林耀望
- 作品数：30 被引量：41H指数：4
- 供职机构：南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金长江学者和创新团队发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- InP外延材料的MBE生长模式
- 2007年
- 采用固态磷源分子束外延技术,在不同的生长条件下生长了InP外延材料,并用原子力显微镜对样品表面形貌进行了系统研究.实验结果表明,样品表面形貌的显著变化与生长模式发生变化有关;二维(2D)生长模式和三维(3D)生长模式之间存在转换的临界工艺条件.通过对实验数据的分析,绘制了InP外延生长模式对应工艺条件的区域分布图;在2D生长区域获得了高质量的InP/InP外延材料.
- 皮彪舒永春林耀望徐波姚江宏邢晓东曲胜春王占国
- 关键词：INP
- GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来
- 林耀望潘钟李联合
- 关键词：量子阱激光器禁带宽度
- 文献传递
- MBE生长面发射激光器的原位厚度监测
- 1996年
- 在ＭＢＥ生长“ＤＢＲ型结构性材料”的过程中，由于生长中的多层结构干涉效应，使高温黑体辐射谱呈现振荡现象，利用此现象辅以计算机数据拟合，可以实现ＭＢＥ生长中层次、组分和厚度的实时监控，对ＭＢＥ系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义．我们首次在国内采用这项技术，利用红外高温仪对ＶＣＳＥＬ器件生长全过程（包括谐振腔）及多种组分ＤＢＲ的表观衬底热辐射振荡进行监测，采用准黑体模型，结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析，理论与实验得到了较好的吻合．
- 周增圻潘钟林耀望吴荣汉王圩
- 关键词：MBE生长面发射激光器激光器
- 高质量GaNAs合金的分子束外延生长
- 李联合潘钟王海林耀望周增圻吴荣汉
- 关键词：分子束外延生长
- 文献传递
- InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究被引量：1
- 1997年
- 提出了新型ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变脊形量子线结构．这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层Ｉｎ组分的变化，以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形成的横向量子限制效应的综合作用．在非平面ＧａＡｓ衬底上用分子束外延生长了侧面取向为（１１３）的脊形ＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡｓ应变量子线．用１０Ｋ光致荧光谱测试了其发光性质．用ＫｒｏｎｉｇＰｅｎｎｅｙ模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应，发现其光致荧光谱峰位的测试结果，与计算结果相比，有１０ｍｅＶ的“蓝移”．认为这一跃迁能量的“蓝移”
- 牛智川周增圻林耀望李新峰张益胡雄伟吕振东袁之良徐仲英
- 关键词：量子线分子束外延INGAAS砷化镓
- 分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析被引量：2
- 1999年
- 运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相ＧａＮ／ＧａＡｓ异质微观结构．在ＧａＮ外延层中，观察到大量的、不对称的｛１１１｝面缺陷（层错和微孪晶），以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列。
- 韩培德杨海峰杨辉林耀望张泽李新峰周增圻
- 关键词：砷化镓电子显微分析分子束外延
- AlAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱拟合与优化生长被引量：2
- 2005年
- 对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料。该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器。
- 张冠杰舒永春皮彪姚江宏林耀望舒强刘如彬王占国许京军
- 关键词：分布布拉格反射镜高反射率
- 调制掺杂GaAs/AlGaAs2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究被引量：4
- 2006年
- 在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1·78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品进行红光辐照,观察到持久光电导(PPC)效应,电子浓度在光照后显著增加.通过整数量子霍尔效应(IQHE)和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡的测量,研究了2DEG的子带电子特性.样品在低温光照后2DEG中第一子带和第二子带的电子浓度同时随电子总浓度的增加而增加;而且电子迁移率也明显提高.同时,通过整数霍尔平台的宽度对光照前后电子的量子寿命变短现象作了理论分析.
- 舒强舒永春张冠杰刘如彬姚江宏皮彪邢晓东林耀望许京军王占国
- 关键词：二维电子气量子霍尔效应
- 固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究(英文)被引量：1
- 2005年
- 通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料。在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2.09×105cm2/Vs(77K)δSi掺杂AlGaAs/GaAs结构材料。InP/InP材料的电子迁移率为4.57×104cm2/Vs(77K),该数值是目前国际报道最高迁移率值和最低的电子浓度的InP外延材料。成功地实现了在一个固态源分子束外延设备交替生长高质量的调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和含磷材料。
- 张冠杰舒永春皮彪邢小东林耀望姚江宏王占国许京军
- 关键词：兼容性高电子迁移率分子束外延
- MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法被引量：2
- 1997年
- 本文采用了以解理面为衍射基面，直接测量水平弛豫的方法测量了InxGa1-xAs（衬底为GaAs，x～0．1）外延层的应变及其弛豫状态．在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂．表明当InGaAs层厚度较厚（～2μm）时，InGaAs外延层与衬底GaAs已处于非共格生长状态，同时发现大失配的InGaAs晶胞并没有完全弛豫恢复到自由状态．其平行于表面法线的晶格参数略大于垂直方向上的晶格参数（△a／a～10-3）．并且晶胞在弛豫过程中产生了切向应变．在考虑了切向应变的基础上准确地确定出了InGaAs层的In组分x．
- 庄岩王玉田马文全林耀望周增圻
- 关键词：MBEMOCVD外延层X射线双晶衍射
