林丽艳
- 作品数：10 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 光电耦合器电离辐射损伤噪声相关性模型被引量：2
- 2010年
- 在总结光电耦合器噪声产生机制的基础上,建立光电耦合器电离辐射损伤1/f噪声相关性模型,并通过辐照实验验证了模型的正确性。该模型全面分析了光电耦合器的电离辐射损伤,为噪声参量用于光电耦合器电离辐射损伤表征提供了理论依据。
- 林丽艳杜磊包军林何亮
- 关键词：噪声光电耦合器
- GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理被引量：1
- 2015年
- 对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结果进行分析,在3"+"3"-"和3"-"极性下,器件失效模式为栅源短路,在3"+"极性下器件电参数退化。运用热模型对ESD正负脉冲电压产生的温升进行了计算,器件的损伤机理为,在正向脉冲下为栅金属纵向电迁移导致肖特基势垒退化;在ESD负向脉冲下为高电场引起栅源端对击穿。
- 林丽艳李用兵
- 关键词：热模型失效模式
- 一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具
- 本实用新型公开了一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。本实用新型包括测试盒体、PCB板、压块、直流偏置引出端、射频输入输出引出端，PCB板置于测试盒体内，PCB板包括馈电匹配电路...
- 林丽艳李剑锋吴阿慧顾占彪
- 文献传递
- 宇航用微波集成电路芯片通用规范
- 本文件规定了宇航用微波集成电路芯片的技术要求、质量保证规定和交货准备。本文件适用于宇航用微波集成电路芯片（以下简称芯片）的设计、生产和产品质量保证。
- 林丽艳范海玲王国全韩东崔波何婷陈哲宋翔杨俊锋
- 一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具
- 本发明公开了一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。本发明包括测试盒体、PCB板、压块、直流偏置引出端、射频输入输出引出端，PCB板置于测试盒体内，PCB板包括馈电匹配电路和射频输...
- 林丽艳李剑锋吴阿慧顾占彪
- 文献传递
- 光电耦合器电离辐射损伤电流传输比1/f噪声表征被引量：5
- 2011年
- 在研究光电耦合器电离辐射损伤机理基础上,分别建立光电耦合器电离辐射损伤电流传输比(CTR)表征模型和1/f噪声表征模型.结果表明CTR退化和噪声增加都归因于辐射后光敏三极管集电结和发射结处SiO2/Si界面缺陷增多.根据CTR退化和噪声变化分别与辐射剂量的关系,建立起噪声变化与CTR退化之间的关系,辐照实验对表征模型正确性进行了验证.运用噪声变化与辐射剂量的关系,通过低剂量辐照实验可以预测高剂量辐射后光电耦合器退化程度,故可用于评价光电耦合器抗辐射能力.
- 林丽艳杜磊包军林何亮
- 关键词：光电耦合器
- GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析被引量：6
- 2016年
- GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构特点不能对内部FET直接进行参数测试,为进一步研究GaAs FET的氢效应作用机理,对GaAs FET结构单元开展高温电老炼试验,试验过程中GaAs FET电流变化趋势与低噪声放大器相同。分析了GaAs FET结构单元试验过程中饱和漏电流、夹断电压变化趋势,认为导致GaAs FET电参数先减小是由于沟道二维电子气(2DEG)浓度减小和栅金属与GaAs界面状态改变两种机理共同作用,电参数部分恢复主要是栅金属与GaAs界面状态改变起作用。
- 林丽艳李用兵
- 关键词：GAAS
- 光电探测器的电噪声及其应用被引量：4
- 2009年
- 电噪声检测方法正在成为一种无损的电子器件可靠性表征手段,而人们对其在光电探测器方面应用的研究还较少。本文在总结光电探测器电噪声类型及产生机理的基础上,分析了光电探测器与电噪声相关的各项性能参数。电噪声不仅是影响光电探测器性能的重要物理量,而且与光电探测器材料缺陷、界面缺陷及深能级陷阱存在相关性。构造的适当噪声参量可以表征光电探测器中的上述缺陷。与电噪声相关的缺陷往往是导致器件失效的因素,借鉴电噪声用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管质量和可靠性表征的方法,本文提出了电噪声在表征光电探测器质量和可靠性方面的应用。
- 林丽艳杜磊何亮陈文豪
- 关键词：电噪声光电探测器可靠性
- 光电耦合器抗辐射能力噪声无损评价技术研究
- 在空间辐射环境下光电耦合器容易产生损伤，导致可靠性降低、使用寿命缩短，甚至器件和系统会完全失效。光电耦合器作为航天电子系统的重要器件，选用时有必要评价其抗辐射能力。本文通过研究光电耦合器电离辐射损伤机制，分别建立其电离辐...
- 林丽艳
- 关键词：光电耦合器
- 文献传递
- 一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具
- 本发明公开了一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。本发明包括测试盒体、PCB板、压块、直流偏置引出端、射频输入输出引出端，PCB板置于测试盒体内，PCB板包括馈电匹配电路和射频输...
- 林丽艳李剑锋吴阿慧顾占彪
- 文献传递
