林孟喆
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
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- 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法
- 一种低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法，该方法包括：取一衬底，在衬底上生长一器件外延层；对器件外延层进行表面清洗；采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除；光刻，将光刻板上的图形转移到器件外延层上；在器件外延层的表面生长透...
- 林孟喆曹青颜庭静陈良惠
- 文献传递
- 紫外-红外双波段探测器及其制作方法
- 本发明提供一种紫外-红外双波段探测器及其制作方法，其中紫外-红外双波段探测器，包括：一紫外波段探测器；一红外波段探测器，该红外波段探测器通过金属键合工艺与紫外波段探测器倒装互连在一起，该紫外波段探测器与红外波段探测器的一...
- 颜廷静种明苏艳梅林孟喆王晓勇
- p-GaN欧姆接触电极及GaN蓝光激光器窄条工艺研究
- GaN基蓝紫光激光器用作下一代高密度DVD存储系统的光源，有着广泛的市场前景，同时在激光全色显示和水底通信方面也有广阔的应用。本论文在中国科学院知识创新工程重要方向项目：氮化镓基激光器(KGCX2-SW-115)和自然科...
- 林孟喆
- 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法
- 一种低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法，该方法包括：取一衬底，在衬底上生长一器件外延层；对器件外延层进行表面清洗；采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除；光刻，将光刻板上的图形转移到器件外延层上；在器件外延层的表面生长透...
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- 紫外-红外双波段探测器及其制作方法
- 本发明提供一种紫外-红外双波段探测器及其制作方法，其中紫外-红外双波段探测器，包括：一紫外波段探测器；一红外波段探测器，该红外波段探测器通过金属键合工艺与紫外波段探测器倒装互连在一起，该紫外波段探测器与红外波段探测器的一...
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- 文献传递
- Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响被引量：1
- 2009年
- 在p-GaN上蒸发Ni/Au电极前,采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理,O2气氛下退火后,比较各电极样品的I-V特性和表面形貌。结果显示无表面处理时接触电阻最小,且溶剂处理后残留的电解质会影响电极的电流特性和稳定性。用俄歇电子能谱(AES)测试不同元素随深度分布情况,发现高温退火过程中NiO的形成有自动清洁p-GaN表面的作用,因此对于Ni基电极前表面处理不是必需的。再将样品用10%草酸溶液处理,其I-V特性显示接触电阻率明显下降;X射线光电子能谱(XPS)测试显示草酸溶液处理后电极表面Ni含量显著减少,而Au元素信号峰增强,说明表面高阻p型NiO被有效除去,对改善接触性能具有实际意义。
- 林孟喆曹青颜廷静陈良惠
- 关键词：接触电阻率表面处理
