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林沛

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：北京科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇纳米
  • 3篇ZNO纳米
  • 2篇电极
  • 2篇电子器件
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇水热
  • 2篇水热法
  • 2篇酸处理
  • 2篇同质结
  • 2篇图案化
  • 2篇退火
  • 2篇去离子
  • 2篇去离子水
  • 2篇热法
  • 2篇线阵列
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇纳米片
  • 2篇纳米线

机构

  • 8篇北京科技大学

作者

  • 8篇林沛
  • 7篇张跃
  • 6篇张铮
  • 4篇刘硕
  • 4篇申衍伟
  • 4篇张先坤
  • 2篇于桐
  • 2篇黄运华
  • 2篇张会会
  • 2篇王文铎
  • 1篇廖庆亮
  • 1篇闫小琴
  • 1篇丁一

传媒

  • 1篇新材料产业

年份

  • 2篇2019
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
ZnO纳米器件性能的力光电多场耦合调控研究
由于氧化物具有硅与I11-V族材料所不具有的众多优异特性,氧化物界面研究逐渐成为近年来半导体界面工程学领域的热点。在众多半导体氧化物中,ZnO由于宽禁带、高激子结合能与高电子迁移率而受到广泛关注。此外,ZnO中多种性质共...
林沛
关键词：纳米氧化锌光电器件多场耦合
文献传递
过渡金属硫族化合物同质结、同质结二极管及同质结的制备
本发明主要属于同质结制备技术领域，具体涉及一种过渡金属硫族化合物同质结及其制备方法。所述方法采用过渡金属硫族化合物纳米片为原料，在所述过渡金属硫族化合物纳米片一部分区域的上方设置保护层进行保护，使用酸处理过渡金属硫族化合...
张跃张先坤张铮刘硕林沛申衍伟杜君莉柳柏杉
文献传递
基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法
本发明基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法。具体工艺为：用水热法在绝缘硅片上制备长径比较大的纳米线阵列；用HF将两端的氧化锌及硅的氧化物洗去，分别连出导线作为FET的源极和漏极；ZnO纳米线阵列受力产生的压电...
张跃于桐黄运华张铮王文铎林沛张会会钦辉
文献传递
一种图案化有机电极PEDOT:PSS的方法
本发明属于有机电极领域，具体涉及一种图案化有机电极PEDOT:PSS的方法。在基底上旋涂电子束光刻胶，烘干后用电子束曝光方法将基底上的电子束光刻胶层图案化，在带有图案化的电子束光刻胶层的基底上沉积PEDOT:PSS，一定...
张跃张先坤张铮刘硕林沛申衍伟杜君莉刘柏杉
基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法
本发明基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法。具体工艺为：用水热法在绝缘硅片上制备长径比较大的纳米线阵列；用HF将两端的氧化锌及硅的氧化物洗去，分别连出导线作为FET的源极和漏极；ZnO纳米线阵列受力产生的压电...
张跃于桐黄运华张铮王文铎林沛张会会钦辉
一种图案化有机电极PEDOT:PSS的方法
本发明属于有机电极领域，具体涉及一种图案化有机电极PEDOT:PSS的方法。在基底上旋涂电子束光刻胶，烘干后用电子束曝光方法将基底上的电子束光刻胶层图案化，在带有图案化的电子束光刻胶层的基底上沉积PEDOT:PSS，一定...
张跃张先坤张铮刘硕林沛申衍伟杜君莉刘柏杉
文献传递
氧化锌纳米结构的压电性能研究
2014年
一、氧化锌（ZnO）半导体材料 作为典型的第3代半导体材料,半导体氧化锌（ZnO）激子结合热能高达60meV,远大于室温下的热能（26meV）。这样,ZnO可以通过激子-激子散射的方式实现受激发射,这种模式比半导体中通常采用的电子-空穴等离子体的受激发射模式的阈值低2个量级以上。因此与Ⅲ族氮化物相比,ZnO其在固态照明、短波长半导体激光和紫外光电探测等领域有明显的优势,已经成为目前半导体研究领域中的热点。
张跃林沛闫小琴廖庆亮丁一
关键词：压电性能半导体材料受激发射半导体激光
过渡金属硫族化合物同质结、同质结二极管及同质结的制备
本发明主要属于同质结制备技术领域，具体涉及一种过渡金属硫族化合物同质结及其制备方法。所述方法采用过渡金属硫族化合物纳米片为原料，在所述过渡金属硫族化合物纳米片一部分区域的上方设置保护层进行保护，使用酸处理过渡金属硫族化合...
张跃张先坤张铮刘硕林沛申衍伟杜君莉柳柏杉
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