曾湘波
- 作品数：61 被引量：116H指数：7
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信一般工业技术理学更多>>
- 改善硅纳米线太阳能电池性能的方法
- 本发明提出一种改善硅纳米线太阳能电池性能的方法，包括：S1、将硅纳米线太阳能电池和导电金属网置于电解液中，并将该硅纳米线太阳能电池和该导电金属网分别连接至稳压直流电源的负极和正极；S2、打开所述稳压直流电源的同时用光照射...
- 曾湘波王凌潇张晓东杨萍李浩谢小兵王启明
- 文献传递
- 一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法
- 本发明公开了一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法，该硅纳米线阵列结构包括形成在衬底上的多个硅纳米线，所述衬底的表面在形成硅纳米线之前具有作为催化剂的金属薄膜，但在形成硅纳米线之后不具备所述金属薄膜的金属。所述方...
- 杨萍曾湘波谢小兵张晓东李浩王占国
- 文献传递
- 提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法
- 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括：在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P<Sup>+</Sup>层；在生长P层时，将P...
- 石明吉曾湘波张长沙刘石勇彭文博肖海波
- 文献传递
- 非晶微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟被引量：8
- 2005年
- 在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上,利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量,计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特性及光谱响应;结果为随着本征层微晶成分的增多,电池的开路电压逐渐减小,短路电流逐渐增大,本征层的最佳厚度逐渐增大,填充因子有降低的趋势,电池的效率随晶相比的增大而减小.电池的光谱响应曲线表明,随晶相比的增大电池的长波响应明显提高.根据这些模拟结果,分析讨论了在考虑Lambertian背反射的情况下,非晶微晶叠层电池的底电池采用晶相比为40%—50%的两相硅薄膜材料做本征层是最佳选择.
- 郝会颖孔光临曾湘波许颖刁宏伟廖显伯
- 关键词：计算机模拟薄膜电池两相材料伏安特性填充因子叠层电池
- 非晶硅基太阳电池p型界面的研究
- 本文介绍作者关于非晶硅基pin型太阳电池p型界面的研究工作。我们采用了AMPS模型计算模拟与PECVD技术制备电池样品相结合的研究方法。研究工作中,我们发现由界面问题引起的光伏Ⅰ-Ⅴ曲线的异常拐弯可区分为两类,一类的拐弯...
- 廖显伯刁宏伟胡志华曾湘波徐艳月孔光临
- 关键词：非晶硅太阳电池
- 文献传递
- 双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池被引量：3
- 2011年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜。高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission ElectronMicroscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3～5nm。对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究。结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加。提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%。
- 刘石勇曾湘波彭文博姚文杰谢小兵杨萍王超王占国
- 关键词：纳米硅光学带隙
- 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法
- 一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净，然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统，烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层，其是通过氢...
- 彭文博曾湘波刘石勇姚文杰谢小兵肖海波杨萍王超俞育德
- 等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼被引量：7
- 2004年
- 用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法化学成分配比更灵活 ,更容易实现纳米线掺杂 ,进一步有望生长硅纳米线pn结 。
- 曾湘波廖显伯王博刁宏伟戴松涛向贤碧常秀兰徐艳月胡志华郝会颖孔光临
- 关键词：纳米线PECVD法PN结掺硼硼烷硅源
- 等离子体增强化学汽相沉积法实现硅纳米线掺磷
- 用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺P.选用Si片作衬底,硅烷(SiH<,4>)作硅源,磷烷(PH<,3>)作掺杂气体,Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制我们探讨了掺...
- 曾湘波廖显伯郝会颖王博戴松涛刁宏伟向贤碧孔光临
- 关键词：硅纳米线化学汽相沉积
- 文献传递
- 氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响被引量：2
- 2004年
- 用PECVD方法,以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4]=1.2)和不同的氢稀释比(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiCH)薄膜.运用紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、红外吸收谱(IR)、Raman谱以及光荧光发射谱(PL)测量研究了氢稀释和高温退火对薄膜生长和光学特性的影响.实验发现氢稀释使薄膜光学带隙展宽(从1.92到2.15eV).高氢稀释条件下制备的薄膜经过1250℃退火后在室温下观察到可见光发光峰,峰位位于2.1eV.结合Raman谱分析,认为发光峰源于纳米硅的量子限制效应,纳米硅被Si-C和Si-O限制.
- 胡志华廖显伯刁宏伟孔光临曾湘波徐艳月
- 关键词：薄膜生长薄膜光学量子限制效应
