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杨帆

作品数：18 被引量：2H指数：1
供职机构：福州大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金福建省教育厅科技项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇经济管理
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇社会学

主题

  • 4篇多酚
  • 4篇吸附剂
  • 4篇利福
  • 3篇利福平
  • 3篇复合材料
  • 3篇壁式
  • 3篇复合材
  • 2篇低压驱动
  • 2篇电子发射
  • 2篇断路
  • 2篇断路器
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔碳
  • 2篇新型吸附剂
  • 2篇修饰
  • 2篇氧化铝
  • 2篇氧化铝基
  • 2篇荧光粉层
  • 2篇显示器
  • 2篇抗生素

机构

  • 18篇福州大学
  • 1篇国家电网公司
  • 1篇国网福建省电...
  • 1篇国网福建省电...

作者

  • 18篇杨帆
  • 6篇刘明华
  • 6篇肖高
  • 4篇郭太良
  • 3篇叶芸
  • 3篇胡利勤
  • 2篇张永爱
  • 2篇林贺
  • 2篇郭凡
  • 2篇林金堂
  • 1篇陆培民
  • 1篇郑隆武
  • 1篇肖晓晶
  • 1篇沈圣
  • 1篇陈忠辉
  • 1篇李晓云

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇电力信息与通...

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2008
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于纳米材料障壁式场发射器件研究
杨帆
关键词：场发射障壁厚膜工艺刻蚀工艺
一种多酚修饰伽玛型氧化铝基多孔碳复合材料、制备方法和应用
本发明属于利福霉素吸附材料领域，具体涉及一种多酚修饰伽马型氧化铝基多孔碳复合材料、制备方法和应用。所述的多酚修饰伽马型氧化铝基多孔碳复合材料为gamma‑（Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>）<Sub...
肖高杨帆刘明华
文献传递
一种隔离型柔性限流装置及其控制方法
本发明涉及一种隔离型柔性限流装置及其控制方法，其中柔性限流装置包括：储能蓄电池、逆变器、变压器、整流器、限流电感和受控电流源；所述储能蓄电池的输出端连接逆变器的输入端，逆变器的输出端与变压器一侧连接，变压器的另一侧与整流...
郑峰刘莞玲刘宝瑾黄雯锋杨帆黄云聪张宏伟王威东
一种多酚修饰伽马型氧化铝基多孔碳复合材料、制备方法和应用
本发明属于利福霉素吸附材料领域，具体涉及一种多酚修饰伽马型氧化铝基多孔碳复合材料、制备方法和应用。所述的多酚修饰伽马型氧化铝基多孔碳复合材料为gamma‑（Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>）<Sub...
肖高杨帆刘明华
文献传递
第四方物流企业的发展模式研究--
杨帆
关键词：供应链第四方物流邮政物流
一种用于吸附利福霉素钠的铜基-共价有机框架复合核壳吸附剂的制备方法
本发明公开了一种用于吸附利福霉素钠的铜基‑共价有机框架复合核壳吸附剂的制备方法，所述新型复合材料为Cu‑BDC<Sub>30</Sub>@AT‑COF，合成方法简单，反应条件温和，是一种经济有效的方法。可将此Cu‑BDC...
肖高杨帆刘明华
一种处理利福平抗生素的铁钴多酚超分子改性有机框架复合材料及其制备方法
本发明公开了一种处理利福平抗生素的铁钴多酚超分子改性有机框架复合材料及其制备方法。所述一种处理利福平抗生素的铁钴多酚超分子改性有机框架复合材料为MIL‑53(Fe)@TA‑Co。本发明的方法合成方法简单，反应条件温和，是...
肖高杨帆刘明华
一种基于导波波峰时延的钢绞线单捻距应力识别方法
本发明提供了一种基于导波波峰时延的钢绞线单捻距应力识别方法，由波峰时延指标的计算反推出钢绞线应力。本发明可应用于钢绞线既有应力的识别，应力识别对象为公称直径为15.2mm的七丝钢绞线，也可拓展到其他规格钢绞线或一般的杆状...
沈圣杨帆王辉煌
一种棒状改性铁镍有机框架复合吸附剂
本发明公开了一种棒状改性铁镍有机框架复合吸附剂及其制备方法和在处理含利福平抗生素医疗废水中的应用，所述的吸附剂为Fe<Sub>1.5</Sub>/Ni<Sub>1.5</Sub>‑TA@MIL‑88B复合材料。本发明合成...
肖高杨帆刘明华
文献传递
新型前栅场发射器件的研究被引量：2
2012年
采用刻蚀型介质制作前栅场发射器件。该器件中阴栅结构的形成是利用刻蚀工艺刻蚀介质层,一次性实现栅孔和阴极电极的连通,最后利用电泳沉积工艺转移碳纳米管制备成阴极发射点阵。该工艺避免了对准或套印,使前栅场发射器件制作工艺更简单,降低了成本,更容易实现大面积制作。场发射测试表明当阳压在1500和2000 V时,栅压都能够有效地控制阴极的电子发射。
杨帆胡利勤林贺郑隆武郭太良
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共2页<12>
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