徐艳月
- 作品数：24 被引量：123H指数：6
- 供职机构：中国农业大学理学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- 高开路电压纳米非晶硅太阳电池
- 本文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(T=170℃),用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层,经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/...
- 胡志华廖显伯刁宏伟曾湘波徐艳月孔光临
- 关键词：开路电压PECVD
- 文献传递
- 氢化非晶硅氧薄膜微结构被引量：2
- 2002年
- 以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H）薄膜的微结构及键构型.研究表明,在0.525≤x≤1.58的氧含量范围内,a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的,依赖于局域键构型氧化程度的不同,大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分,即Si,SiO（:H）,SiO（:H）,SiO2（:H）和SiO2.其中的Si相以非氢化的非晶硅（a-Si）颗粒形式存在,随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在.提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构,认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O（:H）,SiO（:H）,Si2O3（:H）和SiO2壳层所包围.随薄膜氧含量x的增加,各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变.
- 王永谦廖显伯刁宏伟陈长勇张世斌徐艳月陈维德孔光临程文超李国华
- 关键词：微结构PECVD法发光机制
- 微晶硅薄膜带隙态及微结构的研究被引量：2
- 2009年
- 研究了氢化微晶硅薄膜费米能级以上的带隙态密度分布与薄膜微结构关系.采用拉曼谱和红外谱表征不同H稀释比制备的微晶硅薄膜的微结构.薄膜带隙态密度分布由调制光电流的相移分析技术测得.采用三相模型(非晶相、晶相和界面相)分析了薄膜带隙态密度与薄膜微结构的关系.结果表明,材料的带隙态密度随着界面相的增加而增加,当界面体积分数达到最大时,薄膜的带隙态密度也最大,即材料的带隙态密度与界面体积分数正相关.
- 彭文博刘石勇肖海波张长沙石明吉曾湘波徐艳月孔光临俞育德
- 关键词：界面相微晶硅
- 快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响被引量：3
- 2002年
- 采用micro Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法 2 0 0℃衬底温度下生长的富硅氧化硅 (SRSO)薄膜微结构和发光的影响 .研究发现 ,在 30 0—6 0 0℃范围内退火 ,SRSO薄膜中非晶硅和SiOx∶H两相之间的相分离程度随退火温度升高趋于减小 ;而在 6 0 0—90 0℃范围内退火 ,其相分离程度随退火温度升高又趋于增大 ;同时发现SRSO薄膜发光先是随退火温度的升高显著加强 ,然后在退火温度达到和超过 6 0 0℃后迅速减弱 ;发光峰位在 30 0℃退火后蓝移 ,此后随退火温度升高逐渐红移 .对不同温度退火后的薄膜进行氢等离子体处理 ,发光强度不同程度有所增强 ,发光峰位有所移动 ,但不同温度退火样品发光增强的幅度和峰位移动的趋势不同 .分析认为退火能够引起薄膜中非晶硅颗粒尺度、颗粒表面结构状态以及氢的存在和分布等方面的变化 .结果表明不仅颗粒的尺度大小 ,而且颗粒表面的结构状态都对非晶硅颗粒能带结构和光生载流子复合机理发挥重要影响 .
- 王永谦陈维德陈长勇刁宏伟张世斌徐艳月孔光临廖显伯
- 关键词：微结构发光快速热退火
- 优化大学物理教学的一点思考——以光学原理教学为例
- 2014年
- 分析了学生对大学基础物理缺乏学习兴趣的一方面原因，以光学原理教学为例，提出了利用物理学知识探索和发现的本身特色，激发学生学习兴趣的方法．
- 李春燕周梅徐艳月张连娣金仲辉
- 关键词：大学物理
- PECVD非晶硅膜的均匀性
- ＜正＞采用PECVD法制备的非晶硅薄膜的均匀性受到多种工艺参数的影响.这些参数中,一类是沉积过程的工艺参数,如反应气体的气压、反应气体的流速、功率密度等;另一类是设备结构参数,它们决定了反应气体的气流分布和电场分布等.
- 刁宏伟徐艳月张世斌王永谦廖显伯
- 文献传递
- VHF-PECVD非晶硅膜的均匀性
- 我们对现存三室PECVD设备进行了改造,借鉴国外的经验,将PECVD系统的阴极单板结构改造为喷淋式的三层结构,进气方式由侧进气改为下进气.在改造后的VHF-PECVD系统上进行了一系列的工艺实验.实验结果表明:改进的三层...
- 刁宏伟徐艳月张世斌廖显伯
- 关键词：非晶硅薄膜化学气相沉积工艺参数
- 文献传递
- 非晶硅基太阳电池p型界面的研究
- 本文介绍作者关于非晶硅基pin型太阳电池p型界面的研究工作。我们采用了AMPS模型计算模拟与PECVD技术制备电池样品相结合的研究方法。研究工作中,我们发现由界面问题引起的光伏Ⅰ-Ⅴ曲线的异常拐弯可区分为两类,一类的拐弯...
- 廖显伯刁宏伟胡志华曾湘波徐艳月孔光临
- 关键词：非晶硅太阳电池
- 文献传递
- 用VHF-PECVD生长高质稳定a-Si:H薄膜
- 用VHF-PECVD技术沉积了一系列样品,用Keithly公司642静电计和惠普公司的8520数字多用表测试了它们的光电特性.研究光电特性和光致变化与沉积的关系.我们发现,适当增大气压可以提高沉积速率,微量硼杂可以显著提...
- 徐艳月廖显伯刁宏伟张世斌孔光临
- 关键词：A-SI:H薄膜化学气相沉积沉积速率稳定性
- 文献传递
- 等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼被引量：7
- 2004年
- 用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法化学成分配比更灵活 ,更容易实现纳米线掺杂 ,进一步有望生长硅纳米线pn结 。
- 曾湘波廖显伯王博刁宏伟戴松涛向贤碧常秀兰徐艳月胡志华郝会颖孔光临
- 关键词：纳米线PECVD法PN结掺硼硼烷硅源
