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沈益斌

作品数:8 被引量:143H指数:5
供职机构:四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所更多>>
发文基金:四川省教育厅重点项目贵州省科学技术基金四川省教育厅自然科学科研项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇光学
  • 5篇光学性
  • 5篇光学性质
  • 4篇电子结构
  • 4篇子结构
  • 4篇SI
  • 3篇第一性原理
  • 2篇结构和光学性...
  • 2篇SI3N4
  • 2篇ZNO
  • 2篇掺杂
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇导体
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电池
  • 1篇电池材料
  • 1篇多层膜
  • 1篇氧化锌
  • 1篇液晶

机构

  • 8篇四川师范大学
  • 2篇贵州师范大学
  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇贵州大学
  • 1篇临沂师范学院
  • 1篇重庆邮电学院

作者

  • 8篇徐明
  • 8篇沈益斌
  • 7篇丁迎春
  • 5篇段满益
  • 3篇祝文军
  • 3篇陈青云
  • 2篇潘洪哲
  • 2篇周勋
  • 2篇令狐荣锋
  • 1篇周海平
  • 1篇贺红亮
  • 1篇纪红萱
  • 1篇陈卫东

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇材料导报
  • 2篇四川师范大学...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 7篇2007
  • 1篇2006
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
过渡金属与氮共掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量:64
2007年
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA)研究了过渡族金属(Mn,Fe,Co,Cu)与N共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度分布、差分电荷密度和光学性质.计算表明Mn,Fe,Co与N共掺ZnO的光学性质与Mn,Fe,Co单掺杂相近,但是过渡族金属与N共掺杂有利于获得p型ZnO.
段满益徐明周海平沈益斌陈青云丁迎春祝文军
关键词:ZNO第一性原理电子结构光学性质
过渡金属掺杂ZnO的电子结构和光学性质被引量:60
2007年
利用基于密度泛涵理论的超软赝势法(USPP),结合局域密度近似(LDA),对过渡族金属离子掺杂的纤锌矿型ZnO做第一性原理计算,得到了它的平衡晶格常数、结合能、电子态密度分布、能带结构、介电函数、光学吸收系数等性质,详细讨论了掺杂后ZnO化合物的电子结构及成键情况,并结合实验结果定性分析了掺杂后光学性质的变化.
沈益斌周勋徐明丁迎春段满益令狐荣锋祝文军
关键词:氧化锌掺杂第一性原理光学性质
纳米结构太阳能电池材料的研究进展被引量:6
2006年
纳米结构材料是当今科学研究的热点,它应用于太阳能电池具有成本低、稳定性好、光电转化率高等特点。介绍了纳米结构材料,如自组装纳米结构的有机盘状液晶太阳能电池和无机纳米晶太阳能电池材料(主要包括敏化Ti O2纳米晶、CdSe和CdTe纳米晶、Si基纳米结构)的研究和应用进展,并展望了这些纳米结构材料作为太阳能电池材料的未来发展。
丁迎春徐明沈益斌
关键词:自组装盘状液晶无机纳米晶太阳能电池
压力对β-Si_3N_4的电子结构和光学性质的影响被引量:1
2007年
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对不同压强下β-Si3N4的电子结构和光学性质进行了计算,较好地解释了已经报道的实验结果,进一步研究了β-Si3N4其它物理参数随外压力的变化规律.
潘洪哲徐明丁迎春沈益斌
关键词:氮化硅电子结构光学性质
γ-Si_3N_4在高压下的光学性质研究被引量:8
2007年
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),详细计算了不同压力下γ-Si3N4的光学性质(反射系数、吸收系数、复介电常数、折射系数).分析了压力对光学性质的影响,发现在高压条件γ-Si3N4的一些光学性质并不发生太大的变化,表明γ-Si3N4在高压条件下的光学应用是可行的.
丁迎春徐明沈益斌陈青云段满益
关键词:光学性质第一性原理
ZnO基稀磁半导体材料研究进展被引量:5
2007年
随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度。
周勋沈益斌段满益徐明令狐荣锋
关键词:ZNO稀磁半导体电子结构
γ-Si_3N_4在高压下的电子结构和物理性质研究被引量:7
2007年
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.
丁迎春徐明潘洪哲沈益斌祝文军贺红亮
关键词:光学性质力学性质
Si/SiO_2和SiN_x/SiO_2多层膜的室温光致发光被引量:3
2007年
采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可能的发光机制,认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心。建立了发光的能隙态(EGS)模型,认为440 nm和485 nm的发光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷态能级。
陈青云徐明段满益陈卫东丁迎春纪红萱沈益斌
关键词:红外吸收光致发光
共1页<1>
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