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王颖
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11
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中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
韩伟华
中国科学院半导体研究所
杨香
中国科学院半导体研究所
杨富华
中国科学院半导体研究所
王晓薇
中国科学院半导体研究所
方高瞻
中国科学院半导体研究所
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光纤耦合用多根输出光纤头
一种光纤耦合用多根输出光纤头,包括:一前内抓头,分为大径端和小径端,在大径端处有螺纹,在小径端的根部有螺纹,中间有通孔,用于固定光纤的芯部;一前固定头,分为粗端和细端,中间有通孔,在通孔的粗端处有内螺纹,该前内抓头插入在...
王晓薇
马骁宇
方高瞻
喜崇浩
王颖
文献传递
基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路
本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路,该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串,该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电...
韩伟华
熊莹
赵凯
杨香
张严波
王颖
杨富华
光纤激光器谐振腔的制作方法
一种谐振腔的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:将光纤谐振腔装在镀膜架上;在光纤谐振腔的一端或两端镀上多层膜系,构成双色膜;形成光纤激光器谐振腔。
冯小明
马骁宇
王晓薇
方高瞻
王颖
文献传递
依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法
一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)以绝缘体上硅作为衬底;(b)在衬底上沿<110>晶向方向进行划片,作为曝光时的参考方向;(c)将衬底进行热氧化,生成二氧化硅掩膜层;...
杨香
韩伟华
王颖
张杨
杨富华
文献传递
用于大功率激光耦合的光纤头结构和光纤头冷却方法
一种用于大功率激光耦合的光纤头结构,包括:一主体,分为一大径端和小径端,在小径端的端部有螺纹,中间有中心通孔以便光纤容置,在中心通孔的两侧开有两通孔,两通孔是冷却水的通道,在大径端上开有两个水孔,该两个水孔分别与通孔连通...
王晓薇
马骁宇
方高瞻
喜崇浩
王颖
文献传递
利用电子束光刻制备晶面依赖的硅纳米结构(英文)
2008年
利用电子束光刻和各向异性湿法腐蚀技术,在(100)SOI衬底上成功地制备出晶面依赖的硅纳米结构.这项技术利用了硅的不同晶面在碱性腐蚀溶液中具有不同腐蚀速率的特性.纳米结构脊部宽度的最小尺寸可以达到10nm以下.扫描电镜和原子力显微镜的观察表明,利用这种方法制备出来的纳米结构具有很好的重复性,而且表面光滑.
杨香
韩伟华
王颖
张杨
杨富华
关键词:
硅纳米结构
电子束光刻
基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路
本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路,该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串,该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电...
韩伟华
熊莹
赵凯
杨香
张严波
王颖
杨富华
文献传递
环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法
本发明是一种环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法。包括:使用清洗液清洗SOI材料称底;在SOI称底上甩电子束胶,并进行前烘;以设计版图为掩模,进行电子束曝光;通过剂量补偿的方法对版图进行修正,消除图形进行电子束曝光时会...
王颖
韩伟华
杨香
张杨
杨富华
文献传递
用于大功率激光耦合的光纤头结构和光纤头冷却方法
一种用于大功率激光耦合的光纤头结构,包括:一主体,分为一大径端和小径端,在小径端的端部有螺纹,中间有中心通孔以便光纤容置,在中心通孔的两侧开有两通孔,两通孔是冷却水的通道,在大径端上开有两个水孔,该两个水孔分别与通孔连通...
王晓薇
马骁宇
方高瞻
喜崇浩
王颖
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光纤耦合用多根输出光纤头的集束装置
一种光纤耦合用多根输出光纤头的集束装置,包括:一前内抓头,分为大径端和小径端,在大径端处有螺纹,在小径端的根部有螺纹,中间有通孔,用于固定光纤的芯部;一前固定头,分为粗端和细端,中间有通孔,在通孔的粗端处有内螺纹,该前内...
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