林洪峰
- 作品数：11 被引量：56H指数：5
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信航空宇航科学技术更多>>
- 硅基光电薄膜材料的制备与特性研究
- Si基光电材料以其不可估量的应用前景，引起了世界范围内的广泛关注，Si基光电薄膜材料的制备与特性研究也成为当前半导体材料研究领域的热门课题。
本论文以制备高质量的SiC、SiCN等光电薄膜材料以及探索新型场发射...
- 林洪峰
- 关键词：半导体材料光学特性
- 文献传递
- 空间太阳阵二次放电的模拟实验研究被引量：10
- 2005年
- 二次放电是造成空间高压大功率太阳阵功率损失的主要原因 .通过地面模拟实验研究 ,确定了二次放电阈值电压并监测了二次放电脉冲电流 ,对高压太阳阵二次放电特性及其击穿机理进行了讨论 .结果表明 ,高压太阳阵工作电压和电池串间电流的提高增加了高压太阳阵发生二次放电事件的可能性 ;通过采用特殊的结构设计和在太阳阵电池串之间涂覆RTV胶 ,可以有效抑制二次放电事件的发生 .
- 李凯谢二庆林洪峰王立孙彦诤崔新宇
- 关键词：航天器
- 类金刚石和碳氮薄膜的电化学沉积及其场发射性能研究被引量：5
- 2005年
- 利用电化学方法在室温下成功地沉积了类金刚石(DLC)薄膜和非晶CNx薄膜,并对制备条件进行了讨论.通过扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱技术,分析了薄膜的表面形貌和化学结合状态.场发射测量结果表明:DL膜和非晶CNx的开启场分别为8·8和10V/μm;并且在23V/μm的电场下,DLC膜和非晶CNx膜的发射电流密度分别达到10和0·37mA/cm2.
- 叶凡谢二庆李瑞山林洪峰张军贺德衍
- 关键词：类金刚石碳氮薄膜电化学沉积场发射性能
- 溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光
- 2006年
- 用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化,并有微弱的蓝移.分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的.发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系,在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.
- 蒋然谢二庆贾昌文林洪峰潘孝军李晖
- 关键词：光致发光能量转换溅射
- 多孔β-SiC薄膜的蓝光发射被引量：7
- 2003年
- 通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了 β SiC薄膜 ,用HF酸 (40 % )和C2 H5OH(99% )的混合溶液对 β SiC薄膜进行了电化学腐蚀处理 ,形成了多孔 β SiC(PSC)薄膜 .利用荧光分光光度计研究了样品的光致发光 (PL)特性 ,用原子力显微镜 (AFM)和扫描电子显微镜 (SEM )观察了样品腐蚀前后的表面形貌 .结果表明 :多孔 β SiC薄膜具有较强的蓝光发射特性 ;通过改变腐蚀时间 ,可以改变蓝光发射的强度 ,也可以观察到蓝光 红光同时发射的现象 ;降低HF酸的浓度 ,蓝光发射峰明显变弱 ,并对多孔 β SiC薄膜的发光机理及其微观结构进行了讨论 .
- 张志敏谢二庆林洪峰马紫微叶凡贺德衍
- 关键词：电化学腐蚀蓝光发射PLSEM
- 稀土掺杂多孔硅的蓝光发射被引量：11
- 2004年
- 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Pr,Dy ,Sc)离子的化学掺杂 .用扫描电镜研究了多孔硅薄膜的表面形貌 ,用卢瑟福背散射谱研究了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .利用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性 ,发现稀土掺杂增强了多孔硅的蓝光发射 ,尤其是Dy的掺杂可产生较强的蓝光发射 ,其强度可与多孔硅的红光强度相比较 ,适当的Pr和Sc的掺杂也可一定程度地增强多孔硅的蓝光发射 .稀土掺杂多孔硅后产生蓝光发射的可能机理为 :稀土掺杂引入新的表面态 ,形成硅、氧、稀土间新的键合方式O—Si—O—Re—O ,从而在多孔硅表面形成新的发光中心 ;稀土离子丰富的能态在多孔硅发光过程中起到了能量传递作用 ,从而增强了多孔硅的蓝光发射 .
- 彭爱华谢二庆贾昌文蒋然林洪峰贺德衍
- 关键词：稀土掺杂光致发光电化学蓝光发射
- SiCN薄膜的制备及其性能研究被引量：9
- 2002年
- 利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析。结果表明,室温制备的SiCN薄膜为非晶状态,并形成了Si-C、Si-N和C-N键;而在高温下(衬底温度为800oC),薄膜中含有SiCN的晶体成分。此外,还利用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了研究,并进一步研究了样品的场发射性能。在场强为24V/μm时,最大发射电流可达3.3mA/cm2。
- 马紫微谢二庆林洪峰宁长春刘肃贺德衍
- 关键词：XRDIRXPSAFM场发射
- 射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜被引量：15
- 2004年
- 利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜 ,并利用x射线衍射 (XRD)和红外 (IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析 .XRD结果表明 ,低温制备的SiC薄膜为非晶相 ,而在高温下 (>80 0℃ ) ,薄膜呈现 4H SiC和 3C SiC结晶相 .IR谱显示 ,溅射制备薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收 .此外 ,还利用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了研究 。
- 林洪峰谢二庆马紫微张军彭爱华贺德衍
- 关键词：射频溅射法X射线衍射分析
- 石英衬底上溅射制备纳米SiCN薄膜
- 2006年
- 利用射频溅射方法在石英玻璃上沉积了纳米结构硅碳氮(SiCN)薄膜.SiCN薄膜表面由平均直径约50nm的SiCN纳米颗粒组成,这些纳米颗粒的紧密分布构造了薄膜的致密表面.纳米SiCN薄膜呈现出典型的半导体导电特征.通过调整N2流量参数可以获得不同带隙的SiCN薄膜材料,这种带隙可调的纳米结构SiCN薄膜在未来的半导体光电器件应用领域会有广阔的应用前景.
- 林洪峰谢二庆张军颜小琴陈支勇
- 关键词：溅射
- 反应溅射CN薄膜的场发射特性
- 2006年
- 利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮(CN)薄膜.原子力显微镜(AFM)研究结果表明,CN薄膜表面覆盖有纳米CN锥状物,所制备的CN薄膜具有良好的场发射特性,最大发射电流密度达到～10mA/cm2,并且未出现电流饱和现象.薄膜表面的CN纳米锥有利于薄膜的场发射,重复测量结果表明,CN薄膜的发射特性得到改善和提高.
- 林洪峰谢二庆张军颜小琴陈支勇
- 关键词：反应溅射场发射
