游洋
- 作品数：16 被引量：14H指数：3
- 供职机构：广东工业大学更多>>
- 发文基金：广东省教育部产学研结合项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术更多>>
- Al_2O_3陶瓷非等温烧结研究被引量：2
- 2014年
- 以高纯α-Al2O3粉体为原料,采用非等温烧结法制备了纯Al2O3陶瓷(AL)及掺杂MgO-Y2O3复合助剂的Al2O3陶瓷(ALMY)。研究了AL和ALMY在不同烧结温度下的相对密度、显微结构及硬度。结果表明,在非等温烧结中,纯Al2O3致密化的烧结温度范围较窄,烧结温度为1500℃时,其相对密度及硬度分别为98.1%和18.1GPa,当烧结温度为1600℃时,AL由于晶粒显著粗化,且产生了晶内气孔,相对密度及硬度分别显著下降到94.6%和12.5 GPa。MgO-Y2O3复合助剂的引入拓宽了Al2O3致密化的烧结温度范围,细化了显微结构,烧结温度在1500℃和1600℃时,ALMY的相对密度均在98%以上,硬度分别为19.2 GPa和17.6 GPa。
- 张志林郭伟明伍尚华游洋
- 关键词：AL2O3陶瓷相对密度
- 常压烧结制备亚微米晶Al_2O_3陶瓷及其力学性能研究被引量：3
- 2014年
- 以高纯α-Al2O3粉体为原料,MgO-Y2O3为烧结助剂,采用常压烧结法制备亚微米晶Al2O3陶瓷。研究了烧结温度、烧结助剂对Al2O3陶瓷的致密化过程、显微结构及力学性能的影响。结果表明:添加一定量的复合助剂MgO-Y2O3可起到促进Al2O3陶瓷致密化,细化显微结构,并改善其力学性能的作用。经1450℃常压烧结1h可获得相对密度达99.6%、平均晶粒尺寸约0.71μm的亚微米晶Al2O3陶瓷,其维氏硬度和断裂韧性分别为18.5GPa和4.6 MPa·m1/2。
- 张志林伍尚华游洋
- 关键词：AL2O3陶瓷常压烧结
- 一种可电火花加工和机械加工的Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>-ZrSi<Sub>2</Sub>-BN复相陶瓷材料及制备方法
- 本发明属于非氧化物基陶瓷材料领域，公开了一种可电火花加工和机械加工的Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>?ZrSi<Sub>2</Sub>?BN复相陶瓷材料及其制备方法。制备按照以下步骤：以Si<Sub...
- 郭伟明苏国康吴利翔游洋林华泰伍尚华
- 文献传递
- 烧结温度和复合助剂对Al_2O_3-TiCN复合陶瓷显微组织和性能的影响被引量：1
- 2015年
- 采用热压烧结方法分别制备了Al2O3-TiCN复合陶瓷(AT)及掺杂MgO-Y2O3复合助剂的Al2O3-TiCN复合陶瓷(ATMY);研究了烧结温度和MgO-Y2O3复合助剂对复合陶瓷相对密度、显微组织及力学性能的影响。结果表明:当烧结温度在1 400~1 600℃时,AT和ATMY的相对密度均在97.3%以上;当烧结温度不超过1 500℃时,利用第二相TiCN可有效抑制Al2O3晶粒长大,AT和ATMY的显微组织、断裂韧度均无明显差异;当烧结温度超过1 500℃时,TiCN不能有效地抑制Al2O3晶粒长大,导致AT显微组织粗化,在1 600℃烧结的AT的断裂韧度为4.5 MPa·m1/2;掺杂了MgO-Y2O3复合助剂后可与TiCN协同抑制Al2O3晶粒长大,在1 600℃烧结的ATMY的显微组织细小均匀,断裂韧度可达5.1 MPa·m1/2。
- 张志林郭伟明游洋伍尚华
- 关键词：烧结温度显微组织
- Si_3N_4-TiC和Si_3N_4-TiN复合导电材料的制备与电火花加工性能比较
- <正>以TiC和TiN粉为导电相,利用热压烧结制备了Si_3N_4-TiC和Si_3N_4-TiN复合导电材料。系统比较了TiC和TiN对Si_3N_4陶瓷相组成、致密度、显微结构、力学性能、导电性能及电火花加工性能的影...
- 古尚贤郭伟明伍尚华游洋刘镇杰
- 文献传递
- MgO-Al_2O_3-Re_2O_3(Re=Lu,Y)对无压烧结Si_3N_4陶瓷显微结构和性能的影响被引量：4
- 2016年
- 研究了MgO-Al_2O_3-Re_2O_3(Re=Lu,Y)三元烧结助剂体系对无压烧结Si_3N_4陶瓷显微结构和力学性能的影响。研究结果表明,添加MgO-Al_2O_3-Lu_2O_3三元助剂制备的Si_3N_4陶瓷显微结构具有明显的双峰分布,晶粒较粗化,致密度、硬度、弯曲强度、断裂韧性分别为96.4%、14.59 GPa、964 MPa、7.64 MPa·m^(1/2);而添加MgO-Al_2O_3-Y_2O_3三元助剂制备的Si_3N_4陶瓷具有细化的显微结构,致密度、硬度、弯曲强度、断裂韧性分别为99.9%、15.29 GPa、758 MPa、6.60 MPa·m^(1/2)。
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- 关键词：SI3N4陶瓷无压烧结显微结构
- 低温真空热压烧结制备Al_2O_3-B_4C复合陶瓷及其力学性能
- <正>采用低温真空热压烧结工艺制备了Al_2O_3-B_4C复合陶瓷,研究了B_4C含量及烧结助剂Y_2O_3对其烧结性能和显微结构的影响。结果表明,在1500℃烧结时,随着B_4C含量的增加(0~20wt%),Al_2...
- 张志林郭伟明伍尚华游洋
- 文献传递
- 一种B<Sub>4</Sub>C-ZrB<Sub>2</Sub>复相陶瓷材料的制备方法
- 本发明涉及非氧化物基陶瓷材料领域，具体公开了一种B<Sub>4</Sub>C-ZrB<Sub>2</Sub>复相陶瓷材料的制备方法。本发明以硼粉和炭黑为原料，以ZrO<Sub>2</Sub>为添加剂配制了不同组分含量的混...
- 郭伟明游洋伍尚华
- 文献传递
- Si_3N_4-TiC和Si_3N_4-TiN复相导电陶瓷的制备及电加工性能研究被引量：4
- 2015年
- 以TiC和TiN粉为导电相,利用热压烧结制备了Si3N4-TiC和Si3N4-TiN复相导电陶瓷。比较了TiC和TiN对Si3N4陶瓷相组成、致密度、显微结构、力学性能、导电性能及电火花加工性能的影响。结果表明:高温下TiN与Si3N4具有良好稳定性,烧结后获得Si3N4-TiN复相导电陶瓷,然而高温下TiC却与Si3N4反应形成了TiC0.5N0.5和SiC,烧结后获得Si3N4-TiC0.5N0.5-SiC复相导电陶瓷。虽然TiN和TiC的引入对Si3N4的硬度和断裂韧性的影响没有明显差别,然而TiC的引入可以更好的改善Si3N4的致密化、导电性能及电火花加工性能;与以TiN为导电相所制备的Si3N4基导电陶瓷相比,以TiC为导电相所制备的Si3N4基复相导电陶瓷电火花加工后表面的粗糙度值和材料去除率更低。
- 古尚贤郭伟明伍尚华游洋蒋强国高棱
- 关键词：导电陶瓷
- 快速制备反应重烧结Si3N4陶瓷
- 将反应重烧结制备的Si3N4陶瓷的相组成、致密度、显微结构、热导率和力学性能与传统的以Si3N4为原料烧结制备的Si3N4陶瓷进行对比,二者具有相同的烧结助剂和制备工艺。结果显示,在MgO-Y2O3作为烧结助剂时,反应重...
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- 文献传递
