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张先坤
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42
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北京科技大学
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相关领域:
电子电信
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张铮
北京科技大学
张跃
北京科技大学
刘硕
北京科技大学
林沛
北京科技大学
申衍伟
北京科技大学
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机构
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作者
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张先坤
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张跃
41篇
张铮
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刘硕
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廖庆亮
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申衍伟
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2023
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2022
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2021
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一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法
本发明公开了一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法,包括:绝缘衬底、第一电极组、介电层、二维半导体层和第二电极组;基于二维半导体层、介电层、第一电极组形成所述悬空沟道区域,其中,悬空沟道区域用于抑制静态电流;第一电极组包...
张跃
卫孝福
张铮
张先坤
于慧慧
高丽
洪孟羽
都娴
一种过渡金属族硫化物逻辑运算器及其构筑方法
本发明属于逻辑运算器领域,涉及一种过渡金属族硫化物同质结逻辑运算器及其构筑方法。构筑方法为:对一个过渡金属族硫化物纳米片的一半区域进行保护,另一半未保护的区域用弱氧化性溶液进行硫空位的构筑。而过渡金属族硫化物的电子特性受...
张跃
高丽
张铮
廖庆亮
高放放
张先坤
柳柏杉
杜君莉
于慧慧
洪孟羽
欧洋
肖建坤
文献传递
一种基于α-硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用
本发明公开了一种基于α‑硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用,涉及半导体材料与器件技术领域。该存储器包括金属电极、少层六方氮化硼或氧化铪、α‑硒化铟纳米片、少层石墨烯及目标衬底;少层石墨烯完全覆盖目...
张跃
汤文辉
张铮
于慧慧
高丽
张先坤
洪孟羽
曾浩然
卫孝福
一种碲纳米片厚度减薄的方法
本发明公开了一种碲纳米片厚度减薄的方法,属于纳米材料技术领域,所述方法包括以下步骤:将碲纳米片浸泡于弱氧化性溶液中,取出干燥,即得所述厚度减薄的碲纳米片;本发明利用弱氧化性溶液与碲纳米片表面发生温和的氧化反应,对碲纳米片...
张跃
于慧慧
张铮
曾浩然
张先坤
高丽
洪孟羽
汤文辉
李瑞山
卫孝福
文献传递
一种栅压可调的氧化锌紫外光电探测器及其制备方法
本发明涉及紫外光电探测器技术领域,具体涉及一种栅压可调的氧化锌紫外光电探测器及其制备方法;所述栅压可调的氧化锌紫外光电探测器包括设置在底层的绝缘硅衬底,设置在绝缘硅衬底上的二维氧化锌纳米片层以及设置在二维氧化锌纳米片层上...
张跃
于慧慧
张铮
张先坤
高丽
洪孟羽
柳柏杉
肖建坤
汤文辉
李瑞山
文献传递
一种过渡金属族硫化物纳米片硫空位的制备方法
本发明属于缺陷调控领域,涉及一种简单、温和、精确的过渡金属族硫化物硫空位的过渡金属族硫化物纳米片硫空位的制备方法。将制备好的过渡金属族硫化物纳米片转移到和它可牢固结合的基底上,放入配制的弱氧化性溶液中浸泡,随后用DI水洗...
张跃
高丽
张铮
廖庆亮
高放放
张先坤
柳柏杉
杜君莉
于慧慧
洪孟羽
欧洋
肖建坤
文献传递
二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备
本发明公开一种二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备,属于材料应用技术领域。本发明包括绝缘衬底、隧穿层、金属电极、二硒化钨纳米片。本发明利用光照下二硒化钨和金属形成的肖特基结所产生的光伏效应,实现器件自驱动探...
张跃
杜君莉
张铮
柳柏杉
张先坤
王可汗
于慧慧
高丽
自组装离子层外延法合成原子层厚氧化锌纳米片的方法
本发明提供自组装离子层外延法低温合成原子层厚氧化锌纳米片的方法,利用互不相溶的两相界面作为生长模板,采用烃基碳链长度在C<Sub>12</Sub>‑C<Sub>18</Sub>之间的脂肪醇硫酸酯盐溶液为阴离子表面活性剂来...
张跃
于慧慧
张铮
杜君莉
张先坤
柳柏杉
高丽
肖建坤
洪孟羽
文献传递
一种图案化有机电极PEDOT:PSS的方法
本发明属于有机电极领域,具体涉及一种图案化有机电极PEDOT:PSS的方法。在基底上旋涂电子束光刻胶,烘干后用电子束曝光方法将基底上的电子束光刻胶层图案化,在带有图案化的电子束光刻胶层的基底上沉积PEDOT:PSS,一定...
张跃
张先坤
张铮
刘硕
林沛
申衍伟
杜君莉
刘柏杉
具有周期性应变的范德华异质结型光电探测器及制备方法
本发明属于材料应用技术领域,具体涉及一种具有周期性应变的范德华异质结型光电探测器及制备方法。上述器件构筑方法如下,在半导体基底上部分沉积绝缘层,在未沉积绝缘层的部分进行图案化处理外延生长半导体纳米线阵列,采用湿法转移技术...
张跃
柳柏杉
张铮
张先坤
杜君莉
肖建坤
胡津铭
王如意
王双欣
赵紫薇
熊向晖
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