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王春霞
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43
被引量:37
H指数:4
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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国家高技术研究发展计划
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电子电信
理学
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合作作者
陈弘达
北京工业大学
阚强
北京工业大学
许兴胜
中国科学院半导体研究所
解意洋
北京工业大学电子信息与控制工程...
杜伟
中国科学院半导体研究所
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王春霞
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解意洋
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徐晨
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8篇
刘宏伟
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低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器,属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区结构。同时...
徐晨
解意洋
王宝强
刘英明
阚强
王春霞
文献传递
双环结构微纳生物传感器及其制作方法
一种双环结构的微纳生物传感器,包括:一SOI基片,该SOI基片的顶层为顶层硅;一双环结构,该双环结构形成于SOI基片的顶层硅上;一输入波导和一输出波导,该输入波导和输出波导位于双环结构的两侧,并形成于SOI基片的顶层硅上...
苏保青
王春霞
阚强
李俊华
解意洋
王真真
陈弘达
文献传递
一种优化光子晶体面发射激光器方法
一种优化光子晶体面发射激光器方法属于半导体光电子技术领域。所述方法在氧化限制型面发射激光器和二维光子晶体横向耦合基础的上将氧化孔径与光子晶体缺陷孔径纵向匹配耦合。通过优化氧化孔径和光子晶体缺陷孔径的关系,制备氧化孔径比光...
徐晨
解意洋
朱彦旭
邓军
毛明明
魏思民
曹田
阚强
王春霞
陈弘达
文献传递
一种制作纳米压印印章的方法
本发明公开了一种制作纳米压印印章的方法,该方法通过电子束曝光在电子束胶上得到纳米图形,利用金属蒸发和电镀的方法将该纳米图形填充后转移到金属表面,然后将带有微纳结构的金属镀膜转移粘附在金属衬底上,得到可重复使用的纳米压印印...
刘宏伟
阚强
王春霞
陈弘达
多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器
本发明属于光电子领域,是多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器。依次包括有在衬底上依次生长下DBR,有源区,氧化限制层,上DBR和P型欧姆接触层,氧化限制层设有氧化孔;其特征在于:在上DBR和P型欧姆接触层中刻蚀出光子晶体空...
徐晨
解意洋
邓军
朱彦旭
魏思民
毛明明
曹田
阚强
王春霞
陈弘达
文献传递
外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同...
沈光地
徐晨
解意洋
陈弘达
阚强
王春霞
刘英明
王宝强
文献传递
利用常规工艺实现光子晶体GaN LED出光效率的提高
计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED.经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上.另外,还...
胡海洋
许兴胜
鲁琳
宋倩
杜伟
王春霞
陈弘达
关键词:
光子晶体
氮化镓
蓝光发光二极管
ICP
感应耦合等离子体刻蚀
文献传递
含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法
一种含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法,包括在硅衬底晶片上生长富硅氮化硅层;采用高温退火的方法,使富硅氮化硅层中的富硅形成纳米晶硅,该富硅氮化硅层变为富含纳米晶硅的氮化硅层;定义发光区域,通过干法刻蚀形成有源区...
王春霞
高洪生
阚强
陈弘达
文献传递
基于相位检测的表面等离子体共振传感装置
本发明公开了一种基于相位检测的表面等离子体共振传感装置,包括激光光源、光纤、准直器、起偏器、传感部件、分光器、反光镜、光栅光谱仪以及计算机;其中,激光光源发出的水平方向的光经过光纤传输及准直器准直后由起偏器起偏,得到p偏...
陈弘达
李俊华
阚强
王春霞
苏保青
解意洋
王真真
介质光栅结构单波长反射光吸收传感芯片及其制造方法
本发明公开了一种介质光栅结构单波长反射光吸收传感芯片及其制造方法。该介质光栅结构单波长反射光吸收传感芯片自下至上依次包括石英衬底、SiO<Sub>2</Sub>+TiO<Sub>2</Sub>双层光栅结构和微流通道,其中...
王春霞
王真真
阚强
陈弘达
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