种明
- 作品数：53 被引量：61H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 蓝紫光InGaN多量子阱激光器被引量：2
- 2007年
- 在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3kA/cm2,特征温度为145K.
- 李德尧张书明王建峰陈俊陈良惠种明朱建军赵德刚刘宗顺杨辉梁骏吾
- 关键词：GAN基激光器多量子阱
- 铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法
- 一种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射...
- 杨晓杰马文全种明苏艳梅陈良惠
- 文献传递
- 两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法
- 一种两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，该第一半导体GaAs...
- 霍永恒马文全种明张艳华陈良惠
- 文献传递
- InGaAs/GaAs量子点红外探测器被引量：1
- 2008年
- 与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因。利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器。在77 K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号。
- 马文全杨晓杰种明苏艳梅杨涛陈良惠邵军吕翔
- 关键词：量子点红外探测器垂直入射分子束外延光电流
- 背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置及方法
- 本发明公开了一种背入射式量子阱红外探测器单元器件的封装装置及方法，该方法由以下步骤实现：用粘合剂将量子阱红外探测器单元器件及陶瓷片粘在热沉上；用金丝压焊的方法将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出到陶瓷片上；用焊锡将...
- 苏艳梅张冶金种明孙捷孙秀艳
- 文献传递
- 双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法
- 一种双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长下接触层、下量子阱层、中间接触层、上量子阱层和上接触层；制作正面光栅，并制作上电极；刻蚀，形成隔离槽和上台面；刻蚀每个隔离槽一侧的侧壁，形成中台面，刻蚀...
- 苏艳梅种明
- 文献传递
- n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合被引量：1
- 2007年
- 采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.
- 李慧何国荣渠红伟石岩种明曹玉莲陈良惠
- 关键词：光电集成直接键合GAASGAN
- 紫外-红外双波段探测器及其制作方法
- 本发明提供一种紫外-红外双波段探测器及其制作方法，其中紫外-红外双波段探测器，包括：一紫外波段探测器；一红外波段探测器，该红外波段探测器通过金属键合工艺与紫外波段探测器倒装互连在一起，该紫外波段探测器与红外波段探测器的一...
- 颜廷静种明苏艳梅林孟喆王晓勇
- 双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制被引量：3
- 2007年
- 采用GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs多量子阱,研制出了双色同像素读取结构的中波/长波量子阱红外探测器及160×128元中波/长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术,在5.08 cm半绝缘GaAs衬底上完成的。发展了双色大面阵制备工艺,二维光栅的制备使用标准光刻和离子束刻蚀技术。在77 K时,对量子阱红外探测器测试,得到中、长波段峰值探测率分别为Dλ=(1.61～1.90)×1010 cmHz1/2W-1和(1.54～2.67)×1010 cmHz1/2W-1。中、长波段峰值波长分别为(2.7～3.8)μm和8.3μm。
- 种明马文全苏艳梅张艳冰胡小燕陈良惠
- 关键词：红外探测器
- 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法
- 一种电压调制型中长波双色量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，在第一半导体GaAs接...
- 霍永恒马文全种明张艳华陈良惠
- 文献传递
