关兴国
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱
- 李景关兴国
- 关键词：低压化学汽相沉积砷化镓砷化铟
- MOCVD生长GaAlAs/GaAs HBT材料
- 章其麟关兴国李景刘英斌任永一袁风波刘燕飞孙进民等
- 1.成果内容简介：该成果采用MOCVD生长HBT材料，解决了GaAs体材料的纯度，找到了克服GaAlAs氧沾污的方法，尤其是采用最新的P-GaAs掺C技术，满足了异质结与P-N结的陡峭分布，做到了基区很薄(80纳米)且P...
- 关键词：
- 关键词：化学汽相淀积汽相外延生长GAALAS/GAASHBT材料
- MOCVD 生长 GaAlAs/GaAs HBT 材料的研究
- 1993年
- 研究了 MOCVD 法 GaAlAs/GaAs 多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制,得出了 GaAlAs 发射极的 PL 性质和多层材料的纵向浓度分布是 HBT 材料的质量表征的结论。采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量,达到了良好的器件特性。
- 关兴国李景章其麟任永一
- 关键词：复合材料半导体材料MOCVD法
- GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系被引量：1
- 1992年
- 本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激发强度的变化关系,我们证实这些发光都是由于施主-受主对复合产生的发光.
- 赵家龙高瑛刘学彦苏锡安梁家昌关兴国章其麟
- 关键词：衬底红外光谱
- MOCVD法生长Ca_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光与温度的依赖关系被引量：2
- 1992年
- 测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度的变化关系,并初步分析其来源.
- 高瑛赵家龙刘学彦苏锡安梁家昌李景关兴国章其麟
- 关键词：近红外光致发光深能级
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体的进展被引量：7
- 1996年
- 90年代初Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的实用化似乎还很遥远,但是自从蓝光GaN/GaInN LED 研制成功之后这个领域发生了巨变。目前,GaN 成为化合物半导体领域中最热门的课题。在下个十年中,基于 GaN 材料的激光器、HV 探测器和大功率高温半导体器件将成为实用产品。
- 李彦平关兴国
- 关键词：氮化物半导体
- MoCVD生长重掺碳GaAs
- 1993年
- 以四氧化碳(CCl_4)为掺杂剂进行了MOCVD生长掺碳GaAs的研究。p-GaAs外延层的最高空穴浓度可达1.8×10^(20)/cm^3,相应的迁移率为37cm^2/V.s。在重掺杂p-GaAs外延层中出现明显的能带收缩和晶格失配。
- 关兴国章其麟李景任永一刘燕飞
- 关键词：砷化镓碳掺杂
