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李景

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：河北半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇MOCVD法
  • 1篇深能级
  • 1篇能级
  • 1篇外延层
  • 1篇近红外
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇红外
  • 1篇发光
  • 1篇复合材料
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇CA
  • 1篇GAALAS
  • 1篇GAAS_H...
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD法...
  • 1篇复合材

机构

  • 2篇河北半导体研...
  • 1篇中国民用航空...

作者

  • 2篇关兴国
  • 2篇李景
  • 2篇章其麟
  • 1篇赵家龙
  • 1篇梁家昌
  • 1篇高瑛

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1992
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
MOCVD 生长 GaAlAs/GaAs HBT 材料的研究
1993年
研究了 MOCVD 法 GaAlAs/GaAs 多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制,得出了 GaAlAs 发射极的 PL 性质和多层材料的纵向浓度分布是 HBT 材料的质量表征的结论。采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量,达到了良好的器件特性。
关兴国李景章其麟任永一
关键词：复合材料半导体材料MOCVD法
MOCVD法生长Ca_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光与温度的依赖关系被引量：2
1992年
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度的变化关系,并初步分析其来源.
高瑛赵家龙刘学彦苏锡安梁家昌李景关兴国章其麟
关键词：近红外光致发光深能级
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