钟泽
- 作品数：11 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- ZnO:LiCl/P-Si薄膜中的施主-受主发光
- 本文用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在P-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃、O2-900℃热退火处理.在77K～325K温度范围作电流～温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)...
- 刘磁辉徐小秋钟泽付竹西
- 关键词：氧化锌薄膜I-V特性深能级溶胶凝胶法
- 文献传递
- MOCVD低温外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究
- 2008年
- 以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底低温下成功生长出高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度、载气流量及反应源的流量等参数研究了生长条件对薄膜性质的影响。研究结果表明,在温度500℃时薄膜的取向性和结晶性能最佳,但发光性质不如200℃生长的样品。随载气流量从1.2～2.0slm增加的过程中,薄膜的结晶和发光性能逐渐提高。此外合适的源流量对薄膜质量的提高起到关键作用。
- 钟泽苏剑锋舒姮陈小庆傅竹西
- 关键词：化合物半导体MOCVD水汽ZNO
- ZnO和AlN薄膜的MOCVD生长及其性质研究
- ZnO是一种II-VI族宽禁带半导体化合物,在室温下拥有3.3eV的禁带宽度和60meV的激子束缚能,这使其在光电器件领域的应用前景十分看好。ZnO在某些方面具有比GaN更优越的性能,如:更高的禁带宽度和激子束缚能有利于...
- 钟泽
- 关键词：氧化锌氮化铝光致发光
- 文献传递
- ZnO和AIN薄膜的MOCVD生长及其性质研究
- ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体化合物，在室温下拥有3.3eV的禁带宽度和60meV的激子束缚能，这使其在光电器件领域的应用前景十分看好。ZnO在某些方面具有比GaN更优越的性能，如：更高的禁带宽度和激子束缚能有利于提高...
- 钟泽
- 文献传递
- MOCVD制备SiC:Al薄膜的导电类型调控研究
- 2010年
- 用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝(TMA)源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型。用XPS方法测试样品后发现,TMA载气流量与硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量。Al含量在1.5%以下,Al原子在SiC薄膜中主要以填隙形式(Ali)存在,薄膜显示出n型;而Al含量在1.5%～3%之间的时候,Al原子主要以替位Si(AlSi)的形式存在,薄膜显示出p型。继续增加掺杂源的流量,所得SiC薄膜结晶质量会变得较差,电阻也变得较高。
- 陈小庆孙利杰邬小鹏钟泽傅竹西
- 关键词：3C-SICMOCVD导电类型
- 氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响被引量：8
- 2010年
- 以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si(100)衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理,退火温度分别为900,1000,1100℃。利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研究。研究表明:(1)随着退火温度的升高,样品的结晶性质也逐渐提高,从表面形貌观察到晶粒尺寸逐渐增大;(2)当退火温度从900℃升高至1000℃时,样品的光致发光谱中可见光波段的发光强度有所减弱,而紫外波段的发光强度明显增强;当退火温度升高至1100℃时,可见光波段的发光几乎完全被抑制,而紫外波段的发光强度急剧增强。分析认为,高温退火改善晶体结晶质量的同时调制了样品的Zn/O比,氮气气氛下的热处理使得样品内的氧原子逸出,来自受主缺陷OZn的可见发射随温度升高逐渐减弱,而当退火温度达到1000℃以上时样品成为富锌状态,此时与施主缺陷Zni有关的紫外发射急剧增强。
- 钟泽孙利杰徐小秋陈小庆邬小鹏傅竹西
- 关键词：退火光致发光MOCVD
- MOCVD方法低温下外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究
- 以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底上低温下成功了生长高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射,原子力显微镜,光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度,载气流量及反应源的流量等...
- 钟泽苏剑锋舒妲陈小庆傅竹西
- 关键词：化合物半导体金属有机物化学气相沉积氧化锌薄膜发光性能
- 文献传递
- 高压高温下Zn气氛处理对ZnO单晶紫外发光的影响
- 通过变温PL光谱和Hall测试研究高压掺Zn对ZnO单品紫外发光的影响。在Zn气氛及高压高温条件下,Zn可以扩散进入ZnO单晶。室温PL谱显示,经Zn气氛处理后的样品,其紫外发光强度较未处理的样品增强了近一个数量级。在1...
- 徐小秋林碧霞孙利杰邬小鹏钟泽傅竹西
- 关键词：化合物半导体发光强度电子浓度
- 文献传递
- ZnO:LiCl/p-Si薄膜中的施主-受主发光
- 2007年
- 用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在p-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃,O2-900℃热退火处理.在77～325K温度范围内作电流-温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DLTS测量获得的两种试样中存在一个稳定的深能级中心.(I-T)测量证实这个深能级中心是与ZnO的本征缺陷相关的.室温PL谱测量得到两种试样存在较强的深能级发光,而紫外发光较弱.由实验结果推测,试样主要的深能级发光过程是电子从双离化Zni**施主能级向单离化V'zn受主能级的跃迁.在O2气氛退火作用下深能级的发光强度增强.
- 刘磁辉徐小秋钟泽傅竹西
- 关键词：氧化锌薄膜I-V特性深能级
- 射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性被引量：2
- 2008年
- 在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究。通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系,并与Al掺杂和N掺杂的ZnO薄膜进行对比。实验结果表明,N掺杂的浓度高达1020cm-3;N-Al共掺杂极大地增加了ZnO的成核速率,其主要原因是N离化所起的作用;N-Al共掺的ZnO薄膜显示出p型性质,而N掺杂的ZnO薄膜由于N原子处于非激活状态而呈现高阻,这说明N-Al共掺杂对ZnO中N原子的活化起到一定作用。
- 苏剑峰姚然钟泽傅竹西
- 关键词：金属有机化学气相沉积
