王娟娟
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学社会学经济管理更多>>
- SOI MOSFET自加热效应测试方法被引量：1
- 2021年
- 为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80μs时直流静态Ids-Vds特性的超快脉冲I-V测试方法。将被测器件栅漏短接、源体短接后串联接入超快脉冲测试系统,根据示波器在源端采集的电压脉冲的幅值计算漏电流受自加热影响的动态变化过程。选取体硅NMOSFET和SOI NMOSFET进行验证测试,并对被测器件的温度分布进行仿真,证实该方法用于自加热效应的测试是准确有效的,能为建立准确的器件模型提供数据支撑。采用该方法对2μm SOI工艺不同宽长比的NMOSFET进行测试,结果表明栅宽相同的器件,栅长越短,自加热现象越明显。
- 王娟娟王娟娟曾传滨倪涛倪涛李多力罗家俊
- 关键词：自加热效应MOSFET
- 90nm SOI nMOSFET自加热效应研究
- 2022年
- 应用超快脉冲I-V测试系统对不同宽长比的90 nm绝缘体上硅(SOI)nMOSFET的自加热效应展开研究,根据瞬态和稳态漏源电流-漏源电压(I_(ds)-V_(ds))特性的对比结果,分析器件受自加热影响的程度。测试结果显示,宽长比为10μm/0.09μm的器件在漏源电压为1.3 V左右时才出现稳态漏源电流比瞬态值明显降低的现象,两者之差随着漏源电压的增加而增加。当漏源电压增至工作电压1.5 V时,瞬态漏源电流比稳态值高3.59%。在栅长相同的条件下,栅宽越短,自加热现象越不明显。进而发现接触孔和金属互连线是器件在测试时快速散热的关键路径,并通过温度分布的仿真结果加以证实。改变器件的环境温度,根据温度与瞬态漏源电流的测试结果计算得到宽长比为10μm/0.09μm的器件在室温条件下的沟道温升为33 K。
- 王娟娟王娟娟曾传滨曾传滨倪涛倪涛赵发展
- 关键词：NMOSFET自加热效应金属互连线
- 瞬时剂量率效应激光模拟测试技术被引量：1
- 2020年
- 瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素。本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟测试技术,以1064 nm激光构建完整精细的剂量率效应地面模拟测试系统。利用此系统开展了不同工艺节点、不同沟道类型、不同衬底形式的瞬时剂量率效应实验研究。仿真实验结果表明相同条件下,体硅器件光电流比绝缘衬底上的硅(SOI)器件大10倍以上,光电流受源漏电压影响也大于SOI器件。
- 倪涛杜川华杜川华曾传滨高林春高见头王娟娟高见头
- 关键词：剂量率效应SOI器件
- 国际视障人士著作权例外与限制条约发展现状研究被引量：4
- 2014年
- 近年国际上针对视障人士的著作权限制与例外提出了许多呼吁和建议,针对视障人士的著作权限制与例外各国的规定与实施情况有所不同,且在制定和实施过程中遇到各种困境与障碍。我国图书馆界应在针对视障人士的著作权限制与例外方面发挥特有的功效,积极参与法案的制定与实施,加强与其他国家的合作交流等。
- 王娟娟吴跃伟
- 关键词：视障人士国际条约图书馆
- 基于调研的成果转化信息服务模式设计——以生物医药成果转化过程为例被引量：5
- 2014年
- 通过文献、网络以及问卷调研的方式,分析生物医药成果转化过程中各主要阶段不同的信息需求,针对各阶段,提出时间维度上的纵向服务;面对生物医药成果转化的不同参与方,包括企业、高校、科研机构等,基于他们对服务和信息的不同需求设置了空间维度上的横向服务。文章最后以武汉光谷生物城为实证对象验证这种横向服务结合纵向服务的信息服务模式的可行性。
- 王娟娟吴跃伟丁宁孟银涛
- 关键词：信息需求信息服务模式生物医药问卷调查
