秦国宾
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
- 供职机构：广西大学计算机与电子信息学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 2.4GHz CMOS线性功率放大器设计被引量：2
- 2010年
- 利用双重器件提高线性度的方法,设计了一个两级电路结构的线性功率放大器,可应用于蓝牙系统发射模块。电路基于台基电公司(TSMC)0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行设计,该功率放大器的中心工作频率为2.4GHz,利用ADS2008U2对电路进行模拟仿真。仿真结果显示,当输入信号功率为-7.8dBm时,功率增益为30.6dB,功率附加效率为26.67%,1dB压缩点输出功率为22.79dBm,具有很高的线性度。
- 秦国宾王宁章
- 关键词：CMOS线性度功率放大器
- 一种低压压敏陶瓷材料及其制备方法
- 本发明涉及一种低压压敏陶瓷材料及其制备方法，该材料含A、B两组分及含量按质量百分比为：A.57.4％SrO+40.7％TiO<Sub>2</Sub>+0.7％Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>+0.8...
- 王宁章马玉田沙沙秦国宾
- 文献传递
- 3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计被引量：2
- 2011年
- 提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA)。电路由窄带PCSNIMLNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明,在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW。在3 GHz～5 GHz的超宽带频段内,增益约为13.5 dB,输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB,噪声系数(NF)为0.875 dB～4.072 dB,三阶交调点IIP3均值为5.35 dB。
- 王宁章唐江波秦国宾卢安栋罗婕思
- 关键词：CMOS超宽带低噪声放大器
- CMOS射频线性功率放大器设计
- 提高功率放大器的线性度的研究设计具有很大的应用前景和研究价值。本论文设计了一个工作在2.4GHz频率处的线性功率放大器。基于TSMCO.18μmCMOS工艺，电路由输入级和输出级两级结构以及相应的阻抗匹配网络构成。电路采...
- 秦国宾
- 关键词：线性功率放大器负载阻抗性能仿真
- 文献传递
