献传递
- 光子晶体垂直腔型表面发射和接收光电子器件
- 2007年
- 介绍了制作光子晶体垂直腔面发射激光器实验研究的主要内容,包括材料的光谱测试分析、氧化工艺以及制作光子晶体等,成功制作了波长在980nm附近的光子晶体垂直腔面发射激光器.在此基础上,采用高精度湿法腐蚀和感应耦合等离子体干法刻蚀技术,研究制作了基于垂直腔面发射激光器外延材料的光子晶体谐振腔增强型探测器.
- 宋倩许兴胜胡海洋鲁琳王春霞杜伟刘发民陈弘达
- 关键词：光子晶体垂直腔面发射激光器谐振腔增强型光电探测器
- AlGaAs/GaAs HBT的结构与工艺改进
- 在原有的异质结双极晶体管(HBT)器件结构及工艺基础上进行改进,利用湿法刻蚀自对准工艺设计制作了AlGaAs/GaAs HBT.经过实验对比;工艺改进前后,在相同的J<,C>=3.25×10<'4>A/cm<'2>情况下...
- 胡海洋牛萍娟董宏伟王文新周均铭
- 关键词：GAAS双极晶体管湿法刻蚀自对准工艺
- 文献传递
- 制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法
- 一种制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法，包括：在衬底上依次外延N-GaN层、有源层和P-GaN层，形成GaN基LED的材料结构；在GaN基LED的材料结构上的P-GaN层上生长ITO层；在ITO层上淀积一层SiO<...
- 陈弘达胡海洋
- 文献传递
