徐小秋
- 作品数：10 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作用机理
- ZnO是一种直接带隙的第三代宽禁带半导体，因其在室温下约为3.37eV的禁带宽度和高达60meV的激子结合能，而受到了广泛关注，被认为是有望取代GaN的新一代短波长光电子材料。随着ZnO半导体材料制备研究不断取得进展，Z...
- 徐小秋
- 关键词：ZNO材料本征缺陷掺杂发光光学性质电学性质
- ZnO:LiCl/P-Si薄膜中的施主-受主发光
- 本文用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在P-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃、O2-900℃热退火处理.在77K～325K温度范围作电流～温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)...
- 刘磁辉徐小秋钟泽付竹西
- 关键词：氧化锌薄膜I-V特性深能级溶胶凝胶法
- 文献传递
- ZnO导电类型和发光机理的新探索
- 目前一般认为ZnO的n性导电源于ZnO中的氧空位(Vo)，它的紫外发光来自自由激子及其声子伴线的发光。本文的研究结果得出了不同的看法。大量实验结果表明，无论是ZnO的n性导电处是它的紫外发光都与ZnO中的锌填隙有关。实验...
- 傅竹西徐小秋孙利杰施媛媛
- 关键词：发光机理氧空位电子浓度氧化锌
- 文献传递
- Ag-S共掺杂ZnO薄膜的光电性质研究
- 氧化锌的p型掺杂是其器件化的关键问题。为解决这一难题,本文首次在实验上通过Ag-S共掺杂存Si基片上来制备出p型ZnO薄膜。XRD和SEM测试表明,所得样品为c轴高度取向,且表面平整致密的ZnO薄膜。XPS测试证实了Ag...
- 孙利杰邬小鹏徐小秋林碧霞傅竹西
- 关键词：同质结光电性质氧化锌薄膜P型掺杂
- 文献传递
- 退火温度对掺氮ZnO薄膜结构和光电特性的影响被引量：1
- 2008年
- 采用Zn3N2热氧化法在直流磁控溅射设备上制备了掺氮ZnO薄膜(ZnO:N),研究了不同退火温度对样品结构和光电特性的影响.X射线衍射谱(XRD)结果表明,Zn3N2在600℃以上退火即可转变为ZnO:N薄膜.X射线光电子能谱(XPS)发现,在热氧化法制备的ZnO:N薄膜中,存在两种与N相关的结构,分别是N原子替代O(受主)和N2分子替代O(施主),这两种结构分别于不同的退火温度下存在,并且700℃下退火的样品在理论上具有最高的空穴浓度,这一点也由霍尔测量结果得到证实.同时,从低温PL光谱中观察到了与No受主有关的导带到受主(FA)和施主-受主对(DAP)的跃迁,并由此计算出热氧化法制备的ZnO:N薄膜中的No受主能级位置.
- 钟声徐小秋孙利杰林碧霞傅竹西
- 关键词：热氧化XPS
- Zn0紫外发光机理及激子和施主的耦合发光
- 本文通过对ZnO单晶样品的变温光致发光(PL)光谱的研究,分析了ZnO紫外发光的不同光谱峰的特点、峰值能量随温度的变化规律,发现了激子符合的声子伴线和双电子发射与热运动平均动能之间的关系：依据发光跃迁应该遵从的能量守恒和...
- 傅竹西林碧霞徐小秋
- 关键词：化合物半导体发光机理单晶生长
- 文献传递
- 氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响被引量：8
- 2010年
- 以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si(100)衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理,退火温度分别为900,1000,1100℃。利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研究。研究表明:(1)随着退火温度的升高,样品的结晶性质也逐渐提高,从表面形貌观察到晶粒尺寸逐渐增大;(2)当退火温度从900℃升高至1000℃时,样品的光致发光谱中可见光波段的发光强度有所减弱,而紫外波段的发光强度明显增强;当退火温度升高至1100℃时,可见光波段的发光几乎完全被抑制,而紫外波段的发光强度急剧增强。分析认为,高温退火改善晶体结晶质量的同时调制了样品的Zn/O比,氮气气氛下的热处理使得样品内的氧原子逸出,来自受主缺陷OZn的可见发射随温度升高逐渐减弱,而当退火温度达到1000℃以上时样品成为富锌状态,此时与施主缺陷Zni有关的紫外发射急剧增强。
- 钟泽孙利杰徐小秋陈小庆邬小鹏傅竹西
- 关键词：退火光致发光MOCVD
- 高压高温下Zn气氛处理对ZnO单晶紫外发光的影响
- 通过变温PL光谱和Hall测试研究高压掺Zn对ZnO单品紫外发光的影响。在Zn气氛及高压高温条件下,Zn可以扩散进入ZnO单晶。室温PL谱显示,经Zn气氛处理后的样品,其紫外发光强度较未处理的样品增强了近一个数量级。在1...
- 徐小秋林碧霞孙利杰邬小鹏钟泽傅竹西
- 关键词：化合物半导体发光强度电子浓度
- 文献传递
- ZnO:LiCl/p-Si薄膜中的施主-受主发光
- 2007年
- 用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在p-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃,O2-900℃热退火处理.在77～325K温度范围内作电流-温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DLTS测量获得的两种试样中存在一个稳定的深能级中心.(I-T)测量证实这个深能级中心是与ZnO的本征缺陷相关的.室温PL谱测量得到两种试样存在较强的深能级发光,而紫外发光较弱.由实验结果推测,试样主要的深能级发光过程是电子从双离化Zni**施主能级向单离化V'zn受主能级的跃迁.在O2气氛退火作用下深能级的发光强度增强.
- 刘磁辉徐小秋钟泽傅竹西
- 关键词：氧化锌薄膜I-V特性深能级
- CVD法制备ZnO薄膜生长取向和表面形貌被引量：6
- 2008年
- 利用具有特定温度梯度的CVD设备,以锌粉和氧气为原料,在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜。研究发现,锌粉中加入某些氯化物后可以改变ZnO薄膜的生长取向。用FESEM观察ZnO薄膜的表面形貌,发现Zn和氯化物的量比为1∶1时,生长的ZnO薄膜表面晶粒呈菱形或三角形({101}面),当二者的量比为10∶1时薄膜表面晶粒呈六棱台形({001}面)。XRD分析结果证实,前者只观察到(101)和(202)衍射峰,而后者出现(002)衍射峰且其强度大于(101)衍射峰。改变衬底或温度后得到的结果相同。因此,作者认为氯化物改变薄膜生长取向的现象与衬底和生长温度无关,添加的氯化物起到降低ZnO{101}面表面能的作用,随着氯化物浓度的增加,薄膜从沿[001]方向生长逐渐转向沿[101]方向生长。
- 田珂施媛媛徐小秋钟声傅竹西
- 关键词：CVDZNO薄膜
